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大功率半導體激光器外延與芯片制備

2021-04-14 00:00:00
云上高博會 http://www.gxf2npi.xyz
關鍵詞: 芯片制備
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所屬領域:
電子信息
項目成果/簡介:

成果簡介

本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎上,跟蹤國際趨勢,形成9**nm 大功率單發光條半導體激光器,輸出功率大于12W,壽命1萬小時。

主要優勢:

(1 )填補國內空白。

(2 )易于光纖耦合。

(3 )多種波長可選。

應用簡介

所處研發階段:中試階段

適合應用領域:直接光加工、

項目階段:
試用
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