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成果簡(jiǎn)介本項(xiàng)目在國(guó)家973計(jì)劃、863計(jì)劃等研究成果基礎(chǔ)上，跟蹤國(guó)際趨勢(shì)，形成9**nm 大功率單發(fā)光條半導(dǎo)體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時(shí)。主要優(yōu)勢(shì)：（1 ）填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長(zhǎng)可選。應(yīng)用簡(jiǎn)介所處研發(fā)階段：中試階段適合應(yīng)用領(lǐng)域：直接光加工、

本發(fā)明公開了一種雙波長(zhǎng)可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器，該激光器包括 有源區(qū)、相位區(qū)和光柵區(qū)；從下往上依次附著有第一緩沖層、有源層 和第一覆蓋層，第一緩沖層、有源層和第一覆蓋層構(gòu)成了有源區(qū)；從 下往上依次附著有第二緩沖層、波導(dǎo)層和第二覆蓋層，第二緩沖層、 波導(dǎo)層和第二覆蓋層構(gòu)成了相位區(qū)；從下往上依次附著有第三緩沖層、 光柵層和第三覆蓋層，第三緩沖層、光柵層和第三覆蓋層構(gòu)成了相位 區(qū)；在第一覆蓋層的上表面設(shè)有第一電極，在第二覆蓋層的

本發(fā)明公開了一種激光觸發(fā)真空開關(guān)及其觸發(fā)系統(tǒng)裝置。激光 觸發(fā)真空開關(guān)包括密閉殼體、第一電極主件、第二電極主件。第一電 極主件包括燃弧電極、第一電極法蘭、第一電極平臺(tái)、聚焦鏡。第二 電極主件包括燃弧電極、第二電極法蘭、第二電極平臺(tái)、靶電極。觸 發(fā)系統(tǒng)裝置主要包括計(jì)算機(jī)、轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電路板、激光器和激光觸 發(fā)真空開關(guān)。激光觸發(fā)真空開關(guān)的工作電壓高達(dá) 30kV，工作電流高達(dá) 500kA，不存在以往電脈沖觸發(fā)高壓隔離困難、觸發(fā)穩(wěn)定性差、使用壽 命短等問題，能有效降低激光觸發(fā)能量，改善開關(guān)器件的延時(shí)與抖動(dòng)。觸

本發(fā)明屬于焊接領(lǐng)域，并公開了一種激光-電弧-磁場(chǎng)復(fù)合焊接的 勵(lì)磁移動(dòng)平臺(tái)，包括底座、伺服電機(jī)、水平導(dǎo)軌、支撐平臺(tái)、滾珠絲 杠機(jī)構(gòu)、支架、勵(lì)磁線圈和夾具，伺服電機(jī)和水平導(dǎo)軌均安裝在所述 底座上，支撐平臺(tái)安裝在所述水平導(dǎo)軌上，伺服電機(jī)通過所述滾珠絲 杠機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述支撐平臺(tái)移動(dòng);夾具安裝在所述支撐平臺(tái)上;支架安 裝在所述底座上，并且支架上安裝勵(lì)磁線圈。本發(fā)明的夾具可以實(shí)現(xiàn) 工件的準(zhǔn)確定位及裝夾，通過勵(lì)磁線圈可以實(shí)現(xiàn)焊縫區(qū)域的磁場(chǎng)調(diào)節(jié); 伺服電機(jī)可以保證工件在焊接過程中的勻速移動(dòng)，保證了焊接時(shí)熔池 所處區(qū)域

本發(fā)明屬于柔性電子制造、激光加工領(lǐng)域，具體設(shè)計(jì)一種曲面 打印激光實(shí)時(shí)燒結(jié)固化裝置和方法，該裝置包括打印模塊，觀測(cè)模塊 和激光輸出模塊;所述打印模塊包括高精度微納圖案打印系統(tǒng)、噴印 頭和曲面基板，所述觀測(cè)模塊包括觀測(cè)相機(jī)和相機(jī)移動(dòng)裝置，所述激 光輸出模塊包括一臺(tái)激光器和激光調(diào)節(jié)裝置。本發(fā)明還公開了一種曲 面打印激光實(shí)時(shí)燒結(jié)固化的方法。本發(fā)明利用激光實(shí)時(shí)燒結(jié)工藝可以 完成打印結(jié)構(gòu)的瞬間燒結(jié)、固化，同時(shí)可以通過激光能量密度等工藝 參數(shù)調(diào)節(jié)固化程度，得到可控的截面形狀，從而在曲面上得到理想的 微納結(jié)構(gòu)圖案，

本發(fā)明公開了一種基于激光誘導(dǎo)的 3D 生物打印系統(tǒng)及方法，包括激光陣列產(chǎn)生系統(tǒng)、固定件、三 維移動(dòng)平臺(tái)、實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)和控制中心，其中:激光陣列產(chǎn)生系統(tǒng)，用來產(chǎn)生單束或多束的激光陣列， 且產(chǎn)生的激光陣列照射至透明基板上表面;固定件，用來將透明基

本發(fā)明提出一種星載激光測(cè)高系統(tǒng)在軌檢校方法及系統(tǒng)，在現(xiàn)有的在軌檢校方法的基礎(chǔ)上，根據(jù)已 知地表先驗(yàn)?zāi)Ｐ停⑿禽d激光測(cè)高儀的測(cè)距模型；基于測(cè)距模型，建立系統(tǒng)誤差與測(cè)距殘差的關(guān)系； 利用實(shí)測(cè)距離值與測(cè)距模型計(jì)算距離值生成測(cè)距殘差，利用測(cè)距殘差實(shí)現(xiàn)了對(duì)測(cè)高系統(tǒng)系統(tǒng)誤差中的裝 配誤差及測(cè)距誤差的在軌檢校。本發(fā)明技術(shù)方案能夠很好地檢校系統(tǒng)誤差，避免了姿態(tài)機(jī)動(dòng)。 

5G新基建是國(guó)家的重要發(fā)展戰(zhàn)略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當(dāng)前5G建設(shè)的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對(duì)解決光通信“空芯化”問題，推進(jìn)“中國(guó)芯”國(guó)家重大戰(zhàn)略實(shí)施，保障我國(guó)通信基礎(chǔ)設(shè)施安全具有重要的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規(guī)的DFB激光器面臨嚴(yán)重的高溫高帶寬瓶頸。面對(duì)5G應(yīng)用要求的-40~85℃的寬溫應(yīng)用場(chǎng)景，常規(guī)DFB激光器芯片往往是超頻運(yùn)行，嚴(yán)重影響可靠性。因此，研制全國(guó)產(chǎn)寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時(shí)兼顧低成本高可靠需求對(duì)推進(jìn)“中國(guó)芯”國(guó)家重大戰(zhàn)略實(shí)施具有重要意義。 本成果創(chuàng)新性地提出一種溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器結(jié)構(gòu)，相比較常規(guī)DFB激光器，在脊兩側(cè)對(duì)稱的刻蝕兩個(gè)溝槽。此結(jié)構(gòu)可抑制注入載流子的橫向擴(kuò)散，提高對(duì)光場(chǎng)的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實(shí)測(cè)寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達(dá)到商用需求。同時(shí)，相比較常規(guī)芯片，其制作過程只需多加一步簡(jiǎn)單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時(shí)的老化試驗(yàn)，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。 圖1（a）常規(guī)DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規(guī)芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖 圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規(guī)芯片響應(yīng)曲線對(duì)比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規(guī)芯片響應(yīng)帶寬對(duì)比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線 圖3（a）（b）25℃和85℃下常規(guī)芯片與溝中溝脊芯片2000小時(shí)老化實(shí)驗(yàn)結(jié)果，功率變化小于0.5%

本發(fā)明公開了一種采用激光選區(qū)燒結(jié)工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預(yù)定質(zhì)量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結(jié) 劑及固化劑倒入球磨罐內(nèi)，并進(jìn)行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計(jì)算機(jī)對(duì)待制備的零件進(jìn)行三維數(shù)字建模，并將三維數(shù)字模 型信息輸入到激光選區(qū)燒結(jié)成型機(jī)，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區(qū)燒結(jié)快速成形工藝進(jìn)行粉末燒結(jié)成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對(duì)所述碳化硅素坯進(jìn)行加熱固化；將