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一種冠突散囊菌株及其應用
本發明公開了一種冠突散囊菌株及其應用，冠突散囊菌株(Eurotium cristatum)于2016年的10月13日保藏于北京的中國微生物菌種保藏管理委員會普通微生物中心，保藏編號為CGMCCNo.13173；冠突散囊菌株是從茯磚茶中分離出的；冠突散囊菌株用于制備冠突散囊菌株微生物制劑。本發明的冠突散囊菌株微生物制劑具有抗氧化作用(具有清除DPPH自由基的作用、清楚超氧陰離子作用、具有還原作用)，抑菌作用(抑制大腸桿菌、枯草芽孢桿菌、金黃色葡萄球菌、銅綠假單胞菌、腸沙門氏菌)，以及抑制乙酰膽堿酯酶活性作用。
青島農業大學
2021-04-13
可吸收單向壓縮性腸腸吻合器
可吸收單向壓縮性腸腸吻合器，包括第一通管部分和第二通管部分；第一通管部分相對第二通管部分前后移動，并且第一通管部分和第二通管部分不可分離；第一通管部分和第二通管部分分別包括大端和小端，大端用于固定腸管，第二通管部分的小端套設在第一通管部分的小端內；兩個大端大小一致，當第一通管部分相對第二通管部分移動時，兩個大端靠攏實現腸腸端端吻合；第一通管部分和第二通管部分的小端端部的圓環外側具有逐漸擴大的彈性喇叭狀開口，當第一通管部分相對第二通管部分合攏或展開時，兩端的彈性喇叭狀開口展開或被擠壓在第一通管部分和第二通管部分的大端內。本實用新型吻合的兩段腸管相對靜止，免去了其它組裝方式吻合時需要調整的麻煩。
浙江大學
2021-04-13
新型ZnO 異質結太陽能電池
項目簡介： 本項目將 ZnO 薄膜同時作為太陽電池材料及透明導電材料與AlN 等薄膜構成異質結太陽能電池。項目目前開展了比較廣泛的模擬研究及部分實驗研究，已
西華大學
2021-04-14
一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發明公開了一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內電極依次層壓生成，其中所述 內電極材質為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發明 具有以下有益效果：（1）本發明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發明采用賤金屬 Ni 為內電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統的固相燒 結方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學
2021-04-14
一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發明公開了一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內電極依次層壓生成，其中所述 內電極材質為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發明 具有以下有益效果：（1）本發明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發明采用賤金屬 Ni 為內電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統的固相燒 結方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學
2021-04-14
楊波
先后在全國重點高校、北京市政府單位和國有金融投資企業擔任管理職務，長期從事文化金融領域的孵化與創投工作，以及公益慈善領域資源整合與資本對接。現任中視澤宜投資創始人。
云上高博會
2022-03-24
李波
李波，中國國籍，山東理工大學副教授，男，漢族，1986年10月出生，吉林四平人，副教授，碩士生導師，2014年1月參加工作，山東理工大學交通與車輛工程學院副院長、山東省青年科技人才托舉工程成員，主要研究方向為新能源汽車動力與傳動 。
李波
2021-12-31
消化道手術縫合用可吸收縫釘吻合器
吻合器已被廣泛應用于臨床各類消化道手術后縫合，用量大，但目前吻合器采用的縫釘材料為鈦合金，手術后縫釘將終身存在在人體內。本研究成果“消化道手術縫合用可吸收縫釘吻合器”，采用的是基于自主研發的高強度鎂合金微細絲材及可控降解涂層技術的具有革命性可吸收功能新型縫釘，能在體內組織完成修復和再生過程后自行降解，避免長期存在于體內帶來的生物安全隱患，同時，能夠有效避免術后的體內異物感及心理陰影，減輕患者痛苦，解決了患者在未來難以進行核磁共振等醫療檢查的問題，避免了需要二次手術取出帶來的痛苦和經濟壓力，特別是能克服傳統鈦釘不降解帶來的縫合部位組織增生形成疤痕組織，并造成術后腔道狹窄等問題，臨床推廣便利，市場前景巨大。產品具有原始性創新性，已完成動物實驗和生物相容性檢測。研究團隊在可吸收吻合器縫釘新產品與新技術開發方面已申請了10余國家發明專利，從鎂合金熔煉、成分設計、可吸收鎂合金絲材加工、可降解保護涂層、到吻合器用可吸收縫釘的制作等關鍵技術環節都有很好的發明專利保護。
東南大學
2021-04-13
一種具有非極性吸收層的紫外探測器
本發明公開了一種具有非極性吸收層的紫外探測器，包括：自下而上依次設置的襯底、ＡｌＮ中間層、非摻雜ＡｌＧａＮ緩沖層、ｎ型ＡｌＧａＮ層、非極性ＡｌｘＧａ１?ｘＮ／ＡｌｙＧａ１?ｙＮ多量子阱吸收分離層、非摻雜ＡｌｚＧａ１?ｚＮ倍增層、ｐ型ＡｌＧａＮ層，在ｐ型ＡｌＧａＮ層上設置的ｐ型歐姆電極，在ｎ型ＡｌＧａＮ層上設置的ｎ型歐姆電極，其中０（ｘ（ｙ（ｚ（１。本
東南大學
2021-04-14
寬禁帶半導體?ZnO?和?AlN?單晶生長技術
中試階段/n作為第三代半導體的核心基礎材料之一的 ZnO 晶體既是一種寬禁帶半導體，又 是一種具有優異光電性能和壓電性能的多功能晶體。中國科學院半導體研究所的科 研人員研究掌握了一種生長高質量、大尺寸 ZnO 單晶材料的新型技術方法-化學氣 相傳輸法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元組合化合物是制造波長為 190nm-350nm 的發光器件和新型大功率電子器件的基礎材料。AlN 具有高熱導率 （3.4W/cmK），與高 Al 組份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中國科學院大學
2021-01-12