一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一?;刹▽V波器
本發(fā)明公開了一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一?;刹▽V波器,包括四分之一?;刹▽Щ⌒吻唬姆种荒;刹▽Щ⌒吻煌ㄟ^基片集成波導圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到,四分之一?;刹▽Щ⌒吻话ń橘|(zhì)基片,介質(zhì)基片的上表面設有上金屬層,介質(zhì)基片的下表面設有下金屬層,介質(zhì)基片中沿四分之一?;刹▽Щ⌒吻坏闹芟蚓鶆蚍植加胸灤┥辖饘賹雍拖陆饘賹拥慕饘偻?。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)的基片集成波導圓形腔有效實現(xiàn)了小型化。并且,相對于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu),本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,加工方便。此外,相對于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu),本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高,損耗小。
東南大學
2021-04-11