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創新工藝有望實現常關型射頻器件
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.gxf2npi.xyz
關鍵詞：
射頻器件
所屬領域:
項目成果/簡介:
AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道，為一常開器件，不利于射頻功率放大器電路設計與安全性。如果器件能夠實現常關特性，則射頻功率放大器電路可因此簡化。然而，目前常見實現器件常關特性工藝需要對半導體層進行刻蝕，而刻蝕工藝會對器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常關型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見。
項目階段:
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