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生產(chǎn)發(fā)泡聚丙烯的關(guān)鍵難點在于通用聚丙烯的熔體強度極低，在發(fā)泡過程中包裹不住氣 體，而產(chǎn)生熔體破裂，不能發(fā)泡或發(fā)泡倍率很低。此外，發(fā)泡聚丙烯的生產(chǎn)方式和品種主要分 為擠出發(fā)泡聚丙烯、珠粒發(fā)泡聚丙烯以及注塑發(fā)泡聚丙烯三種，所有這些發(fā)泡聚丙烯都需要采 用高熔體強度聚丙烯作為原料才可能得到?？僧?dāng)今采用齊格勒-納塔催化劑合成的通用大宗聚 丙烯樹脂都屬于線形半結(jié)晶高聚物，未融化之前是堅硬的固體，一旦融化后其熔體就幾乎沒有 強度，無法包裹氣泡形成泡沫材料。要將通用聚丙烯改成高熔體強度，可以包裹氣泡形成泡沫 材料的聚丙烯，世界上目前只有巴賽爾、北歐化工等少數(shù)公司擁有該技術(shù)。 反應(yīng)擠出研究室從2000年即開始了發(fā)泡聚丙烯的研究。分別在聚丙烯分子鏈長枝化、基礎(chǔ) 發(fā)泡理論以及與該理論相應(yīng)的發(fā)泡工藝等幾方面進行了深入的研究。本項目的研究抓住了問題 的核心，首先從聚丙烯分子鏈長枝化方面取得突破，獲得了熔體強度以及可發(fā)性超出國外最優(yōu) 秀產(chǎn)品的長枝化聚丙烯。并且完成了從基礎(chǔ)理論、小試、中試到工業(yè)化技術(shù)路線確定的全過 程。 為了對發(fā)泡聚丙烯發(fā)展進行實質(zhì)性的推動，我們對高熔體強度聚丙烯的下游產(chǎn)品擠出發(fā)泡 聚丙烯 (XPP) 、珠粒發(fā)泡聚丙烯 (EPP) 以及注塑發(fā)泡聚丙烯展開了全面的研究。著重進行了基 礎(chǔ)發(fā)泡理論的研究，特別在建立聚丙烯拉伸黏度與聚丙烯泡沫可發(fā)性之間的對應(yīng)關(guān)系，以及如 何通過工藝技術(shù)實現(xiàn)發(fā)泡過程等方面進行了大量深入的研究。

本發(fā)明公開了一種三氫化鋁表面包覆改性方法，采用原子層沉 積技術(shù)在三氫化鋁粉末表面沉積納米厚度的金屬氧化物或金屬物質(zhì)將 其包覆，以提高三氫化鋁粉末熱穩(wěn)定性，包括，S1：將三氫化鋁粉體 放入腔體內(nèi)并抽真空；S2：加熱腔體到設(shè)定溫度且溫度均勻穩(wěn)定后， 通入流化氣，使三氫化鋁預(yù)分散；S3：原子層沉積反應(yīng)，當(dāng)腔體內(nèi)的 溫度達到 50～130℃時，開始原子層沉積反應(yīng)；S4：重復(fù)多次原子層 沉積反應(yīng)，使粉體表面沉積厚度不斷增長，通過控制沉積反應(yīng)循環(huán)的 次數(shù)從而控制在三氫化鋁粉體表面沉積的金屬氧化物或金屬的厚度，

本發(fā)明公開了一種熒光粉膠的涂覆方法，屬于 LED 封裝領(lǐng)域，其采用壓印方式對 LED 芯片進行熒光粉膠涂覆，包括 S1 將 LED 芯片固定在封裝基板上；S2 將熒光粉膠涂覆在所述 LED 芯片上或者所述壓印塊的端面上，將所述壓印塊與所述 LED 芯片通過壓印方式貼合一起；S3 待熒光粉膠在所述壓印塊和所述 LED 芯片之間穩(wěn)定成形后，對所述熒光粉膠進行固化處理獲得熒光粉層，實現(xiàn)熒光粉膠的涂覆。本發(fā)明方法操作簡單，成本低，可靈活控制熒光粉膠形貌，從而提升LED封裝光色一致性，其封裝成本低，可大規(guī)模應(yīng)用在工業(yè)中進行LED封裝。

熒光粉涂覆是大功率白光LED的關(guān)鍵技術(shù)，也是保障LED發(fā)光效率、光均勻性和散熱效果的關(guān)鍵工藝。目前，國內(nèi)大功率LED封裝熒光粉涂覆普遍采用點膠工藝，該工藝難以對熒光粉的涂覆厚度和形狀進行精確控制，導(dǎo)致出射光色彩不一致，出現(xiàn)偏藍光或者偏黃光。在廣東省新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)重大專項支持下，華南理工胡躍明團隊經(jīng)過多年技術(shù)攻關(guān)，自主發(fā)明和研制了系列基于霧化噴涂機理的全自動熒光粉高均勻涂覆機，為國內(nèi)首創(chuàng)。該系列機型采用多頭霧化涂覆和自適應(yīng)熒光粉涂敷厚度控制技術(shù)，實現(xiàn)了熒光粉的高速高均勻涂覆，保障了光色的均勻性。

本發(fā)明公開了一種三氫化鋁表面包覆改性方法，采用原子層沉積技術(shù)在三氫化鋁粉末表面沉積納米厚度的金屬氧化物或金屬物質(zhì)將其包覆，以提高三氫化鋁粉末熱穩(wěn)定性，包括，S1：將三氫化鋁粉體放入腔體內(nèi)并抽真空；S2：加熱腔體到設(shè)定溫度且溫度均勻穩(wěn)定后，通入流化氣，使三氫化鋁預(yù)分散；S3：原子層沉積反應(yīng)，當(dāng)腔體內(nèi)的溫度達到 50～130℃時，開始原子層沉積反應(yīng)；S4：重復(fù)多次原子層沉積反應(yīng)，使粉體表面沉積厚度不斷增長，通過控制沉積反應(yīng)循環(huán)的次數(shù)從而控制在三氫化鋁粉體表面沉積的金屬氧化物或金屬的厚度，實現(xiàn)三氫化鋁粉體

傳統(tǒng)熱成形用 22MnB5 鋼加熱溫度高（950℃左右），氧化嚴(yán)重，一般需要涂鍍鋁硅涂層來防止高溫氧化，增加成本，同時此鋼的淬透性較低，需要較高的冷卻速率才能保證馬氏體轉(zhuǎn)變，對熱成形模具的裝備要求高。本團隊開發(fā)了一種新型的熱沖壓成形用抗氧化超高強鋼板，可以實現(xiàn)低溫?zé)岢尚危?50℃左右），同時通過成分優(yōu)化提高鋼板本身的防高溫氧化性能，在熱成形過程中可以不用涂鍍鋁硅涂層，表面不產(chǎn)生氧化皮，節(jié)能降耗。同時該鋼板的淬透性好，在空冷狀態(tài)的冷速下就可以完成馬氏體相變，對熱成形模具的裝備要求低，可以降低成本。該鋼板在熱沖壓成形工藝過程中鋼板氧化增重＜0.5g/m2，氧化層厚度≤8μm，經(jīng)熱成形后屈服強度≥1400MPa，抗拉強度≥1700MPa，總延伸率≥10%，力學(xué)性能優(yōu)于傳統(tǒng)熱成形用 22MnB5 鋼，可用于汽車安全結(jié)構(gòu)件及其他高強韌構(gòu)件。

成果描述：10GPa以上的超高壓靜態(tài)壓縮條件將可使絕大多數(shù)高強度金屬及陶瓷材料進入整體塑性區(qū)，材料內(nèi)部微區(qū)偏壓力分布趨向穩(wěn)定，并意味著其壓縮行為數(shù)據(jù)在外推至更高壓力區(qū)間時的可靠性顯著提高。然而，發(fā)展與堆源相匹配的大腔體超高壓原位中子衍射技術(shù)，要求在設(shè)計原理、關(guān)鍵技術(shù)及關(guān)鍵部件的研制上進行創(chuàng)新。本成果針對堆源中子散射譜儀，研究適用于原位子中子衍射的大腔體超高壓加載技術(shù)和系統(tǒng)集成技術(shù),包括大尺寸多晶金剛石復(fù)合壓砧研制、壓力加載及控制、高壓腔樣品封裝與壓力標(biāo)定、中子束準(zhǔn)直、衍射樣品的精確定位與控制、衍射信號采集及背底消除等。將通過自行設(shè)計及研制高壓加載關(guān)鍵技術(shù)及部件，并結(jié)合中子粉末衍射譜儀開展系統(tǒng)集成與實驗驗證研究，進一步提升現(xiàn)有的高壓原位中子衍射實驗平臺的樣品環(huán)境壓力區(qū)間，發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的大尺寸多晶金剛石超硬復(fù)合壓砧制備技術(shù)，在1毫米尺寸樣品腔內(nèi)實現(xiàn)約30GPa的超高壓條件，為新一代超高壓原位中子衍射實驗研究平臺的建立提供技術(shù)基礎(chǔ)。研發(fā)和設(shè)計的平臺及配套技術(shù)可以使毫米級樣品在超高壓下進行原位中子衍射，以實現(xiàn)超高壓原位中子衍射技術(shù)的國際領(lǐng)先，并可應(yīng)用到其它中子衍射平臺，快速提升國內(nèi)高壓原位中子衍射平臺的實驗研究能力。本項目所研制的裝置及相關(guān)技術(shù)，將顯著擴展中子探測手段的應(yīng)用領(lǐng)域，可開展對國防材料（包括重金屬材料、含能材料）、能源材料（儲氫材料與氣水合物等）、非晶態(tài)材料（如玻璃、熔體等）、地學(xué)材料（如含水礦物等）與納米材料等在高壓下的結(jié)構(gòu)、性能及行為的研究，并將在廣闊的科學(xué)和工程領(lǐng)域發(fā)揮作用。 另一方面，本成果還將將大腔體二級增壓技術(shù)發(fā)展成為了一種與國產(chǎn)六面頂一級壓腔相兼容的通用嵌入式系統(tǒng)，方便國內(nèi)六面頂大腔體靜高壓裝置的升級。所研制裝置用于合成超硬材料的二級大腔體靜高壓裝置具有自主知識產(chǎn)權(quán)，與國外同類設(shè)備相比具有結(jié)構(gòu)簡單、操作方便、穩(wěn)定可靠、運行成本低等優(yōu)點，可產(chǎn)生40GPa以上高壓、2000K以上高溫，已成為具有明顯技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢的大腔體靜高壓系統(tǒng)，可廣泛應(yīng)用于材料的高溫高壓合成、凝聚態(tài)物質(zhì)在高溫高壓極端條件下的行為與物性研究，并可快速推動我國的大腔體靜高壓技術(shù)邁入世界前列，在高壓物理、地學(xué)研究等領(lǐng)域有相當(dāng)?shù)膰鴥?nèi)外潛在用戶。市場前景分析：本成果所設(shè)計制造的先進大腔體靜高壓裝置具有自主知識產(chǎn)權(quán)，可廣泛應(yīng)用于材料的高溫高壓合成、凝聚態(tài)物質(zhì)在高溫高壓極端條件下的行為與物性研究，并可快速推動我國的大腔體靜高壓技術(shù)邁入世界前列，在高壓物理、地學(xué)研究等領(lǐng)域有相當(dāng)?shù)膰鴥?nèi)外潛在用戶。本成果所研制的裝置及相關(guān)技術(shù)，將顯著擴展中子探測手段的應(yīng)用領(lǐng)域，可開展對國防材料（包括重金屬材料、含能材料）、能源材料（儲氫材料與氣水合物等）、非晶態(tài)材料（如玻璃、熔體等）、地學(xué)材料（如含水礦物等）與納米材料等在高壓下的結(jié)構(gòu)、性能及行為的研究，并將在廣闊的科學(xué)和工程領(lǐng)域發(fā)揮作用。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：新型一級大腔體靜高壓裝置適用于堆源的原位中子散射，壓力可達到30GPa、溫度1500K，滿足進一步國防研究需求。 二級大腔體靜高壓裝置與國產(chǎn)六面頂一級壓腔相兼容的通用嵌入式系統(tǒng)，方便國內(nèi)六面頂大腔體靜高壓裝置的升級，該二級大腔體靜高壓裝置可產(chǎn)生40GPa以上高壓，及2000K以上高溫。 國內(nèi)領(lǐng)先。

超高清數(shù)字電視系統(tǒng)由清華大學(xué)自主研發(fā)，包括接收、解碼、顯示等系統(tǒng) 設(shè)計和實現(xiàn)。UHDTV 系統(tǒng)用 4K 視頻信 號編碼形成近 50Mbps 的傳輸流，采用 自主創(chuàng)新的 DTMB-A 方案傳輸，傳輸流 接收解復(fù)用、視音頻解碼采用多處理器 并行處理技術(shù)，視頻顯示處理算法采用 硬件實現(xiàn)。所完成的 UHDTV 樣機是國內(nèi)率先完成的超高清數(shù)字電視實時傳輸、 接收、解碼和顯示全系統(tǒng)。