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本發明公開了一種用于 ESD 保護的低壓觸發 SCR 器件。本發明創造采用第一 PMOS 和第二 PMOS 分別進行襯底觸發和柵觸發，從而降低 SCR 器件的觸發電壓。 ESD 脈沖信號施加在 Anode 和 Cathode 之間，第一 PMOS 和第二 PMOS 首先被觸發導通，第一 PMOS 開通之后，給 Nwell 施加一觸發電流，第二 PMOS 開通之后給第三 PMOS 施加一觸發電壓。第一 PMOS 施加的 Nwell 觸發電流和第三 PMOS 的溝道電流觸發晶閘管導通，晶閘管電流（ SCR current ）導通大部分 ESD  電流，從而實現了 ESD 保護。

項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件

該器件屬專利技術，是一種顏色穩定的有機-無機異質結白色電致發光器件及制備方法。具體地講是一種在有機異質結界面嵌入無機II-VI族化合物薄層而獲得顏色穩定的白色電致發光器件。 通常，在雙層及多層結構的電致發光器件中，由于器件內部異質結界面處界面勢壘的影響，該界面處所積累的載流子會隨著所加電壓的增加而增加，器件內部各有機層的電場會進行重新分布，并相應地改變著在器件各層上的電壓分布以及發光區域在各層中的位置，進而改變光譜的形狀，影響發光顏色。特別地，如果雙層有機電致發光器件中的電子傳輸層與空穴傳輸層的相互作用較強，則該異質結界面處會出現激基復合物（Exciplex 或Electroplex）的發光。若利用無機材料的載流子（包括電子和空穴）遷移率高以及相對更加穩定的特點，在有機異質結界面處嵌入一層無機材料薄層，可實現無機材料薄層兩側有機材料的發光。利用互補色原理，當兩側有機材料的發光可以相互混合成白光時，則可以得到顯色性很好的白色發光器件。改變器件所加的電壓只是改變發光強度，器件的發光顏色將基本不變。 技術內容： 該器件是一種顏色穩定的有機—無機異質結白色電致發光器件，使用該器件既能克服有機異質結界面可能會出現激基復合物發光而降低發光效率，又能解決器件的發光顏色隨電壓發生變化等問題。 器件的白色電致發光器件結構為： 在玻璃基片上鍍有一層ITO陽極，在ITO陽極上鍍有一層有機空穴傳輸層兼發光層和一層有機電子傳輸層兼發光層，在該兩層有機層之間，有一層無機材料薄層，在有機電子傳輸層兼發光層上鍍有金屬背電極。 該器件與目前使用的有機異質結界面處的激基復合物發光來獲得白色電致發光的方法相比，其優點是：首先，II-VI族無機材料的引入可以有效避免有機異質結界面形成激基復合物發光而降低發光效率；其次，電子傳輸層兼發光層及其中摻雜的組分（如染料等）都可以優化，器件的顏色可得到進一步優化，而一旦確定了有機電子傳輸層兼發光層及其中摻雜組分之后，器件的顏色是基本確定的，不再隨著電壓的改變而改變；再次，由于所用的無機材料（II-VI族化合物）本身的能帶結構的特點，使得從電子傳輸層兼發光層注入的電子在該有機/無機界面處沒有勢壘，而從空穴傳輸層兼發光層注入的空穴在該有機/無機界面處有一定的空穴注入勢壘，可以平衡載流子的注入，使得無機材料層兩側的有機層都有發光；另外，所插入的無機材料薄膜本身對不同的波長都具有一定的透過率。不難理解，無機材料較高的電子遷移率和空穴遷移率使得載流子能順利穿透無機層到達相應的有機層中形成激子并復合發光，再通過優化器件各層的厚度即可得到顯色性好、顏色穩定的白色發光器件。由于使用了化學穩定性更強的無機材料，因此器件的穩定性增加了。

電致變色器件是一種納米多層膜功能器件。它是一種通過低電壓（1-5V）、無電流、零能耗驅動的多功能變色器件。它可以根據需求智能化地調節可見光透射率和反射率以及紅外光的發射率，從而在在智能化高效節能窗、航天器表面熱控、武器裝備隱身、汽車無眩光后視鏡等領域具有廣闊的應用前景。項目組自主研究開發出了完全自主知識產權的兩種新一代全固態電致變色器件：全無機薄膜型和無機/有機組合型電致變色器件。 研究了電致變色器件在三個方面的應用特性：作為智能化高效節能窗對于太陽光透過率的調節作用；作為衛星表面智能熱控器件其表面紅外發射率的調控特性和太陽能光譜波段的反射率調控特性；作為多頻譜隱身器件在可見光和紅外迷彩以及紅外特征抑制方面的色彩和紅外發射率調制。 自主開發了高性能的無機固態離子導體薄膜和有機離子導電膠兩種全固態電致變色器件中的核心技術。研發了全固態電致變色器件的專用鍍膜制備技術和裝置。獲得國家發明專利4項。發表學術性研究論文30多篇。

項目概況 針對目前密封存在有密封液蒸發快、穩定性差和不耐高溫和腐蝕等缺點，本項目選擇飽和磁化強度較高而抗氧化能力較高的Fe3O4作為磁流體的微粒磁性材料，使其溶于二辛酯基液形成性能穩定、蒸發慢和耐高溫耐腐蝕的納米磁流體。利用非接觸式密封潤滑技術，把優化配方的磁液體應用于高性能旋轉軸密封器件中。在特殊設計密封閉合磁路系統中，使轉軸與極靴極齒頂端的齒形間隙中產生強弱相間的非均勻 “O”型密封環，采用梯形極靴，多級并用，增加高導磁套筒來減小軸向泄漏，既達到密封目的，又起到潤滑作用。本項目處于國內先進水平，擁有自主知識產權。 主要特點 1. Fe3O4磁性微粒的制備采用了改性溶膠凝聚法相的工藝技術，這種工藝技術可使磁性微粒的粒度可調，抗氧化能力強和穩定性好。 2．利用非接觸式密封潤滑技術，使優化配方的磁液體應用于高性能旋轉軸密封器件中。 3．不同的旋轉軸設計不同的磁路結構，能防止軸向泄露和提高耐壓能力。 4．旋轉軸密封件的泄漏率為10-11 cm3/s，每級的耐壓能力均大于或等于0.2 atm。 技術指標     應用磁流體密封旋轉軸比普通的機械密封軸相比，平均壽命提高9倍，平均節約原材料總成本350%。與普通旋轉軸相比，耐壓能力高，密封性能好，壽命高，原材料及部件成本顯著降低，而且穩定性好。市場前景 通過現場的工業化證明，該產品和他們原來使用的普通密封軸相比，密封效果的明顯提高，壽命長，性能穩定，最重要的是原材料總成本降低了610元，使用安全方便，在生產過程中無污染，無三廢排放。該項目可應用于密封性能要求高，工作環境惡劣(如堿性液、污水等)的高性能機械旋轉軸，該磁流體密封旋轉軸滿足了工業生產的需求，具有較好的經濟效益和社會效益。目前已為國內多個企業所采用。

本發明公開了一種用于旋轉器件型光譜橢偏儀系統參數的校準方法，該方法可以在一次測量中獲取旋轉器件型光譜橢偏儀中全光譜范圍的系統參數，其方法是將任意厚度的標準樣件作為待測樣件，使用待校準光譜橢偏儀進行測量，對測量獲得的光強諧波信號進行傅里葉分析，通過傅里葉系數序列計算獲取第一個波長點的系統參數，以其作為初值，采用非線性回歸算法，通過理論光譜擬合測量光譜，獲得第一個波長點的系統參數。并依次以校準獲得的第 i 個波長點的系統參數作為初值，擬合獲得第 i+1 個波長點的系統參數，進而獲得全光譜范圍的系統參數。

本發明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓練 與在線運行兩部分，在離線狀態下，對目標閃存器件進行先驗性實驗， 實驗測試內容包括對閃存器件內部物理塊的存儲單元進行大量重復的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內的外部 特征量；然后進行數據集訓練，建立閃存內部存儲單元物理狀態與外 部特征量之間的關聯；在線運行狀態下，對正在在線運行的閃存物理 狀態進行識別，并預估錯誤率，并計算軟信息。本發明所提

本項目主要開展納微結構體系光子帶隙的設計、納微結構體系的光學非線性效應、光波傳播動力學以及光控光操作應用等方面的研究，發展在介觀尺度下調控光子傳輸行為的新效應、新原理與新技術。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內外重要學術刊物上發表論文30余篇。其中有關鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關成果被《Science Archived》收錄，有關非傳統偏壓配置條件下各種非線性光子學晶格的制備

本發明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓練 與在線運行兩部分，在離線狀態下，對目標閃存器件進行先驗性實驗， 實驗測試內容包括對閃存器件內部物理塊的存儲單元進行大量重復的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內的外部 特征量；然后進行數據集訓練，建立閃存內部存儲單元物理狀態與外 部特征量之間的關聯；在線運行狀態下，對正在在線運行的閃存物理 狀態進行識別，并預估錯誤率，并計算軟信息。本發明所提出的方法 不僅不依賴于閃存內部的特殊命令，而且可以方便地集成進自主閃存 控制器中，與

AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道，為一常開器件，不利于射頻功率放大器電路設計與安全性。如果器件能夠實現常關特性，則射頻功率放大器電路可因此簡化。然而，目前常見實現器件常關特性工藝需要對半導體層進行刻蝕，而刻蝕工藝會對器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常關型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見。