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一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示四大模塊組成，傳感器由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示三個(gè)大模塊組成，傳感器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)制作在高阻Ｓｉ襯底上，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)制作在高阻Ｓｉ襯底上，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)熱電偶和隔直電容所構(gòu)成
東南大學(xué)
2021-04-14
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可任意尋址操縱的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片設(shè)計(jì)及可行性論證
本項(xiàng)目提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(發(fā)表于國(guó)際一流期刊PRB，2005)，相比于美國(guó)Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片而言，具有更強(qiáng)的糾錯(cuò)和避錯(cuò)品質(zhì)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。
一、項(xiàng)目分類
重大科學(xué)前沿創(chuàng)新
二、成果簡(jiǎn)介
提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(發(fā)表于國(guó)際一流期刊PRB，2005)，相比于美國(guó)Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片而言，具有更強(qiáng)的糾錯(cuò)和避錯(cuò)品質(zhì)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。技術(shù)上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全國(guó)產(chǎn)設(shè)備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結(jié)和共面波導(dǎo)超導(dǎo)諧振器的自行設(shè)計(jì)制造，在極低溫環(huán)境下完成了單元器件性能的標(biāo)定和檢驗(yàn)。
西南交通大學(xué)
2022-09-13
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高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料及構(gòu)件
衛(wèi)星在軌運(yùn)行和返回過程中需經(jīng)歷極端高低溫環(huán)境，構(gòu)件尺寸的穩(wěn)定是保證衛(wèi)星在軌高精度、返回高安全、任務(wù)高可靠的關(guān)鍵。針對(duì)衛(wèi)星搭載的某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配極易導(dǎo)致的載荷在軌及返回過程中載荷接收精度不穩(wěn)定、信息傳輸不連續(xù)等問題。我校陳駿教授團(tuán)隊(duì)以原創(chuàng)的負(fù)熱膨脹技術(shù)研發(fā)了具有輕質(zhì)、熱膨脹系數(shù)低、力學(xué)性能優(yōu)異、尺寸穩(wěn)定性好的高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料，并研制了系列關(guān)鍵連接內(nèi)置件、環(huán)件等高性能低膨脹構(gòu)件，首次將負(fù)熱膨脹技術(shù)應(yīng)用到我國(guó)的衛(wèi)星上，填補(bǔ)了高性能低膨脹金屬構(gòu)件在工程應(yīng)用領(lǐng)域的空白。該技術(shù)使得某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體之間熱膨脹匹配性增強(qiáng)、界面應(yīng)力大幅度減小，保證了衛(wèi)星在軌與返回過程中信號(hào)高精度傳輸與接收，助力衛(wèi)星成功返回。
圖1 實(shí)踐十九號(hào)衛(wèi)星成功返回（圖片來源國(guó)家航天局）
圖2 高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料及構(gòu)件應(yīng)用于全球首顆可重復(fù)使用返回式技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星（圖片來源央視新聞?lì)l道）
北京科技大學(xué)
2025-05-21
一種液晶基電調(diào)空間分辨率全色成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開了一種液晶基電調(diào)空間分辨率全色成像探測(cè)芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊、面陣全色成像探測(cè)器、以及面陣電控液晶微透鏡，驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊、面陣全色成像探測(cè)器、以及面陣電控液晶微透鏡設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，陶瓷外殼后部固定設(shè)置于金屬支撐和散熱板頂部，驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊固定設(shè)置于陶瓷外殼后部與金屬支撐和散熱板連接處，面陣全色成像探測(cè)器平行設(shè)置于驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊頂部，面陣電控液晶微
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開了一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測(cè)芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復(fù)眼一體化成像探測(cè)架構(gòu)，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復(fù)眼一體化成像探測(cè)架構(gòu)設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，并包括同軸順序設(shè)置的驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊、面陣可見光探測(cè)器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測(cè)器，驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊通過通訊與控制信號(hào)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基固支梁可重構(gòu)SIW帶通濾波器
本發(fā)明公開了一種面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基固支梁可重構(gòu)SIW帶通濾波器，包括SIW帶通濾波器、轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)和MEMS固支梁結(jié)構(gòu)。SIW帶通濾波器包括相互級(jí)聯(lián)的SIW諧振腔(9)，相鄰的SIW諧振腔之間存在耦合窗口(14)，MEMS固支梁結(jié)構(gòu)設(shè)置于耦合窗口中。在一些特定的需要控制無源濾波器通帶中心頻率頻繁切換的電路中，本發(fā)明通過MEMS固支梁結(jié)構(gòu)很好的避免了需要依靠增加濾波器數(shù)量去控制電路的問題，并且MEMS固支梁結(jié)構(gòu)的閉合所需要的電壓較小也基本不會(huì)影響電路的正常工作，能夠有效地降低電路控制的功耗。MEMS固支梁(6)可以實(shí)現(xiàn)快速的DOWN態(tài)和UP態(tài)的轉(zhuǎn)換，可以有效地實(shí)現(xiàn)微波電路中對(duì)濾波器濾波范圍的控制。
東南大學(xué)
2021-04-11