石墨烯體系單原子缺陷研究進展發(fā)表
石墨烯中電子除了自旋這個內(nèi)秉自由度,還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質(zhì)。單原子缺陷是材料體系中最簡單的缺陷形式,可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對材料性質(zhì)的影響和調(diào)控。物理學(xué)系何林教授課題組長期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷,發(fā)現(xiàn)缺陷可對石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關(guān)的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生深刻影響。例如,他們利用掃描隧道顯微鏡(STM)首次證實石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩,并在原子尺度上實現(xiàn)了對其自旋磁矩調(diào)控,實現(xiàn)了三種自旋量子態(tài);觀測到石墨烯中單原子缺陷引入的對稱性破缺態(tài),并系統(tǒng)地測量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結(jié)構(gòu),有A和B兩套子格,因此波函數(shù)數(shù)學(xué)形式上類似于自旋。對于電子自旋有很多有意思的可觀測物理現(xiàn)象,那么對應(yīng)石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測的物理現(xiàn)象呢?帶著這一問題,何林教授課題組開展了深入研究。他們發(fā)現(xiàn)石墨烯中的單原子缺陷可以使準粒子在石墨烯手性不同的兩個谷之間發(fā)生彈性散射,并伴隨著子格贗自旋的旋轉(zhuǎn),在缺陷附近產(chǎn)生一個原子尺度的子格贗自旋渦旋,而贗自旋在渦旋(單原子缺陷)的繞數(shù)直接反映了體系的Berry相位(圖1)。通常來說,貝利相位的測量需要借助于外加磁場,因為磁場可以驅(qū)動準粒子沿閉合的軌跡絕熱運動,所以這一的結(jié)果提供了一個簡單的方法測量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩,證明電荷密度波振蕩在實空間中增加的額外波前條紋數(shù)直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數(shù),從而可直接測量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中,他們對雙層石墨烯進行了詳細的研究,并將相關(guān)結(jié)果推廣到多層石墨烯體系。進一步他們還研究了相同和相反繞數(shù)的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結(jié)果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現(xiàn)象亟待深入研究,也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。
北京師范大學(xué)
2021-02-01