對(duì)于HEMT功率器件來(lái)說(shuō),p-GaN柵極HEMT器件結(jié)構(gòu)是目前被認(rèn)為最有希望作為商業(yè)化應(yīng)用的方案。不過(guò),仍然有一些問(wèn)題亟待解決,如增加閾值電壓、降低柵極漏電流、提高柵極擊穿電壓等。于洪宇課題組2017級(jí)南科大-英屬哥倫比亞大學(xué)聯(lián)培博士生周廣楠介紹,閘極漏電與閘極工作電壓對(duì)應(yīng)用于電源開關(guān)的氮化鎵HEMT器件尤為重要,能夠影響電源系統(tǒng)功率損耗與輸出功率。解決此項(xiàng)問(wèn)題對(duì)于p-GaN柵極HEMT器件的商業(yè)化應(yīng)用有重要的意義。
項(xiàng)目階段:
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