場效應晶體管的制備方法及利用其制備的場效應晶體管
本發明公開了一種利用電流體直寫工藝制備場效應晶體管的方 法,包括:(1)在基板上制備有機半導體薄膜;(2)利用電流體直寫工藝, 在具有半導體薄膜的基板上制備平行的直線纖維;(3)通過電流體直寫 制備與之垂直的平行介電纖維;(4)在基板上真空沉積金屬;(5)在介電 纖維兩端涂覆導電銀漿,引出柵電極。本發明還公開了相應的產品。 本發明的方法利用介電微納纖維得到晶體管溝道,溝道長度尺寸與纖 維直徑尺寸相當,能夠達到亞微米甚至納米級,同時該纖維也是晶體 管的絕緣層。另外通過一次金屬真空沉積,可同時形成場效應
華中科技大學
2021-04-14