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可以量產(chǎn)/n該項目帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發(fā)展；線性度高，模擬通信不失真；動態(tài)范圍大，激光輸出功率高，相對強度噪聲低。可靠性高，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。市場預期：該項目產(chǎn)品主要應用領(lǐng)域是通信，目前國內(nèi)市場需求大于300億人民幣。隨著國家寬帶戰(zhàn)略的實施和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。

內(nèi)容介紹： 本項目圍繞探測器用CdZnTe晶體的制備與開發(fā)應用，釆用改進的垂直 布里奇曼技術(shù)，通過合理設計成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優(yōu)化的晶體生長和退火改性工藝，生長出滿足探測器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對X射線和y射線等不同能量射線檢測及應用的要求， 解決了探測器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測器用CdZnTe晶片的篩選機制和生產(chǎn)線

本發(fā)明公開了一種微環(huán)波導器件，包括微環(huán)諧振腔、直波導、第一支架、第二支架和襯底；其中，第一支架用于支撐直波導，第二支架用于支撐微環(huán)諧振腔，以使微環(huán)諧振腔與直波導懸空；微環(huán)諧振腔與直波導相互耦合；外部注入的光場通過直波導耦合進入微環(huán)諧振腔中，滿足微環(huán)諧振條件的光場在微環(huán)諧振腔中激發(fā)出聲場，通過懸空的微環(huán)諧振腔將產(chǎn)生的聲場限制在微環(huán)諧振腔中進行傳輸，進而產(chǎn)生前向布里淵效應；本發(fā)明提供的這種懸空的微環(huán)波導器件具有布里

微納米光纖，具有一系列獨特的優(yōu)點：大的消逝場；高的非線性，極低的損耗；容易彎曲成環(huán)等不同的幾何形狀。我校在本應用領(lǐng)域主要研究選擇合適的光纖材料和介質(zhì)棒材料，探討微納光纖在生物、通信、傳感和激光等領(lǐng)域的應用：優(yōu)化微納光纖探針的設計，制備低成本的超短的極低損耗的微納光纖探針用于低功率粒子捕獲；制備基于單環(huán)諧振器的傳感器；制備基于多環(huán)諧振器的應用型器件如高靈敏度微傳感器或者可調(diào)諧器件等，探討其它新型的應用。理論上主要研究微納光纖諧振器的線性和非線性特性，對

1：電子式壓力控制器 內(nèi)容：專用于按壓力信號對制冷系統(tǒng)實施的各種控制。（1）電子式數(shù)字顯示，數(shù)字設定（2）微電腦控制器（3）可以對壓縮機進行運行，保護及調(diào)節(jié)方面的控制，如：壓縮機正常啟、停控制，高低壓力保護，油路控制，壓縮機制冷能力的程度控制（4）適用于各種制冷劑，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）針對

小試階段/n本發(fā)明涉及一種Si3N4/SiCW復相結(jié)合SiC耐火材料及其制備方法。其技術(shù)方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質(zhì)硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結(jié)合劑，攪拌均勻，機壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時；干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成，隨爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復相結(jié)合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時；然后升溫至在1

太赫茲（THz）科學技術(shù)既是重大的基礎科學問題，也是國家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學技術(shù)的發(fā)展及應用。本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。本項目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關(guān)速率達到0.1ms的太赫茲開關(guān)、調(diào)制速率達到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開關(guān)速率達到5MHz，空間調(diào)制面積達到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎；(4)提出極化約束實現(xiàn)太赫茲波導低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽А迸c“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導實現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達到了實用化的要求。 這一研究成果既加深了對THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識別和應用成像的多個關(guān)鍵科學問題。本項目成果的實施，可望實現(xiàn)載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達探測、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請國家發(fā)明專利22 項，已授權(quán)專利7 項，獲得教育部自然科學一等獎1項。跟國內(nèi)外綜合比較，本項目的研究成果總體上處于國際先進水平，對推動太赫茲科學快速進入實際應用領(lǐng)域具有重要的科學意義。

本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。

隨著集成電路工藝的進步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢下，將可控硅ESD防護器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護器件來泄放靜電電荷以保護柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導體工藝的靜電保護（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進行觸發(fā)NMOS導通，NMOS的導通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導通，NMOS導通后，其導通電流觸發(fā)晶閘管SCR導通。晶閘管電流（SCR current）導通大部分ESD 電流，從而實驗了ESD保護。

本項目以制備超快高儲能柔性器件為導向，建立基于界面納米復合材料的新技術(shù)。通過水熱法和電化學方法在柔性導電基底上構(gòu)建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復合電極，作為正極；通過水熱法和熱處理法在柔性導電基底上生長多孔氧化鐵納米復合材料，作為負極，組裝全固態(tài)薄膜器件。利用納米復合材料的多方面優(yōu)勢加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進而達到超快高儲能的目的。基于納米復合材料的全固態(tài)薄膜器件可展現(xiàn)出超快充電能力（10 V/s），比常規(guī)電容器的充電時間快10-100倍。這是國際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級電容器研究領(lǐng)域的一個重大突破。此外，本項目以開發(fā)超快超柔儲能器件為導向，開發(fā)了一種熱力學誘導自發(fā)組裝和原位摻雜結(jié)合碳熱還原的方法來實現(xiàn)石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統(tǒng)石墨烯材料縱向物質(zhì)傳輸差的局限。通過控制碳熱溫度，可以調(diào)節(jié)石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統(tǒng)石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結(jié)構(gòu)使得其作為電極材料時擁有更大的比表面積，而且電解質(zhì)離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。