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一種氮化硅微米管制造方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.gxf2npi.xyz
關(guān)鍵詞：
氮化硅微米管
所屬領(lǐng)域:
項目成果/簡介:
本發(fā)明公開了一種氮化硅微米管的制備方法，該方法將去除保 護(hù)層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300～600℃的溫度區(qū)間內(nèi) 熱解，使光纖表面形成均勻厚度的碳膜；再將光纖在氮氣條件下以 1100～1600℃的溫度區(qū)間高溫加熱，使碳膜與光纖表面的二氧化硅產(chǎn) 生反應(yīng)生成硅，然后硅與氮氣發(fā)生反應(yīng)在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉，形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進(jìn)行混合，使氮化硅微米管增強導(dǎo)電性，然后在其中 加入熱熔型粘結(jié)劑形成混合物，再均勻涂在洗凈的銅箔表面，可得到 氮化
項目階段:
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