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摻雜型石墨烯負載PtRu合金納米電催化劑
小試階段/n本成果屬于燃料電池催化劑技術(shù)領(lǐng)域。具體涉及一種摻雜型石墨烯負載PtRu合金納米電催化劑及其制備方法。直接甲醇燃料電池具有結(jié)構(gòu)簡單、低溫啟動速度快、燃料廉價易得、清潔無污染、比能量高和能量轉(zhuǎn)換效率高等特點，有望成為未來便攜式電子產(chǎn)品以及電動汽車、飛機等化石能源替代品。Pt是已知的對甲醇電氧化催化活性較好、使用較廣泛的催化劑，然而其存在成本過高易CO中毒等問題。采用PtRu合金、以摻雜型石墨烯為載體作為直接甲醇燃料電池陽極催化劑，能有效提高催化劑的活性和利用率。本成果克服了現(xiàn)有技術(shù)缺陷，提供
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
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一種石墨烯片上可調(diào)電感及其制造方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯片上可調(diào)電感及其制造方法，包括石墨烯線圈層、絕緣介質(zhì)層、電極控制 層、以及襯底，石墨烯線圈層為片上電感的主體部分，設(shè)于襯底上方；絕緣介質(zhì)層覆蓋在石墨烯線圈層 上；電極控制層位于絕緣介質(zhì)層上并處于石墨烯線圈正上方；通過電極控制層在石墨烯線圈上施加可變 柵壓，石墨烯線圈層的電感值隨之發(fā)生改變；首先在催化膜上生長出層狀石墨烯；然后將層狀石墨烯轉(zhuǎn) 移至襯底上；將石墨烯膜圖形化成石墨烯電感線圈；在石墨烯電感線圈上淀積一層的絕緣介質(zhì)層
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種石墨烯/Cu/Ni 復(fù)合電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復(fù)合電極及其制備方法。復(fù)合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發(fā)生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴散形成，Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3～10)。本發(fā)明避免了石 墨烯轉(zhuǎn)移過程和圖形化過程對石墨烯質(zhì)量的破壞，減少了石墨烯缺陷 的數(shù)目，通過調(diào)整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度，采用分段
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種石墨烯/Cu/Ni 復(fù)合電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復(fù)合電極及其制備方法。復(fù)合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發(fā)生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴散形成，Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3～10)。本發(fā)明避免了石 墨烯轉(zhuǎn)移過程和圖形化過程對石墨烯質(zhì)量的破壞，減少了石墨烯缺陷 的數(shù)目，通過調(diào)整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度，采用分段
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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可磁性分離回收的石墨烯復(fù)合二氧化鈦光催化劑及其制備方法
本發(fā)明涉及一種可磁性分離回收的石墨烯復(fù)合二氧化鈦光催化劑及其制備方法。通過兩步水熱法合成，首先將石墨烯與磁性顆粒復(fù)合制備成磁性石墨烯，再與水熱法合成的二氧化鈦納米顆粒復(fù)合，制備出三元復(fù)合光催化劑，該催化劑由石墨烯、二氧化鈦、納米磁性顆粒三部分組成，磁性納米顆粒負載于石墨烯片層上形成磁性石墨烯，具有較大的比表面積，同時具有磁性；金紅石型二氧化鈦具有三維有序納米結(jié)構(gòu)，負載于磁性石墨烯片層上，形成磁性分離的石墨烯復(fù)合金紅石型二氧化鈦光催化劑，該催化劑具有大比表面積，納米顆粒具有磁性，可分離回收，具有高效催化性能。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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氧化鐵石墨烯復(fù)合材料在電化學(xué)能源存儲和轉(zhuǎn)化領(lǐng)域的研究
氧化鐵石墨烯復(fù)合材料目前涉及的電化學(xué)方面的應(yīng)用包括鋰離子電池、超級電容器和燃料電池。氧化鐵（包括Fe3O4，α-Fe2O3和γ-Fe2O3）是制作電化學(xué)器件非常有前途的材料，不僅具有成本低、無毒性、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點，還具有較高的理論電容量。但在實際使用時又因為自身導(dǎo)電性的不足以及反應(yīng)的循環(huán)穩(wěn)定性差等問題受到了限制。石墨烯因其具有超高的比表面積，較高的導(dǎo)電性，優(yōu)異的化學(xué)和熱力學(xué)穩(wěn)定性，以及獨特的光、熱、機械性能，成為了非常合適作為制作電化學(xué)能源存儲和轉(zhuǎn)化器件的材料。負載氧化鐵在石墨烯上，不僅能夠彌
天津大學(xué)
2021-04-14
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CdZnTe高能射線探測材料與器件
內(nèi)容介紹： 本項目圍繞探測器用CdZnTe晶體的制備與開發(fā)應(yīng)用，釆用改進的垂直 布里奇曼技術(shù)，通過合理設(shè)計成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優(yōu)化的晶體生長和退火改性工藝，生長出滿足探測器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對X射線和y射線等不同能量射線檢測及應(yīng)用的要求， 解決了探測器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測器用CdZnTe晶片的篩選機制和生產(chǎn)線
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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氧化石墨烯增強超高性能混凝土的開發(fā)和應(yīng)用
本技術(shù)采用先進的氧化石墨烯分散技術(shù)，實現(xiàn)了氧化石墨烯在超高性能混凝土的可控分散，進而制備出超高韌性、超高耐久的水泥基材料。本技術(shù)通過從納微觀尺度上對水泥基材料水化產(chǎn)物的改性，克服了傳統(tǒng)水泥基材料本質(zhì)上脆性行為的弊端，產(chǎn)品能夠在嚴苛的服役環(huán)境中長期（大于 100 年）保持優(yōu)異的服役狀態(tài)。同時，相比于現(xiàn)有的納米混凝土改性技術(shù)，本技術(shù)使用的納米外加劑-氧化石墨烯制備工藝簡單，價格優(yōu)勢明顯，改善效果更為顯著，使該產(chǎn)品具有較大的經(jīng)濟優(yōu)勢。
青島理工大學(xué)
2021-04-22
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借助石墨烯實現(xiàn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長
北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術(shù)發(fā)展和國防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點，Si襯底上外延GaN成為近年來學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現(xiàn)標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對當(dāng)前國際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價值。
北京大學(xué)
2021-04-11
合肥研究院高結(jié)晶石墨烯宏觀體研究獲進展
近期，中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所研究員王振洋團隊在高結(jié)晶石墨烯宏觀體的共價生長及其電學(xué)行為調(diào)制方面取得系列進展。
合肥物質(zhì)科學(xué)研究院
2023-07-10