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碳化硅微粉的提純工藝要求實時在線監測提純罐中微粉溶液的溫度、液位、攪拌機時間等參量；如果分別選購市場上已有的數字化測溫儀、液位計和攪拌機運動監測（如轉速）儀表分別監測相關參量，還需另外選購工業控制計算機（車間環境溫度夏季高達50℃以上，普通PC機無法勝任），以便把測溫儀、液位計和（攪拌機）運動監測的信號實時采集和存儲。此方案不僅成本高，而且占用車間生產、物流空間較多，將對車間正常生產帶來嚴重影響；為此（受連云港樂園磨料磨具有限公司委托）我們以增強型嵌入式微控制器AT89S52為核心，自行設計研制了集提純罐溶液溫度、液位、攪拌機監測與提純工藝管理于一體的智能化多參量監測儀。該儀器支持時下流行的在系統編程（In-SystemProgramming）下載技術，便于今后的程序升級；采用液晶顯示器和鍵盤作為人機接口；采用Flash存儲器AT29C010A作數據備份之用；采用一主多從的方式通過RS-485總線協議實現分布式結點與上位機的通信，具有良好的抗干擾能力。

已有樣品/n在微電子所的技術支持和協助下，株洲中車時代電氣股份有限公司國內首條6英寸碳化硅（SiC）芯片生產線順利完成技術調試，廠務、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發與制造。與其他半導體材料相比，SiC 具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿場強，以及高熱導率等優異物理特點，是新一代半導體電力電子器件領域的重要發展趨勢。

本發明公開了一種基于碳化硅的半導體斷路開關的制備方法， 包括以下步驟：以碳化硅作為 N⁺襯底，在其上依次外延 生長摻磷的 N 基區、摻鋁的 P 基區以及摻硼的重摻雜 P⁺ 區；在所形成的器件兩端分別加工形成陰極電極和陽極電極；采用機 械切割斜角的方法執行臺面造型和涂膠保護，由此完成半導體斷路開 關的制備過程；本發明還公開了采用該方法制得的兩

公司主營業務為第三代化合物半導體材料，當前產品為 6 寸碳化硅晶體、襯底，未來可拓展至設備和外延技術領先。公司創始人在碳化硅行業有15年以上經驗，曾任國際知名碳化硅襯底企業Norstel高級研發工程師，回國后任世紀金光研發副總，獲得北京市特聘專家等榮譽，擔任國家01專項6寸碳化硅襯底項目負責人，研發出6寸襯底，具備豐富的長晶和設備經驗，是國內為數不多的幾個掌握碳化硅技術的人員之一。碳化硅半導體材料行業前景廣闊，國內碳化硅材料處于起步階段，落后于國外，能量產的企業很少，6寸襯底都還沒實現量產，有技術的新企業仍然有機會。公司團隊技術領先，研發出6寸襯底，創始人在行業內知名度高，行業人脈豐富，下游多家器件廠商愿意采購產品形成戰略合作，具備量產6寸襯底能力。點擊上方按鈕聯系科轉云平臺進行溝通對接！

小試階段/nZrB2-SiC陶瓷材料具有耐高溫、抗氧化燒蝕、抗沖刷、室溫及高溫力學性能良好等優異性能，是超高溫應用領域最具潛力的候選材料，有望用于高超聲速長時飛行、大氣層再入、跨大氣層飛行、火箭推進系統及熔煉電極、熔煉坩堝等極端熱化學環境中。現有的硼化鋯-碳化鋯超細復合粉體的制備技術存在以下不足：成本高、反應溫度高、過程不易控制、工藝過程復雜、產率低、合成粉體的純度較低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和粉體顆粒容易團聚等，極大地限制了硼化鋯-碳化鋯超細復合粉體的產業化生產。本發明旨在克服現有技術的不足，目的

研發階段/n內容簡介：納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管涉及一種新型功率半導體器件制造技術。結合微電子技術工藝，構造用納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管。它具有高速、耐苛刻環境、低導通電阻等一系列特點，廣泛用于數字電子技術等領域。本產品獲得一項專利，專利號：200510018701.9。

一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細粉的高溫碳氮化反應制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過篩。此法工藝簡單,成本較低,較一般碳熱還原法節約能源,容易實現規模化工業生產。通過控制反應溫度、保溫時間、氮氣壓力(或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達99%以上。

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