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主要技術指標 （1）．工作溫度：≤500℃ （2）．工作壓力：≤20MPa（表壓） （3）、規格；25、50、100、200、500、800ml。另可根據用戶需求定做。 （4）.操作方法                   1、高壓水熱合成反應釜用全不銹鋼材料，外殼材質為304材質。 2、高壓水熱合成反應釜使用溫度在500度以下，500度以下；工作壓力≤20MPa 3、高壓水熱合成反應釜采用硬密封的原理，不會泄漏。 4、高壓水熱合成反應釜使用時將法蘭上的螺栓松開，溶液杯取出溶液裝入杯中，然后放在釜體內，將上蓋密封槽與杯體上密封球面裝在一起，注意：把緊螺栓時要對立面把緊，用力要均勻。不要一次性將任何一個螺栓把緊，當對立面螺栓均勻用力把緊時，再用力將所有螺栓對面把緊，方可進行操作升溫。 5、高壓水熱合成反應釜當溫度達到要求時，準備取出溶液杯將螺栓對立面均勻松開，不允許一次性將任何一個螺栓全松開，那樣會損傷上蓋密封槽和杯體上端密封面。 6、高壓水熱合成反應釜注意保護杯體上端密封球面，不能有磕、碰傷，或其它污物。 7、高壓水熱合成反應釜使用時注意清理上蓋密封槽內的雜物，不能有污物和雜質，如不清理干凈使用時會泄漏。 8、高壓水熱合成反應釜上蓋外端中心帶有密封絲堵，它是用來檢驗溶液杯密封進氣試壓接口。日常或使用過程中，不要將它打開，防止泄漏。 9、高壓水熱合成反應釜在使用過程中，如有泄漏現象返廠修復。   有下列情形的，不在保修范圍。 （1）釜體磕、碰變形或嚴重損傷。 （2）溶液杯體上端密封球面有磕、碰傷痕 （3）釜體上蓋密封槽有磕、碰劃傷等。

磁流變液是一種機敏材料，在外加磁場的作用下，液體的粘度發生很大的變化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且連續可控。運用磁流液可以制作磁流變剎車、離合器、減振器和阻尼器等高科技磁液變元器件，它們可以用于車輛懸掛系統，土木工程結構抗震、減振及大型能量動力設備的基礎隔振等方面。此外磁流變阻尼器還可用于制成無級可調式健身器材。我們針對磁流變減振器具有很大的阻尼力，且

已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規FinFET 漏電降低1 個數量級，驅動電流增大2 倍，驅動性能在低電源電壓下達到國際先進水平。由于替代了傳統的源漏SiGe 外延技術，與極小pitch 的大規模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術價值。

成果創新點 1.在光學微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進 而完善的實施方案，并申請了相關發明專利。現有晶體微 腔 Q 值國內最高水平 106，國外達到 109，本項目可優于 108， 從而達到國內領先，國際先進水平。 2.在光學微腔器件應用方面，研發例如超窄線寬激光 器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激 光技術

1.在光學微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進而完善的實施方案，并申請了相關發明專利。現有晶體微腔 Q 值國內最高水平 106，國外達到 109，本項目可優于 108，從而達到國內領先，國際先進水平。 2.在光學微腔器件應用方面，研發例如超窄線寬激光器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激光技術）等小型化器件的技術原理和實現方案。與常規產品相比，體積可縮小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2個量級，成本可下降 80%。成果可實現的光學微腔器件主要指標：研制出光學晶體微腔，Q 值優于 108，根據用戶要求研制小型化應用模塊。

博志金鉆技術團隊在磁控濺射領域深耕二十余年，目前已經實現氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產，三英寸陶瓷覆銅板月產能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。 一、項目進展 已注冊公司運營 二、企業信息 企業名稱 蘇州博志金鉆科技有限責任公司 企業法人 潘遠志 注冊時間 2022/3/31 注冊所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機構代碼 91610131MA712U7Q06 經營范圍 一般項目：技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術研發；新材料技術推廣服務；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設備制造；通信設備制造；光通信設備制造；雷達及配套設備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷售；金屬基復合材料和陶瓷基復合材料銷售；合成材料銷售；有色金屬合金銷售；半導體器件專用設備制造；新型陶瓷材料銷售；電子元器件零售；電子元器件批發；泵及真空設備制造；泵及真空設備銷售；通用設備制造（不含特種設備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產專用設備制造；電子專用材料研發；電子專用材料制造；特種陶瓷制品銷售；半導體器件專用設備銷售；集成電路設計；機械設備租賃；租賃服務（不含許可類租賃服務）（除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動） 企業地址 江蘇省 蘇州高新區長亭路8號大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號創業投資合伙企業（有限合伙）天使輪1000萬元 2022/03/22蘇州融享進取創業投資合伙企業（有限合伙）preA輪2500萬元 三、負責人及成員 姓名 學院/所學專業 入學/畢業時間 潘遠志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學部/自動化 2020/2024 陶佳怡 管理學院/大數據管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 牟國瑜 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 楊志鵬 能源與動力工程學院/強基（核工程與核技術） 2020/2024 田繼森 航天航空學院/工程力學 2020/2024 孫浩然 機械工程學院/機械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2019/2023 王羿淮 管理學院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學與工程學院/材料科學與工程 2018/2023 四、指導教師 姓名 學院/所學專業 職務/職稱 研究方向 宋忠孝 材料學院/材料系 教授、博士生導師 核電領域；電化學、催化、電池領域；器件、封裝領域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領域；輕量化領域硬質涂層領域 王小華 電氣學院/電機電器及其控制 教授/博導，國家級人才計劃入選者（特聘教授），國家級青年人才計劃入選者（青年學者），教育部新世紀優秀人才，陜西省青年科技標兵。西安交通大學未來技術學院/現代產業學院副院長、實踐教學中心（工程坊）副主任、教務處副處長、創新創業學院副院長，CIGRE開關設備狀態評估工作組成員，中國電工技術學會電器智能化系統及應用專委會委員 開關設備設計、狀態監測與壽命評估 田高良 管理學院/會計與財務 教授、博士生導師 財務預警；內部控制與風險管理；資產評估；信用管理等 五、項目簡介 蘇州博志金鉆科技有限責任公司是一家專門從事高功率半導體封裝材料研發生產的公司。以先進的陶瓷表面金屬化技術為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預制金錫焊料；（7）激光切割等環節的完整高端熱沉材料生產體系。公司擁有完整的熱沉材料生產體系，致力于成為“國產化功率半導體器件熱沉材料領跑者”，為我國半導體產業發展添磚加瓦。 博志金鉆技術團隊在磁控濺射領域深耕二十余年，目前已經實現氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產，三英寸陶瓷覆銅板月產能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過5000平米，含萬級潔凈間。擁有20余臺研磨拋光設備、10余臺燒結爐、4條臥式連續鍍膜設備、5臺立式鍍膜設備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經建立了完善的產品生產管理及質量監控體系來進行管控，完成了包括ISO9001、14001等認證，并不斷完善產品檢測設備及手段，確保產品質量穩定。 公司積極進行產品迭代和技術儲備，在高功率半導體封裝材料研發生產領域有著二十余年研發經驗。中國科學院院士孫軍教授和國家萬人計劃領軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學家領銜公司技術研發，進行陶瓷金屬化和半導體封裝基板領域關鍵技術的探索。潘遠志帶領公司與西安交通大學表面工程國際研發中心、金屬材料強度國家重點實驗室合作進行前沿技術開發，團隊與蘇州市產業技術研究院、高新區共同設立蘇州思萃材料表面應用技術研究所，是公司的技術支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數千萬融資交割，公司投后估值逾2億元。

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成果描述：新型半水-二水濕法磷酸系統（NHDP），可生產40%高濃度磷酸，副產潔凈的高強半水石膏，磷礦適用性強，磷收率高。是濕法磷酸生產的重要進展。 其主要工藝性能為大量雜質在反應過程中被分離，生產線將副產潔白的高強度α半水石膏，此石膏可直接用于建筑材料，如做建筑石膏粉，石膏板等。還可以進一步加工成無水石膏晶須，作為紙張，塑料生產的原料。磷酸濃度可達到40%，省去了蒸發濃縮過程。因而從根本上改變了現有濕法磷酸生產過程。同時可以實現伴生稀土原礦的初次富集。已建2萬噸P2O5/年生產裝置。市場前景分析：目前國內濕法磷酸生產均用普通二水工藝，產能約1000萬噸P2O5，磷石膏污染較大，采用新工藝消除磷石膏污染是迫切需要解決的問題與同類成果相比的優勢分析：國際領先 □

        技術成熟度：技術突破         傳統CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測、存儲、處理等多個分立系統構成，不可避免的增加了集成電路的復雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲器件、存算一體化技術及人工神經網絡等領域有著巨大應用潛力。         研發團隊發展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統人工視聽覺系統在容量、集成度、速度等方面的技術瓶頸問題，是實現高效智能視聽覺傳感系統的基礎。研發團隊首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽覺系統中模擬了速度檢測的多普勒頻移信息處理，進而實現高通濾波和處理具有相對時序和頻移的尖峰數據。這些結果為視聽覺運動感知的模擬提供了新機會，促進了其在未來神經形態傳感領域的應用。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持