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半導體輔材用多晶
硅
中碳、氮雜質的分離去除技術
伴隨著我國半導體行業的迅速崛起,硅電極作為光刻設備上承載硅基圓的重要輔材,其需求日趨增加。同時,基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉變為多晶硅電極,然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質的污染,導致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質顆粒夾雜,嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。 傳統制備技術下,設備熱場結構單一,熔體流動性差,導致SiC、Si3N4雜質循環溶解—析出,難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術去除硅中的蒸發性雜質(P、 O、N);利用電子束誘導實現多晶硅的定向凝固,進而分離硅中的金屬雜質;基于電子束冷床效應分離硅中的SiC、Si3N4硬質顆粒,并揭示硬質顆粒與硅基體間的位相關系;基于上述研究開發出了多晶硅電極的制備工藝,可應用于刻蝕等半導體制造等領域。 本項目預期可以為半導體行業中硅電極生產制造企業提供穩定的技術支持,具有很好的生產示范性,實現高新技術產業化。該技術能夠有效地降低生產過程中的能耗,是一種低成本、環境友好的生產方法,屬于節能、環保的綠色制造技術。該技術的大規模應用和推廣,可大幅增加就業崗位,提高企業的市場競爭力,保護環境。
大連理工大學
2021-05-10
硅
基微納結構調控太陽光譜提升光伏器件效率的研究
擁有人工微結構科學與技術協同創新中心、固體微結構物理國家重點實驗室、半導體節能器件及材料國家地方聯合工程中心以及江蘇省光電信息功能材料重點實驗室等科研平臺,在硅基納米結構材料與性能調控,硅基光子學器件和新型能源器件等基礎研究領域具有很強的影響力。近年來,在硅基太陽能電池片研發及其新型結構材料在電池片上應用等方面開展了全方位的研究,承擔完成了國家重點基礎研究發展計劃課題和國家自然科學基金重點項目等相關課題的研究。提出了漸變帶隙的納米硅量子點電池結構,利用漸變帶隙進一步拓寬電池的響應光譜范圍,發展了包
南京大學
2021-04-14
多晶
硅
生產冷氫化工藝加熱合成反應關鍵技術裝備
實現多晶硅生產冷氫化工藝過程工程化的關鍵加熱系統裝置;降低成本40%,減少能耗2/3。8000小時以上無故障穩定運行加熱合成反應器關鍵技術。
常州大學
2021-04-14
一種
硅
太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法
本發明公開了一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法, 包括以下步驟:將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液;將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液;在攪 拌的情況下,將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液,反應一段時間;靜置,沉 淀得到銀粉。本發明通過引入瓜爾豆膠為反應離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑,在液相化學還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉,并兼顧
華中科技大學
2021-04-14
基于 SiCx 織構的
硅
量子點浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發明公開了一種基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性半導 體存儲器及其制備方法,包括硅襯底,在硅襯底上摻雜形成的源導電 區和漏導電區,以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層;所述電荷存儲層包括 SiCx 織構和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構中的硅量子點。本發明有效利用硅 量子點-SiCx 織構間的隧穿勢壘,構成了控制柵氧化層-SiCx 織構-Si 量子點-SiC
華中科技大學
2021-04-14
一種有機
硅
型海洋防污涂料基料及其制備方法和應用
本發明公開的有機硅型海洋防污涂料基料,它的結構如式(1),式中為含有殺菌劑側鏈的有機硅聚氨酯化合物,R為CH2CH3。制備步驟包括:1)氯丙基甲基二甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷反應得到含氯丙基聚硅氧烷;2)將含氯丙基聚硅氧烷、叔胺和含羥基叔胺回流反應,生成含有季銨鹽與羥基的聚硅氧烷;3)將異氰酸酯、二月桂酸二丁基錫和含有季銨鹽與羥基與溶劑混合,加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷進行擴鏈,得到含有交聯基團-Si(OCH2CH3)的預聚體,預聚體在空氣中交聯縮合,即可。本發明的有機硅型基料既有低表面能性能,有很好的疏水性,分子鏈上也有環保型殺菌劑,有很好的殺菌效果,達到很好的海洋防污效果式(1)。
浙江大學
2021-04-13
納米級氧化銦錫
粉
體和高密度ITO靶材的制備
氧化銦錫(indium-tin-oxide)簡稱ITO,ITO靶材是一種功能陶瓷材料,主要用于制造ITO透明導電膜玻璃。以金屬銦、錫為原料采用共沉淀法制備出納米級ITO復合粉體。粉體造粒成型后分別采用加壓和常壓燒結法制備出相對理論密度大于99.5%、氧化銦單一相的ITO靶材。 粉體純度大于99.99%、顆粒分散性好,粒徑10nm—80nm之間可控,BET比表面積30~60m2/g ,In2O3:90.0±0.5%,SnO2: 10.0±0.5%;ITO靶材相對理論密度99.5%。 威海市藍狐特種材料有限公司已采用該技術建設年產20噸納米級氧化銦錫復合粉體生產線,采用該粉體燒制的ITO靶材相對理論密度達到99%以上。國內相對理論密度大于99%的ITO靶材主采用進口產品。 金屬銦、錫是我國的優勢資源,生產設備都是定型通用設備,年產20噸納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的生產廠需要人員50名。納米級氧化銦錫粉體制備已建設年產20噸生產線。高密度ITO靶材的制備已完成實驗室小試。
北京化工大學
2021-02-01
一種二次激發型橙紅色熒光
粉
及其制備方法
本發明涉及一種二次激發型橙紅色熒光粉及其制備方法,屬于發光材料技術領域。熒光粉為Sr1-a-bCa1-x-cAl2-yMexREyO4S:aEu2+,bDy3+,cTm3+。式中Me為Zn、Cd、Mg中至少一種,RE為Ga、Zn、Ge、Si中至少一種;其中0
四川大學
2021-04-11
一種二次激發型橙黃色熒光
粉
及其制備方法
本發明涉及一種二次激發型橙紅色熒光粉及其制備方法,屬于發光材料技術領域。熒光粉為Sr1-a-bCa1-x-cAl2-yMexREyO4S:aEu2+,bDy3+,cTm3+。式中Me為Zn、Cd、Mg中至少一種,RE為Ga、Zn、Ge、Si中至少一種;其中0
四川大學
2021-04-11
一種二次激發型黃綠色熒光
粉
及其制備方法
本發明涉及一種二次激發型黃綠色熒光粉及其制備方法,屬于發光材料技術領域。熒光粉的組成為Srx-a-cAl3+2x-zY5-b-yREyMzO12+4x:aEu2+,bCe3+,cDy3+,其中RE為Tb、Gd、Lu中的至少一種;M為Ga、Zn、Ge、Si中的至少一種;0
四川大學
2021-04-11
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