本發明公開了一種石墨烯光陰極及其制備方法;該石墨烯光陰極由光陰極底座、襯底層、碘化銫薄膜、金膜組成;該石墨烯光陰極的制備方法具體包括如下步驟:S1:采用化學氣相沉積法在一定厚度的鎳片上生長石墨烯;S2:利用腐蝕液溶解制備石墨烯后的鎳片,留下石墨烯;S3:將石墨烯平鋪至光陰極底座;S4:利用真空蒸鍍法向第 3 步得到的光陰極底座蒸鍍一層碘化銫薄膜;S5:利用磁控濺射法向第 4 步得到的光陰極底座濺射一層金膜制得石墨烯光陰極。由于石墨烯具有優越的導電性、超高的透光率、良好的光電轉換效應以及較強的機械強度
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