本項(xiàng)目近期目標(biāo)開(kāi)發(fā)大尺寸GaN襯底的外延設(shè)備和襯底批量生產(chǎn)技術(shù)，在3年內(nèi)實(shí)現(xiàn)低成本高質(zhì)量GaN單晶襯底的規(guī)模化生產(chǎn)，達(dá)到年產(chǎn)20萬(wàn)片TIE-GaN的規(guī)模，產(chǎn)品應(yīng)用于高端大功率LED器件、藍(lán)光激光器，以及大功率雷達(dá)和高速寬帶通信（5G基站核心器件襯底材料）等諸多領(lǐng)域。

實(shí)現(xiàn)高性能器件產(chǎn)業(yè)化和規(guī)模化應(yīng)用的關(guān)鍵是要獲得價(jià)格合理的低缺陷密度GaN晶體基片。本項(xiàng)目產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)先，工藝成熟，品質(zhì)優(yōu)良，已經(jīng)具備大規(guī)模量產(chǎn)的條件。

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，非常適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻和光電探測(cè)器件的“核芯”以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”，是下一代高溫高壓大功率電子器件（MOSFET, IGBT等）、光電子器件（短波長(zhǎng)LED、LD等）等的核心材料、基礎(chǔ)材料和支撐材料。對(duì)于國(guó)計(jì)民生和國(guó)防安全具有重要的現(xiàn)實(shí)意義和潛在價(jià)值，可應(yīng)用在智能高壓電網(wǎng)、軌道交通、航天航空，高溫輻射環(huán)境、石油勘探、自動(dòng)化、汽車電子、照明、顯示、激光存儲(chǔ)、激光探測(cè)、激光電視、激光打印、光通訊，以及大功率雷達(dá)和高速寬帶通信等諸多領(lǐng)域。