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一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納
華中科技大學
2021-04-14
兩親性Pt(II)配合物氣致發(fā)光變色性質及存儲器件
通過click反應設計合成了一類具有兩親性的磺酸根三齒Pt(II)配合物，這類配合物對VOC的刺激響應具有高度的選擇性。在水蒸氣和各種醇蒸氣分子（甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等）之間具有迅速的變色和發(fā)光響應性行為，并進一步制備成薄膜，利用醇蒸氣實現(xiàn)了快速寫入?擦除功能。在溶液體系中，通過調控溶劑的組成，實現(xiàn)了配合物動態(tài)組裝?解組裝?重新組裝的過程。研究組與香港大學任詠華教授合作，進一步制備了存儲器件，閾值電壓為3.4V，開關比可達105，保持時間達104s，具有良好的二進制存儲性能。
中山大學
2021-04-13
針對下一代功率半導體GaN器件的高頻柵驅動電路設計技術
上限低，可反向導通，dv/dt擾動和di/dt擾動等。該項成果設計出適用于N型常關GaN器件的半橋柵驅動電路，通過分離充放電路徑避免柵驅動電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對柵驅動電路的干擾；同時利用高端柵極鉗位技術，在自舉充電路徑中對BOOT電容進行鉗位，防止對上開關管的損壞。 半橋GaN柵驅動電路主要指標為： ？ 獨立的高側和低側TTL邏輯輸入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉電流 ？ 高端浮動電壓軌到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉電阻 ？ 快速的延遲時間 (28ns typ) ？ 非常優(yōu)越的延時匹配（1.5ns typ）
電子科技大學
2021-04-10
針對下一代功率半導體GaN器件的高頻柵驅動電路設計技術
該項成果設計出適用于N型常關GaN器件的半橋柵驅動電路，通過分離充放電路徑避免柵驅動電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對柵驅動電路的干擾；同時利用高端柵極鉗位技術，在自舉充電路徑中對BOOT電容進行鉗位，防止對上開關管的損壞。
電子科技大學
2021-04-10
稀土摻雜非磁過渡金屬對“鐵磁/非磁”納米自旋泵浦器件的磁性調控
成果介紹鐵磁（FM）/非磁（NM）結構的雙層膜中發(fā)現(xiàn)的自旋泵浦（spin pumping）效應是磁學和自旋電子學中的一個突破性發(fā)展，因此吸引了眾多的研究興趣。它和鐵磁層自旋極化電流相關，同時又和非磁層的自旋軌道耦合有直接聯(lián)系。本項目采用具有較高的自旋軌道耦合系數(shù)的稀土金屬調制非磁層，運用鐵磁共振和輸運兩種方法，并結合結構、磁性和同步輻射分析等手段，研究不同稀土摻雜對鐵磁/非磁過渡-稀土合金（Py/NM-RE）復合納米雙層膜的結構和界面的影響，得到自旋泵浦強度、界面混合電導以及非磁層的自旋軌道耦合強度和自旋擴散長度的調控規(guī)律。從而探索該復合納米雙層膜中的界面自旋泵浦效應和非磁層自旋軌道耦合對自旋動力阻尼的影響機制。這些研究結果將有利于開發(fā)新型復合磁性材料和新型強自旋-軌道耦合的非磁材料，有利于集成多功能自旋器件。
東南大學
2021-04-11
清華大學集成電路學院任天令團隊在柔性聲學器件領域取得重要進展
清華大學集成電路學院任天令教授團隊報道了一種基于微結構襯底的MXene聲學傳感器，用于模仿人耳膜的功能來實現(xiàn)聲音的探測與識別。
清華大學
2022-04-01
一種基于單分子器件平臺的單分子電學檢測新方法和新技術
利用硅基單分子器件研究了分子馬達水解的動力學過程，發(fā)現(xiàn)了無標記的電學檢測方法觀察到的分子馬達的轉動速度要比熒光標記的方法快一個數(shù)量級（ACS Nano 2018, 11, 12789）以苯環(huán)為骨架、芴基為核心的共軛分子，并在末端修飾上氨基，通過穩(wěn)定的酰胺鍵將帶有羰基官能團的功能分子連接在石墨烯電極之間，通過使用自主搭建的高速電學測試平臺對化學反應進行了實時監(jiān)測。大的共軛結構以及酰胺共價鍵的強耦合保證了分子具有良好的導電性；在化學反應進行的過程中，分子結構的變化將導致分子軌道發(fā)生改變，從而影響導電通道，影響器件的電導特性。
北京大學
2021-04-11
一種基于單分子器件平臺的單分子電學檢測新方法和新技術
研制了國際首例穩(wěn)定可逆的單分子光開關器件（ Science , 2016 , 352 , 1443; J. Phys. Chem. Lett. , 2017 , 8 , 2849）；觀察到了低溫下聯(lián)苯基團由于σ單鍵的旋轉產生的精細立體電子效應（ Nano Lett. , 2017 , 17 , 856）；研究了分子間主客體相互作用的動力學過程（ Sci. Adv ., 2016 , 2 , e1601113），揭示了羰基和羥胺反應形成酮肟的分子機制（ Sci. Adv. , 2018 , 4 , eaar2177），證實了利用單分子電學檢測方法研究單分子反應動力學的可行性，為實現(xiàn)單分子化學反應的可視化研究邁出了重要的一步。他們利用硅基單分子器件實現(xiàn)了具有單堿基對分辨率的DNA雜交/脫雜交動力學過程的研究（ Angew. Chem. Int. Ed. , 2016 , 55 , 9036）；在單分子水平上揭示了分子馬達水解的動力學過程（ ACS Nano , 2018 , 11 , 12789），展現(xiàn)了單分子器件在單分子生物物理研究方面的可靠性。
北京大學
2021-04-11
曲面光學結構的多電荷耦合器件組 自適應成像儀及方法
南京工程學院
2021-04-13
一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制 備方法。該制備方法適用于制備三維半導體存儲器的 U 型溝道：采用 雙離子束沉積技術，一束離子轟擊靶材，使材料原子發(fā)生溢出，原子 沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無法覆 蓋深孔頂部，從而確保三維半導體存儲器件 U 型溝道的完整形成。U 型溝道的半導體存儲器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸 面積，同時U型半導體存儲器件的NAND串可以包
華中科技大學
2021-04-14