本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術(shù)，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅(qū)動IC、不同電壓需求的高壓開關(guān)IC、D類功率放大器、電機驅(qū)動IC等的研制，滿足照明、工業(yè)控制、汽車電子、電機驅(qū)動、消費電子等領(lǐng)域的需求。具體包括： 硅基：（1）超低比導(dǎo)通電阻700V單晶型BCD工藝；（2）600V外延型BCD工藝；（3）1200V外延型BCD工藝；（4）48V高功率BCD工藝；（5）40V高壓雙極型工藝。 SOI基：（1）600V 厚層SOI BCD工藝；（2）650V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（3）300V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（4）200V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（5）100V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（6）40V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（7）-200V SOI高壓CDMOS工藝；（8）-100V SOI高壓CDMOS工藝。