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博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊(duì)在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬(wàn)片，包括各類(lèi)種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無(wú)毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺(tái)烘烤5分鐘不起泡。 一、項(xiàng)目進(jìn)展 已注冊(cè)公司運(yùn)營(yíng) 二、企業(yè)信息 企業(yè)名稱(chēng) 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司 企業(yè)法人 潘遠(yuǎn)志 注冊(cè)時(shí)間 2022/3/31 注冊(cè)所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機(jī)構(gòu)代碼 91610131MA712U7Q06 經(jīng)營(yíng)范圍 一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢(xún)、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術(shù)研發(fā)；新材料技術(shù)推廣服務(wù)；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設(shè)備制造；通信設(shè)備制造；光通信設(shè)備制造；雷達(dá)及配套設(shè)備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷(xiāo)售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷(xiāo)售；合成材料銷(xiāo)售；有色金屬合金銷(xiāo)售；半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備制造；新型陶瓷材料銷(xiāo)售；電子元器件零售；電子元器件批發(fā)；泵及真空設(shè)備制造；泵及真空設(shè)備銷(xiāo)售；通用設(shè)備制造（不含特種設(shè)備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產(chǎn)專(zhuān)用設(shè)備制造；電子專(zhuān)用材料研發(fā)；電子專(zhuān)用材料制造；特種陶瓷制品銷(xiāo)售；半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備銷(xiāo)售；集成電路設(shè)計(jì)；機(jī)械設(shè)備租賃；租賃服務(wù)（不含許可類(lèi)租賃服務(wù)）（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)） 企業(yè)地址 江蘇省 蘇州高新區(qū)長(zhǎng)亭路8號(hào)大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號(hào)創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）天使輪1000萬(wàn)元 2022/03/22蘇州融享進(jìn)取創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）preA輪2500萬(wàn)元 三、負(fù)責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專(zhuān)業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時(shí)間 潘遠(yuǎn)志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學(xué)部/自動(dòng)化 2020/2024 陶佳怡 管理學(xué)院/大數(shù)據(jù)管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 牟國(guó)瑜 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 楊志鵬 能源與動(dòng)力工程學(xué)院/強(qiáng)基（核工程與核技術(shù)） 2020/2024 田繼森 航天航空學(xué)院/工程力學(xué) 2020/2024 孫浩然 機(jī)械工程學(xué)院/機(jī)械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2019/2023 王羿淮 管理學(xué)院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學(xué)與工程學(xué)院/材料科學(xué)與工程 2018/2023 四、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專(zhuān)業(yè) 職務(wù)/職稱(chēng) 研究方向 宋忠孝 材料學(xué)院/材料系 教授、博士生導(dǎo)師 核電領(lǐng)域；電化學(xué)、催化、電池領(lǐng)域；器件、封裝領(lǐng)域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領(lǐng)域；輕量化領(lǐng)域硬質(zhì)涂層領(lǐng)域 王小華 電氣學(xué)院/電機(jī)電器及其控制 教授/博導(dǎo)，國(guó)家級(jí)人才計(jì)劃入選者（特聘教授），國(guó)家級(jí)青年人才計(jì)劃入選者（青年學(xué)者），教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才，陜西省青年科技標(biāo)兵。西安交通大學(xué)未來(lái)技術(shù)學(xué)院/現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院副院長(zhǎng)、實(shí)踐教學(xué)中心（工程坊）副主任、教務(wù)處副處長(zhǎng)、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)學(xué)院副院長(zhǎng)，CIGRE開(kāi)關(guān)設(shè)備狀態(tài)評(píng)估工作組成員，中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電器智能化系統(tǒng)及應(yīng)用專(zhuān)委會(huì)委員 開(kāi)關(guān)設(shè)備設(shè)計(jì)、狀態(tài)監(jiān)測(cè)與壽命評(píng)估 田高良 管理學(xué)院/會(huì)計(jì)與財(cái)務(wù) 教授、博士生導(dǎo)師 財(cái)務(wù)預(yù)警；內(nèi)部控制與風(fēng)險(xiǎn)管理；資產(chǎn)評(píng)估；信用管理等 五、項(xiàng)目簡(jiǎn)介 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司是一家專(zhuān)門(mén)從事高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的公司。以先進(jìn)的陶瓷表面金屬化技術(shù)為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結(jié)；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預(yù)制金錫焊料；（7）激光切割等環(huán)節(jié)的完整高端熱沉材料生產(chǎn)體系。公司擁有完整的熱沉材料生產(chǎn)體系，致力于成為“國(guó)產(chǎn)化功率半導(dǎo)體器件熱沉材料領(lǐng)跑者”，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展添磚加瓦。 博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊(duì)在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬(wàn)片，包括各類(lèi)種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無(wú)毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺(tái)烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過(guò)5000平米，含萬(wàn)級(jí)潔凈間。擁有20余臺(tái)研磨拋光設(shè)備、10余臺(tái)燒結(jié)爐、4條臥式連續(xù)鍍膜設(shè)備、5臺(tái)立式鍍膜設(shè)備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設(shè)備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結(jié)、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預(yù)制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經(jīng)建立了完善的產(chǎn)品生產(chǎn)管理及質(zhì)量監(jiān)控體系來(lái)進(jìn)行管控，完成了包括ISO9001、14001等認(rèn)證，并不斷完善產(chǎn)品檢測(cè)設(shè)備及手段，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。 公司積極進(jìn)行產(chǎn)品迭代和技術(shù)儲(chǔ)備，在高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域有著二十余年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。中國(guó)科學(xué)院院士孫軍教授和國(guó)家萬(wàn)人計(jì)劃領(lǐng)軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學(xué)家領(lǐng)銜公司技術(shù)研發(fā)，進(jìn)行陶瓷金屬化和半導(dǎo)體封裝基板領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的探索。潘遠(yuǎn)志帶領(lǐng)公司與西安交通大學(xué)表面工程國(guó)際研發(fā)中心、金屬材料強(qiáng)度國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作進(jìn)行前沿技術(shù)開(kāi)發(fā)，團(tuán)隊(duì)與蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、高新區(qū)共同設(shè)立蘇州思萃材料表面應(yīng)用技術(shù)研究所，是公司的技術(shù)支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數(shù)千萬(wàn)融資交割，公司投后估值逾2億元。

采用紅外光譜和拉曼光譜技術(shù)，克服了GaN中強(qiáng)烈的剩余射線帶相關(guān)反射區(qū)導(dǎo)致的測(cè)量難題，實(shí)驗(yàn)中觀察到半絕緣GaN中與C有關(guān)的兩個(gè)局域振動(dòng)模，并結(jié)合第一性原理計(jì)算，給出了C雜質(zhì)在GaN中替代N位的直接證據(jù)，解決了這一長(zhǎng)期存在的爭(zhēng)議問(wèn)題。該成果對(duì)于理解和認(rèn)識(shí)C雜質(zhì)在AlN、BN、ZnO等其他六方對(duì)稱(chēng)化合物半導(dǎo)體材料中的摻雜行為亦具有重要的參考價(jià)值。

本發(fā)明屬于表面工程技術(shù)的應(yīng)用，具體是成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法，在等離子體偏壓反濺清洗過(guò)的表面平整的基片上，以反應(yīng)濺射工藝模式在基片表面沉積成分振蕩金屬氮化物涂層，沉積過(guò)程中，通過(guò)改變N2氣與Ar氣的分流量或分氣壓來(lái)控制濺射氣體中N2氣與Ar氣的含量比，且N2氣與Ar氣的含量比變化曲線隨涂層沉積時(shí)間呈現(xiàn)出周期性變化規(guī)律。本發(fā)明制得的涂層中N元素的含量比沿涂層生長(zhǎng)方向的分布具有振蕩特征；涂層是由多個(gè)亞層組成的多層結(jié)構(gòu)，而每一亞層中N元素含量比的變化呈現(xiàn)梯度分布特征，該涂層具有梯度化與多層化的雙重復(fù)合結(jié)構(gòu)特征。

本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化硅微米管的制備方法，該方法將去除保 護(hù)層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300～600℃的溫度區(qū)間內(nèi) 熱解，使光纖表面形成均勻厚度的碳膜；再將光纖在氮?dú)鈼l件下以 1100～1600℃的溫度區(qū)間高溫加熱，使碳膜與光纖表面的二氧化硅產(chǎn) 生反應(yīng)生成硅，然后硅與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉，形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進(jìn)行混合，使氮化硅微米管增強(qiáng)導(dǎo)電性，然后在其中 加入熱熔型粘結(jié)劑形成混合物，再均勻涂在洗凈的銅箔表面，可得到 氮化

本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術(shù)，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅(qū)動(dòng)IC、不同電壓需求的高壓開(kāi)關(guān)IC、D類(lèi)功率放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC等的研制，滿(mǎn)足照明、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的需求。具體包括： 硅基：（1）超低比導(dǎo)通電阻700V單晶型BCD工藝；（2）600V外延型BCD工藝；（3）1200V外延型BCD工藝；（4）48V高功率BCD工藝；（5）40V高壓雙極型工藝。 SOI基：（1）600V 厚層SOI BCD工藝；（2）650V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（3）300V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（4）200V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（5）100V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（6）40V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（7）-200V SOI高壓CDMOS工藝；（8）-100V SOI高壓CDMOS工藝。

本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術(shù)，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅(qū)動(dòng)IC、不同電壓需求的高壓開(kāi)關(guān)IC、D類(lèi)功率放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC等的研制，滿(mǎn)足照明、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的需求。

北京大學(xué)物理學(xué)院現(xiàn)代光學(xué)所王劍威研究員與意大利羅馬大學(xué)Fabio Sciarrino教授、英國(guó)布里斯托爾大學(xué)Anthony Laing和Mark Thompson教授，受邀在國(guó)際著名刊物《自然-光子學(xué)》（Nature Photonics）上撰寫(xiě)綜述文章，介紹“集成光量子技術(shù)”這一新興領(lǐng)域的基本科學(xué)原理和前沿進(jìn)展。 量子技術(shù)利用量子物理基本原理，通過(guò)操控光或物質(zhì)的量子疊加和量子糾纏等內(nèi)稟屬性，其信息處理能力有望從根本上超越經(jīng)典范疇的信息技術(shù)。集成光量子芯片技術(shù)是一門(mén)結(jié)合了量子物理、量子信息、集成光子學(xué)和微納制造等學(xué)科的前沿交叉技術(shù)，通過(guò)半導(dǎo)體微納加工制造，有望實(shí)現(xiàn)高性能且大規(guī)模集成的光量子器件和系統(tǒng)，達(dá)到對(duì)作為量子信息載體的單光子進(jìn)行高效處理、計(jì)算和傳輸?shù)裙δ堋?國(guó)內(nèi)外對(duì)集成光量子芯片技術(shù)的研究取得許多重要進(jìn)展 2008年，國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了基于二氧化硅平面光波導(dǎo)體系的量子受控糾纏門(mén)和量子干涉，開(kāi)創(chuàng)了集成光量子芯片領(lǐng)域的先河。在過(guò)去十年間，國(guó)內(nèi)外對(duì)集成光量子芯片技術(shù)的研究,取得了許多重要進(jìn)展，目前已實(shí)現(xiàn)了片上光量子態(tài)的制備、量子操控以及單光子探測(cè)等核心功能，并且器件集成度和功能復(fù)雜度也都得到了大幅度提高。綜述總結(jié)了集成光量子芯片的主流材料體系、核心量子光學(xué)元器件，及其量子信息的前沿應(yīng)用，包括量子密鑰分發(fā)和通信、物理和化學(xué)系統(tǒng)的量子模擬、量子玻色取樣、光量子信息處理和計(jì)算等。 集成光量子芯片的材料體系目前主要采用硅基絕緣體上、鈮酸鋰、激光直寫(xiě)二氧化硅、氮化硅、氮化嫁、磷化銦等光波導(dǎo)材料。核心器件主要包括集成單光子源與糾纏光子源、可編程大規(guī)模集成光路、集成單光子探測(cè)器等，其中量子光源主要有非線性參量型量子光源和固態(tài)量子點(diǎn)型量子光源，而單光子探測(cè)主要通過(guò)超導(dǎo)納米線探測(cè)和過(guò)度邊緣感應(yīng)傳感來(lái)實(shí)現(xiàn)。這些核心光量子集成器件的性能均取得了很大程度的提升。與此同時(shí)，集成光芯片平臺(tái)上也已經(jīng)逐漸發(fā)展出一套可以將量子信息精確加載在單光子的路徑、偏振、時(shí)間、空間、頻率等不同自由度的方法，為該技術(shù)的發(fā)展提供了廣闊的便利性和多樣化。 集成光電子器件在經(jīng)典通信系統(tǒng)中一直起著舉足輕重的作用，可以預(yù)期其也將在量子密鑰分發(fā)和量子通信中起到重要作用，特別是微小型、低成本、高性能的量子通信收發(fā)芯片的發(fā)展，將有助于進(jìn)一步降低成本、提高可靠性，推進(jìn)其實(shí)用化進(jìn)程。目前，量子通信的幾種主要協(xié)議，包括制備-測(cè)量類(lèi)的通信協(xié)議以及基于糾纏分布和量子隱形傳態(tài)類(lèi)的協(xié)議等，已先后在硅基、磷化銦、氮化硅等光子芯片上得到實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。另外，全集成型量子真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器也有很多實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)，并有望在不遠(yuǎn)的將來(lái)提供微小型、高速和低成本的真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器。 量子線路模型和基于測(cè)量的單向量子計(jì)算模型是實(shí)現(xiàn)通用量子計(jì)算的主流模型。光學(xué)量子計(jì)算的線路模型實(shí)現(xiàn)方案存在擴(kuò)展性困難，但基于測(cè)量的光量子計(jì)算可以大大降低需要的物理資源，并可實(shí)現(xiàn)通用量子計(jì)算。在可編程的光量子芯片平臺(tái)上，目前已成功實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了Shor因數(shù)分解算法、Grover搜尋算法、優(yōu)化算法等重要算法，并可在單一芯片實(shí)現(xiàn)多種復(fù)雜量子信息處理功能。近年來(lái)，片上制備并操控復(fù)雜量子態(tài)，包括高維量子態(tài)、多光子糾纏態(tài)、圖糾纏態(tài)等，均已在硅基和二氧化硅等平臺(tái)實(shí)現(xiàn)。值得一提的是，集成光量子芯片的高可編程性、高穩(wěn)定性、高保真度，為通用量子計(jì)算的實(shí)現(xiàn)提供了基礎(chǔ)。 量子玻色取樣和量子模擬被認(rèn)為是量子計(jì)算的短期實(shí)現(xiàn)目標(biāo)和重要應(yīng)用方向。觸發(fā)型玻色取樣和基于量子點(diǎn)光源的玻色取樣，被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)具備“量子優(yōu)勢(shì)”的玻色取樣量子計(jì)算的有效技術(shù)方案，有望超越經(jīng)典計(jì)算機(jī)計(jì)算能力，其中前者已實(shí)現(xiàn)芯片上量子光源和線性網(wǎng)絡(luò)的全集成，而后者最近在中科大發(fā)布的一個(gè)論文預(yù)印本中報(bào)道了20光子60模式玻色取樣的重要突破。集成光量子芯片體系已實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了離散型和連續(xù)型的量子漫步功能，并可用于模擬復(fù)雜的物理和生物過(guò)程。同時(shí)，集成光量子模擬器也成功驗(yàn)證了多種典型的量子模擬算法，有望有效地模擬化學(xué)分子動(dòng)力學(xué)過(guò)程。

水是工業(yè)生產(chǎn)的主要媒介之一，在生產(chǎn)過(guò)程中既作為工藝介質(zhì)，又作為輔助介質(zhì)，因此應(yīng)用十分廣泛，但由于以前水價(jià)偏低，致使企業(yè)不重視節(jié)水工作，不但用水量較大，同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生大量的廢水，既增加了企業(yè)廢水處理的成本，又污染了環(huán)境。從2011年開(kāi)始，國(guó)家又一次提高了污水的排放標(biāo)準(zhǔn)，與此同時(shí)，江蘇地區(qū)還重新修訂了工業(yè)企業(yè)的用水定額，對(duì)企業(yè)的用水與排水提出了更高的要求。針對(duì)于此，本課題組面向火力發(fā)電、鋼鐵、造紙、紡織印染、化學(xué)工業(yè)與石油化工等行業(yè)，在綜合企業(yè)現(xiàn)有水系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，采用水夾點(diǎn)優(yōu)化技術(shù)開(kāi)發(fā)了集成節(jié)水技術(shù)，通過(guò)對(duì)水系統(tǒng)進(jìn)行節(jié)水改造，通過(guò)提高水的重復(fù)利用率及廢水的深度處理與再生回用，可大大減少企業(yè)的新水用量和廢水排放量，降低企業(yè)的運(yùn)行成本，減小環(huán)境治理的壓力。  本課題組可承接各種節(jié)水技術(shù)改造的工藝與設(shè)備設(shè)計(jì)、設(shè)備安裝調(diào)試等。

成果簡(jiǎn)介隨著 LED 制造技術(shù)的發(fā)展， LED 應(yīng)用已經(jīng)從顯示設(shè)備的背光照明領(lǐng)域發(fā)展到了民用照明領(lǐng)域， 越來(lái)越多的 LED 已被應(yīng)用在汽車(chē)、 路燈、 民用以及舞臺(tái)燈光等各種照明場(chǎng)合。 驅(qū)動(dòng)電源性能是體現(xiàn) LED 整體性能的關(guān)鍵， 保證 LED 驅(qū)動(dòng)電源具有小巧、 長(zhǎng)壽命、 高可靠性等優(yōu)點(diǎn)是未來(lái) LED 驅(qū)動(dòng)電源的發(fā)展方向。本項(xiàng)目設(shè)計(jì)的是采用擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能功率變換器作為主電路， 將AC-DC 電源和驅(qū)動(dòng)芯片的功能合二為一， 在實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正的同時(shí)， 保證 LED