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一種芯片拾放控制方法
本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對(duì)其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過(guò)程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速,減小了減速過(guò)程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
光電探測(cè)量子芯片產(chǎn)業(yè)化
用于量子保密通信、近紅外探測(cè)成像、高速量子光通信、激光雷達(dá)探測(cè)。 針對(duì)單光子探測(cè)需求，提取關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，通過(guò)多次半導(dǎo)體器件仿真優(yōu)化，最終得到外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。結(jié)合 13 所 自主外延生長(zhǎng)技術(shù)與精準(zhǔn)的鋅擴(kuò)散方案，最終實(shí)現(xiàn)較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經(jīng)成功達(dá)到量子保密通信中單光子探測(cè)需求，并在安徽問天量子技術(shù)有限公司的產(chǎn)品中得到應(yīng)用。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
一種廣譜成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測(cè)芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進(jìn)入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多頂針芯片剝離裝置
本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機(jī)構(gòu)， 安裝于 Z 向升降機(jī)構(gòu)上并連接旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍(lán)膜上芯片的外緣實(shí)現(xiàn)預(yù)頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)， 連接多頂針主體機(jī)構(gòu)，用于先后驅(qū)動(dòng)外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動(dòng)作；Z 向升降機(jī)構(gòu)，安裝于三自由度微調(diào)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)上，停 機(jī)狀態(tài)時(shí)其處于下降位置，工作狀態(tài)其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準(zhǔn)備；三自由度微調(diào)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，用于對(duì)多頂針主體機(jī)構(gòu)進(jìn)行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié)，芯片受力均勻，有效減少剝離過(guò)程中的芯片失效。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對(duì)硅晶圓進(jìn)行局部減薄，對(duì)減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機(jī)械強(qiáng)度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝，相對(duì)于傳統(tǒng)的利用支撐基底來(lái)減薄芯片的方法，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機(jī)械研磨工藝來(lái)進(jìn)行減薄，所以不會(huì)因?yàn)闄C(jī)械研磨對(duì)硅晶圓造成的輕微震動(dòng)而使厚度不能減得過(guò)小，通過(guò)本發(fā)明可以使芯片減薄到比機(jī)械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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大尺寸寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵單晶襯底產(chǎn)業(yè)化技術(shù)
在大尺寸寬禁帶/半導(dǎo)體單晶襯底外延設(shè)備、材料生長(zhǎng)等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國(guó)內(nèi)第一臺(tái)用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統(tǒng)，研究發(fā)展了獲得高質(zhì)量GaN襯底所需的所有關(guān)鍵技術(shù)并擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在氮化鎵單晶襯底設(shè)備和材料技術(shù)領(lǐng)域已獲授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利30余項(xiàng)、申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利30余項(xiàng)。在國(guó)內(nèi)最早研制出2英寸毫米級(jí)GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統(tǒng)并實(shí)現(xiàn)7片2吋及4-6吋GaN均勻生長(zhǎng)；研究出創(chuàng)新性的GaN襯底批量制備技術(shù)，即將進(jìn)行高質(zhì)量、低成本GaN襯底的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為第三代半導(dǎo)體應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。
南京大學(xué)
2021-05-10
一種激光輔助低溫生長(zhǎng)氮化物材料的方法與裝備
本發(fā)明公開了一種激光輔助低溫生長(zhǎng)氮化物材料的方法及裝備， 該方法將非氮元素的前驅(qū)體蒸汽和活性氮源前驅(qū)體氣體分別輸送到反 應(yīng)腔室內(nèi)溫度為 250 至 800℃的襯底材料處，利用波長(zhǎng)與活性氮源分 子鍵共振波長(zhǎng)相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦 合至活性氮源氣體分子，加速 NH 鍵的斷裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素與活性氮源發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積第 III 族氮化物膜層材料， 持續(xù)作用直到沉積物覆蓋整個(gè)襯底
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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分米量級(jí)尺寸的六方氮化硼二維單晶的制備
團(tuán)隊(duì)與合作者首次報(bào)道了米級(jí)單晶Cu(111)襯底的制備方法，并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了米級(jí)單晶石墨烯的外延生長(zhǎng)（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。與石墨烯不同，六方氮化硼等其它絕大多數(shù)二維材料不具有中心反演對(duì)稱性，其外延生長(zhǎng)普遍存在孿晶晶界問題：旋轉(zhuǎn)180°時(shí)晶格方向發(fā)生改變，外延生長(zhǎng)時(shí)不可避免地出現(xiàn)反向晶疇，而在拼接時(shí)形成缺陷晶界。 開發(fā)合適對(duì)稱性的外延單晶襯底是解決這一科學(xué)難題的關(guān)鍵。研究團(tuán)隊(duì)探索出利用對(duì)稱性破缺的襯底外延非中心反演對(duì)稱二維單晶薄膜的新方
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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透明防偽材料—光變色薄膜
根據(jù)多層膜光學(xué)干涉的原理，當(dāng)光線照射到薄膜，在進(jìn)入各膜層時(shí)由于各膜層的光 學(xué)性質(zhì)不一樣使得有些光相干相長(zhǎng)，有些光相干相消，隨著觀察者視角的變化薄膜呈現(xiàn) 不同的顏色。早在 1973 年加拿大國(guó)家研究院的 J.A.Dob-railski 等人就預(yù)見了變色薄 膜在防偽領(lǐng)域中的應(yīng)用前景，并于 1987 年首次應(yīng)用于 50 圓的貨幣上。稍后美國(guó)人也研 制出有金色變到綠色的全介質(zhì)變色薄膜。再以后又有人與瑞士 SICPA 公司合作將變色薄 膜作為顏料摻入到油墨中，研制成光變色油墨。現(xiàn)在許多國(guó)家的護(hù)照、簽證和貨幣上都 用上了光變色油墨。 光變色薄膜的光變色功能來(lái)自于多層膜的復(fù)合特性，光變色效果與組成該薄膜的各 膜層的材料性質(zhì)、厚度以及膜層之間的組合有關(guān)。薄膜多采用金屬膜與金屬氧化物介質(zhì) 組合，用物理方法（如熱蒸發(fā)、電子束或離子鍍、磁控濺射等）鍍制薄膜。金屬氧化物 介質(zhì)膜用物理方法鍍制質(zhì)量控制比較困難，效率低，成本也比較高。同濟(jì)大學(xué)課題組用 氣凝膠或有機(jī)材料替代金屬氧化物，材料性能穩(wěn)定，可進(jìn)行大面積快速涂膜，效率大大 提高，成本也很低。
同濟(jì)大學(xué)
2021-04-11
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光伏逆變器關(guān)鍵技術(shù)
研制了 5kW 至 500kW 不同功率等級(jí)的單相、三相光伏并網(wǎng)逆變器，掌握了主電路、控制系統(tǒng)、系統(tǒng)集成等關(guān)鍵技術(shù)。
北京交通大學(xué)
2021-02-01