网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

本發(fā)明公開了一種光功率分束器，包括襯底以及在襯底上自下 而上依次排列的包層、下導波層和上導波層；上導波層為圖形層，沿 水平面上向右方向依次刻蝕有輸入波導、準直透鏡、光束整形透鏡組、 相移光柵、傅里葉變換透鏡、第一相位補償結(jié)構(gòu)、直流分量相移器、 第二相位補償結(jié)構(gòu)和輸出波導陣列；其中，準直透鏡、光束整形透鏡 組、相移光柵、傅里葉變換透鏡、第一相位補償結(jié)構(gòu)、直流分量相移 器和第二相位補償結(jié)構(gòu)的厚度相同；輸入波導和輸出波導陣

本發(fā)明公開了一種多光束分束器，其特征在于，所述多光束分 束器為柱狀光波導，所述光波導的橫截面為等邊多邊形，邊數(shù)為 L； 工作時，待分束的光束與光波導的主軸呈銳角，從光波導的一端入射， 入射后的光束在所述光波導內(nèi)經(jīng)光波導不同的側(cè)面多次全部反射，最 終均勻分成多束子光束從光波導另一端出射。本發(fā)明提供的多光束分 束器，結(jié)構(gòu)簡單，分束均勻，尤其是能實現(xiàn)奇數(shù)份均勻分束，光損耗 小，可實現(xiàn)分光器復用，并可應用于光通信、光檢測等領

本發(fā)明公開了一種多光束分束器，其特征在于，所述多光束分 束器為柱狀光波導，所述光波導的橫截面為等邊多邊形，邊數(shù)為 L； 工作時，待分束的光束與光波導的主軸呈銳角，從光波導的一端入射， 入射后的光束在所述光波導內(nèi)經(jīng)光波導不同的側(cè)面多次全部反射，最 終均勻分成多束子光束從光波導另一端出射。本發(fā)明提供的多光束分 束器，結(jié)構(gòu)簡單，分束均勻，尤其是能實現(xiàn)奇數(shù)份均勻分束，光損耗 小，可實現(xiàn)分光器復用，并可應用于光通信、光檢測等領

用于CO2分離的膜技術在天然氣、沼氣的凈化，三次采油中的CO2回收，密閉空間中的CO2 脫除以及減輕溫室效應等領域有廣闊的應用性前景。與傳統(tǒng)的CO2分離技術相比，膜分離方法具有投資少，能耗低，環(huán)境友好，設備簡單緊湊、節(jié)約空間、高效靈活、易于操作等優(yōu)點，而且CO2濃度越高，膜法分離越經(jīng)濟，即使CO2濃度低于5%，用膜法的費用也僅為吸收法的64.7%。可以用于脫除酸性氣體的膜主要有液膜、無機膜和高分子膜，實際應用中滿足氣體分離要求的目前只有高分子膜。但普通的高分子膜也存在高的滲透性和選擇性不能兼得的缺點。含有固定載體的促進傳遞膜兼具液膜和普通高分子膜的優(yōu)勢，能同時具有高的分離系數(shù)和透過速率，而且穩(wěn)定性好，是一類很有發(fā)展前途的氣體分離膜，已引起國際上研究者們的極大關注。本研究成果合成了幾種對CO2具有促進傳遞作用的固定載體膜材料，通過載體與CO2的相互作用促進CO2在膜內(nèi)的傳遞，因而具有較高的滲透選擇性。同時由于載體是以化學鍵固定在高分子上，因此具有很好的穩(wěn)定性。本成果以自主開發(fā)的固定載體膜材料為分離層，以多種材質(zhì)的超濾膜為基膜，制備了用于CO2分離的固定載體復合膜。所研制的復合膜，其CO2/CH4透過分離性能處于世界領先水平。

該系統(tǒng)基于FT-IR技術收集微生物細胞的紅外吸收光譜，通過該系統(tǒng)附帶的軟件對這些指紋圖譜進行分析計算，便可完成對微生物的精準分型。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 該系統(tǒng)基于FT-IR技術收集微生物細胞的紅外吸收光譜，通過該系統(tǒng)附帶的軟件對這些指紋圖譜進行分析計算，便可完成對微生物的精準分型，具有廣闊的市場前景，目前僅有德國布魯克公司推出了相關產(chǎn)品—IR Biotyper。 紅外光譜微生物分型系統(tǒng)NBU-Microbe Typer 成果優(yōu)勢與特點： 國內(nèi)首臺，國際第二臺； 準確，紅外指紋圖譜技術，可實現(xiàn)微生物亞種級別分型； 可靠，整機密閉式設計，有效排除水分干擾，譜圖更精準； 快速，3小時內(nèi)可完成96個樣本采樣及分析； 簡單，微生物樣本無需提取蛋白及核酸等，培養(yǎng)后直接涂菌進行檢測； 智能，全自動化采集及數(shù)據(jù)處理，無需人工駐守； 便宜，成本遠低于MLST、PFGE、WGS等分子檢測方法； 靈活，96或48孔樣品板可選。

產(chǎn)品詳細介紹產(chǎn)品簡介：　　 MicroMR系列2MHz多維核磁共振巖心分析儀是一款多功能巖心分析設備，不僅可滿足石油勘探領域的孔隙度、滲透率、飽和度、可動流體飽和度、束縛流體飽和度等相關分析測試，還可提供二維擴散測量。加入擴散系數(shù)后可將弛豫時間無法區(qū)分的信息明顯區(qū)分出來，測試結(jié)果客觀真實、精準度高、重復性好，儀器性能穩(wěn)定，性價比高。技術指標：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強度磁場強度：0.055±0.01T，儀器主頻率約：2MHz；3、探頭線圈直徑：25.4mm；4、擴散梯度；應用解決方案：1、常規(guī)巖心孔隙結(jié)構(gòu)及流體飽和度；2、二維擴散測試應用案例一：一維T2分布、D分布應用案例二：二維D-T2分布注：儀器外觀如有變動，以產(chǎn)品技術資料為準。

XM-614大腦分葉模型 ? XM-614大腦分葉模型可拆分為2部件，大腦作正中矢狀切面，左側(cè)大腦半球作水平切面，并剖開顳葉顯示間腦，小腦作矢狀剖面，按不同功能部位進行定位，并用顏色加以區(qū)別。 尺寸：自然大，21.5×17×14cm 材質(zhì)：PVC材料

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺相關參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數(shù)、壓力均獨立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發(fā)明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術領域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優(yōu)選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質(zhì)材料、鎵酸鑭基電解質(zhì)材料在浸潤性能、熱膨脹系數(shù)和化學穩(wěn)定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。