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研發(fā)階段/n本發(fā)明涉及一種利用親水改性無機填料作致孔劑制備多孔膜的方法，該方法是在成膜過程中使用水或水溶液將親水改性的無機填料以固體狀態(tài)從聚合物膜中析出得到多孔膜的方法，該親水改性的無機填料是使用能溶于水且能與無機填料形成配位鍵或氫鍵的聚合物或小分子化合物改性制備的，其特征在于，該方法包括如下工序：無機填料的親水改性工序，該親水改性工序可以在配制膜液前完成或在膜液配制過程中完成；使用水或水溶液作為凝膠浴在浸沒沉淀相轉(zhuǎn)化的成膜過程中將親水改性的無機填料以固體狀態(tài)從膜中析出的工序。這種方法制膜時不僅可以

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。

本發(fā)明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復(fù)使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應(yīng)用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉(zhuǎn)化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優(yōu)點。

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)

簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的

技術(shù)特點及優(yōu)勢 1、對現(xiàn)有的用于污水處理的膜進行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現(xiàn)有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對MBR結(jié)構(gòu)進行了改進，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關(guān)鍵物質(zhì)的接觸，可以極大緩解膜污染問題； 3 、采用的廉價耐污染膜材料，延長膜的使用壽命，降低運行成本； 4 、控制反應(yīng)器微生物處于內(nèi)源呼吸期，反應(yīng)器中能有效建立細菌—原生動物—后生動物微生態(tài)系

本發(fā)明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法。傳統(tǒng)的機器視覺采圖后擺動氣缸翻轉(zhuǎn)，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機構(gòu)吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線重合，因此翻轉(zhuǎn)后也會有誤差。本發(fā)明主要解決這兩個誤差的計算和補償方法，實現(xiàn)熱壓頭上表面的準(zhǔn)確貼片。本發(fā)明基于現(xiàn)有的 GDL 熱壓裝備實現(xiàn)，首先對相機進行標(biāo)定，標(biāo)定兩個相機各自的像素坐標(biāo)系和世界坐標(biāo)系的關(guān)系，分別根據(jù)是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線

本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及 應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用

本發(fā)明屬于柔性膜質(zhì)量檢測設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種適用 于對移動中的柔性膜執(zhí)行標(biāo)識的多自由度打標(biāo)裝置，包括支撐組件、 傳動組件、動力組件、打標(biāo)針組件和記號筆組件，其中支撐組件可實 現(xiàn)打標(biāo)裝置的機械連接，同時還具有導(dǎo)向和位置調(diào)節(jié)的功能；動力組 件為打標(biāo)裝置提供可控的動力，傳動組件可適于在運動中多自由度地 驅(qū)動打標(biāo)針組件和記號筆組件，并提供高精度的打標(biāo)操作；打標(biāo)針組 件和記號筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標(biāo)記，并檢測標(biāo)記 是否成功完成。通過本發(fā)明，在高速運動過程中也能夠高精度、穩(wěn)定 可靠地執(zhí)行打標(biāo)操作，而且反應(yīng)靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標(biāo) 簽之類對表面標(biāo)識質(zhì)量高的運用場合。