|
搜索
搜 索
高等教育領域數(shù)字化綜合服務平臺
類環(huán)狀流微膜蒸發(fā)板翅式冷凝蒸發(fā)技術 新型高效冷凝蒸發(fā)器
該項目是在國家自然科學基金委的大力支持下，由西安交通大學吳裕遠教授主持的課題組經過15年的艱苦努力，突破傳統(tǒng)機理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國家技術發(fā)明獎二等獎。該項目是西安交通大學，擁有完全的自主知識產權,非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領域推廣應用。
西安交通大學
2021-01-12
大學.jpg){kind=logo}
一種利用親水改性無機填料作為致孔劑制備多孔膜的方法
研發(fā)階段/n本發(fā)明涉及一種利用親水改性無機填料作致孔劑制備多孔膜的方法，該方法是在成膜過程中使用水或水溶液將親水改性的無機填料以固體狀態(tài)從聚合物膜中析出得到多孔膜的方法，該親水改性的無機填料是使用能溶于水且能與無機填料形成配位鍵或氫鍵的聚合物或小分子化合物改性制備的，其特征在于，該方法包括如下工序：無機填料的親水改性工序，該親水改性工序可以在配制膜液前完成或在膜液配制過程中完成；使用水或水溶液作為凝膠浴在浸沒沉淀相轉化的成膜過程中將親水改性的無機填料以固體狀態(tài)從膜中析出的工序。這種方法制膜時不僅可以
湖北工業(yè)大學
2021-01-12
一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發(fā)明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優(yōu)點。
浙江大學
2021-04-11
高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協(xié)作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
大學.jpg){kind=logo}
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業(yè)大學
2021-04-14
大學.jpg){kind=logo}
復極式離子膜電解槽極網自動化激光焊接成套技術裝備
北京工業(yè)大學
2021-04-14
大學.jpg){kind=logo}
低能耗低污染膜/生物反應器（MBR） 污水處理技術與設備
技術特點及優(yōu)勢 1、對現(xiàn)有的用于污水處理的膜進行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現(xiàn)有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對MBR結構進行了改進，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關鍵物質的接觸，可以極大緩解膜污染問題； 3 、采用的廉價耐污染膜材料，延長膜的使用壽命，降低運行成本； 4 、控制反應器微生物處于內源呼吸期，反應器中能有效建立細菌—原生動物—后生動物微生態(tài)系
哈爾濱工業(yè)大學
2021-04-14
一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法
本發(fā)明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法。傳統(tǒng)的機器視覺采圖后擺動氣缸翻轉，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機構吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉軸的中心軸線重合，因此翻轉后也會有誤差。本發(fā)明主要解決這兩個誤差的計算和補償方法，實現(xiàn)熱壓頭上表面的準確貼片。本發(fā)明基于現(xiàn)有的 GDL 熱壓裝備實現(xiàn)，首先對相機進行標定，標定兩個相機各自的像素坐標系和世界坐標系的關系，分別根據(jù)是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線
華中科技大學
2021-04-14
一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及應用
本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學
2021-04-14
適用于對移動中的柔性膜執(zhí)行標識的多自由度打標裝置
本發(fā)明屬于柔性膜質量檢測設備相關領域，并公開了一種適用 于對移動中的柔性膜執(zhí)行標識的多自由度打標裝置，包括支撐組件、 傳動組件、動力組件、打標針組件和記號筆組件，其中支撐組件可實 現(xiàn)打標裝置的機械連接，同時還具有導向和位置調節(jié)的功能；動力組 件為打標裝置提供可控的動力，傳動組件可適于在運動中多自由度地 驅動打標針組件和記號筆組件，并提供高精度的打標操作；打標針組 件和記號筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標記，并檢測標記 是否成功完成。通過本發(fā)明，在高速運動過程中也能夠高精度、穩(wěn)定 可靠地執(zhí)行打標操作，而且反應靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標 簽之類對表面標識質量高的運用場合。
華中科技大學
2021-04-11