本發明公開了一種摻雜硅量子點發光二極管,包括硅襯底,沉 積銀納米顆粒層,以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜,透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發光二極管的制備方法,利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發光特性,構成發光二極管的發光有源層;利用摻雜可以鈍化量子 點,同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外,利用銀納