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研發(fā)階段/n內(nèi)容簡介：納米線碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管涉及一種新型功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)。結(jié)合微電子技術(shù)工藝，構(gòu)造用納米線碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。它具有高速、耐苛刻環(huán)境、低導(dǎo)通電阻等一系列特點(diǎn)，廣泛用于數(shù)字電子技術(shù)等領(lǐng)域。本產(chǎn)品獲得一項(xiàng)專利，專利號：200510018701.9。

本發(fā)明涉及糠醛催化加氫技術(shù)，旨在提供一種鉑/碳納米管催化劑的制備及在糠醛催化加氫中的應(yīng)用。該催化劑的制備過程包括：取碳納米管放入濃硝酸室溫下進(jìn)行超聲和加熱攪拌回流處理，冷卻后取出浸泡、洗滌和抽濾，直至濾液中性；然后干燥備用；氯鉑酸稀溶液中加入處理過的碳納米管載體，在室溫下等體積浸漬、靜置后；磁力攪拌和溫水浴條件下蒸干水分后干燥；在使用之前，將催化劑置于氮?dú)浠旌蠚夥罩懈邷剡€原，得到鉑負(fù)載量為1.0wt％的鉑/碳納米管催化劑。本發(fā)明方法工藝簡單，操作方便，能耗低，反應(yīng)中不需要加熱，且所用氫氣壓力較低。能在室溫條件下對糠醛進(jìn)行加氫，轉(zhuǎn)化率和選擇性較高。催化劑多次使用后仍能保持高活性，且基本不積碳。

專利名稱：

本實(shí)用新型公開了一種由傳輸管連接壓縮裝置與回?zé)崞鞯牡蜏刂评錂C(jī)，包括依次連接的回?zé)崾綁嚎s裝置、傳輸管、預(yù)冷換熱器、低溫段回?zé)崞鳌⒒責(zé)崞骼涠藫Q熱器、連接管、脈管冷端換熱器、脈管以及調(diào)相機(jī)構(gòu)，還包括：低溫制冷模塊，用于向所述預(yù)冷換熱器提供預(yù)冷量；絕熱區(qū)域，用于將所述預(yù)冷換熱器與環(huán)境溫度隔絕；本實(shí)用新型用傳輸管代替高溫段回?zé)崞鬟B接室溫端的回?zé)崾綁嚎s裝置與低溫端的預(yù)冷換熱器，減小回?zé)崞鲗?dǎo)熱損失、氣固換熱損失和聲功損失，提高低溫制冷機(jī)的效率。

本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納

碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導(dǎo)電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡單，備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導(dǎo)體薄膜、量子點(diǎn)等材料相比，碳納米管-硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備p-n結(jié)的熱擴(kuò)散工藝，小面積時(shí)無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導(dǎo)電性和載流子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點(diǎn)。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管-硅還是石墨烯-硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實(shí)際應(yīng)用還比較遙遠(yuǎn)。

碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導(dǎo)電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡單，備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導(dǎo)體薄膜、量子點(diǎn)等材料相比，碳納米管 - 硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備 p-n結(jié)的熱擴(kuò)散工藝，小面積時(shí)無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導(dǎo)電性和載流子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點(diǎn)。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管 - 硅還是石墨烯 - 硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實(shí)際應(yīng)用還比較遙遠(yuǎn)。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????

安全無污染 全封閉式設(shè)計(jì)；觀察窗口采用歐洲CE標(biāo)準(zhǔn)防護(hù)玻璃；切割產(chǎn)生煙塵內(nèi)部過濾處理，達(dá)標(biāo)排放，無污染； 交換平臺(tái) 15s交換工作臺(tái)；采用上下高低交換臺(tái)，變頻器控制交換電機(jī)， 機(jī)床最快15S完成交換。 夾持設(shè)計(jì) 前后采用氣動(dòng)卡盤夾持設(shè)計(jì)，自動(dòng)調(diào)整中心，操作簡單，對角線調(diào)節(jié)范圍20~300mm。 可加工超大直徑管材，卡盤旋轉(zhuǎn)速度高，能提升加工效率。

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