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測定土的抗剪強(qiáng)度是定量計(jì)算土壤流失量以及合理利用與管理土地資源的重要前提條件之一。原位測定坡面表層土壤抗剪強(qiáng)度的方法不僅能夠?qū)崿F(xiàn)原位、原狀條件下測定，而且考慮了順坡剪切方向與土壤剪切面位置的影響，是一種更加科學(xué)、客觀、準(zhǔn)確的測定方法。該方法應(yīng)用條件寬泛，所用設(shè)備儀器重量輕、尺寸小、安全穩(wěn)定、成本低廉，操作簡單易行，極具推廣應(yīng)用價(jià)值。

項(xiàng)目簡介： 沉積物的污染修復(fù)是徹底改善水體環(huán)境質(zhì)量，整治流域水污染的 前提和關(guān)鍵。項(xiàng)目根據(jù)相平衡分配理論，利用沉積物污染仿真模擬裝 置，建立并優(yōu)化能夠模擬不同水文特征的可準(zhǔn)確量化沉積物中污染物 釋放規(guī)律的數(shù)學(xué)模型，用于后續(xù)項(xiàng)目的原位修復(fù)關(guān)鍵技術(shù)的材料篩選、 修復(fù)工程實(shí)施及修復(fù)效果評估。篩選經(jīng)濟(jì)可行的強(qiáng)化降解沉積物中典 型污染物的活性格柵材料；篩選對沉積物中污染物具有強(qiáng)吸附和絡(luò)合 等作用的固化覆蓋材料，在此基礎(chǔ)上開發(fā)出沉積物中典型污染物的原 位活性覆蓋技術(shù)，用于受污染的湖泊和河流沉積物的原位修復(fù)。 該成果已成功助力天津市新生態(tài)城漢沽污水庫和天津大沽排污 河先鋒河段等污染治理工程的成功實(shí)施。

底泥原位固化穩(wěn)定化制備不同功能材料的技術(shù)，在底泥性質(zhì)和污染物水平和賦存形態(tài)分析的基礎(chǔ)上，利用水泥的水化反應(yīng)形成水化產(chǎn)物物理封裝或通過化學(xué)反應(yīng)將有效態(tài)重金屬污染物轉(zhuǎn)變?yōu)闅堅(jiān)鼞B(tài)；加入外加劑，使底泥中的硅、鈣、鋁等離子形成穩(wěn)定的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，促進(jìn)底泥膠結(jié)。針對不同應(yīng)用目標(biāo)，通過調(diào)節(jié)配方配比研制出具有多種強(qiáng)度的安全和耐久的工程材料；

本發(fā)明公開了一種海洋微生物原位富集裝置，包括：開式培養(yǎng)艙、閉式培養(yǎng)艙、環(huán)境監(jiān)測傳感器。開式培養(yǎng)艙包括開式艙體和上蓋，上蓋能夠在驅(qū)動(dòng)裝置帶動(dòng)下垂直向上開啟，以打開開式艙體；閉式培養(yǎng)艙包括閉式艙體，所述閉式艙體上設(shè)置有進(jìn)水口和出水口，閉式艙體內(nèi)設(shè)置有蠕動(dòng)泵，實(shí)現(xiàn)閉式艙體內(nèi)與外部海水交換；環(huán)境監(jiān)測傳感器設(shè)置有三組，分別位于所述開式培養(yǎng)艙內(nèi)、閉式培養(yǎng)艙內(nèi)以及外部環(huán)境中，用于檢測環(huán)境的PH值、溶解氧、濁度、甲烷等環(huán)境參數(shù)。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在海洋原位對微生物進(jìn)行富集，使微生物富集過程中的環(huán)境與微生物生長的環(huán)境相同，提高了微生物的生存適應(yīng)性，避免因環(huán)境的改變造成微生物的死亡或活性降低。

本發(fā)明公開了一種土壤養(yǎng)分智能化原位監(jiān)測系統(tǒng)，包括外殼，所述外殼的側(cè)面開設(shè)有通孔，所述通孔的內(nèi)部套裝有信息采集探頭，所述信息采集探頭貫穿通孔且延伸至外殼的內(nèi)部，所述信息采集探頭延伸至外殼內(nèi)部的外表面套裝有彈簧，所述彈簧延伸至外殼內(nèi)部的一端固定連接有防脫塊，所述外殼內(nèi)部的固定連接有置物板，所述置物板的軸心處套裝有傳動(dòng)軸，所述傳動(dòng)軸的一端固定連接有導(dǎo)向板，所述傳動(dòng)軸遠(yuǎn)離導(dǎo)向板的一端與電機(jī)的輸出端固定連接

本發(fā)明公開了一種原位快速采樣熱重分析儀，包括工作臺、加熱爐、樣品架、采樣探針、保溫管、爐溫控制裝置和數(shù)據(jù)分析裝置，加熱爐設(shè)于工作臺上，樣品架安裝在工作臺內(nèi)的電子天平上，并伸入爐膛中，其上放置有坩堝；采樣探針安裝加熱爐上，并位于坩堝的上方；保溫管套裝在采樣探針的外部，其內(nèi)設(shè)置有超細(xì)毛細(xì)管，該超細(xì)毛細(xì)管依次伸入保溫管和采樣探針，并延伸至坩堝內(nèi)；爐溫控制裝置用于檢測并控制加熱爐的溫度，數(shù)據(jù)分析裝置用于獲取重量和溫度信

本發(fā)明屬于柔性薄膜轉(zhuǎn)移及貼合工藝相關(guān)設(shè)備領(lǐng)域，并公開了 一種基于拉伸共形原理的柔性膜曲面轉(zhuǎn)移機(jī)械手，其包括基座、X 向 伸縮機(jī)構(gòu)、Y 向張合機(jī)構(gòu)和共形柔性曲面吸附盤，其中該 X 向伸縮機(jī) 構(gòu)設(shè)于基座用于實(shí)現(xiàn)共形柔性曲面吸附盤的 X 向伸縮，該 Y 向張合機(jī) 構(gòu)設(shè)于 X 向伸縮機(jī)構(gòu)并用于實(shí)現(xiàn)共形柔性吸附盤的 Y 向伸縮;該共形 柔性曲面吸附盤與目標(biāo)曲面共形，具有可彎曲、拉伸的特點(diǎn)，在

液壓彈簧式直接拉伸試驗(yàn)用彈簧組件限位巖石試樣固定裝置，由下位夾具和上位夾具組成，下位夾具包括與試驗(yàn)機(jī)底部加載座連接的下接頭、固定試樣的下端帽、連接下接頭與下端帽的下鏈條、第一螺旋彈簧、第一中心限位機(jī)構(gòu)、第二中心限位機(jī)構(gòu)和第一液壓機(jī)構(gòu)，上位夾具包括與試驗(yàn)機(jī)頂部加載座連接的上接頭、固定試樣的上端帽、連接上接頭與上端帽的上鏈條、第二螺旋彈簧、第三中心限位機(jī)構(gòu)、第四中心限位機(jī)構(gòu)和第二液壓機(jī)構(gòu)；第一中心限位機(jī)構(gòu)、第二中心限位機(jī)構(gòu)、第三中心限位機(jī)構(gòu)和第四中心限位機(jī)構(gòu)均由彈簧限位組件、支撐件和轉(zhuǎn)接板組成；第一液壓機(jī)構(gòu)、第二液壓機(jī)構(gòu)均包括圓環(huán)形活塞及與圓環(huán)形活塞組合的圓環(huán)形油缸。

本發(fā)明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發(fā)明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發(fā)明可以用于光伏發(fā)電系統(tǒng)與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)等顯著優(yōu)點(diǎn),所以在國際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價(jià)格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點(diǎn),因此被譽(yù)為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費(fèi)了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內(nèi)水平，所以基本壟斷國內(nèi)LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場,其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時(shí)還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達(dá)到2萬小時(shí)以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個(gè)照明市場，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。