本發明提供的具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋(DFB)半 導體激光器,是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發明通過 在單個半導體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個