內容介紹: 本項目圍繞探測器用CdZnTe晶體的制備與開發應用,釆用改進的垂直 布里奇曼技術,通過合理設計成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量,探 索了優化的晶體生長和退火改性工藝,生長出滿足探測器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對X射線和y射線等不同能量射線檢測及應用的要求, 解決了探測器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題,建立了探測器用CdZnTe晶片的篩選機制和生產線