寬禁帶半導(dǎo)體?ZnO?和?AlN?單晶生長技術(shù)
中試階段/n作為第三代半導(dǎo)體的核心基礎(chǔ)材料之一的 ZnO 晶體既是一種寬禁帶半導(dǎo)體,又 是一種具有優(yōu)異光電性能和壓電性能的多功能晶體。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的科 研人員研究掌握了一種生長高質(zhì)量、大尺寸 ZnO 單晶材料的新型技術(shù)方法-化學(xué)氣 相傳輸法(CVT 法)。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元組合化合物是制造波長為 190nm-350nm 的發(fā)光器件和新型大功率電子器件的基礎(chǔ)材料。AlN 具有高熱導(dǎo)率 (3.4W/cmK),與高 Al 組份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12