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本發(fā)明公開了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為 1 μm～2μm 的 CoSe2 層以及厚度為 1nm～10nm 的無定形碳層，所述 CoSe2 層生長于所述基底表面，呈現(xiàn)三維片狀結(jié)構(gòu)，所述無定形碳層 附著于所述 CoSe2 層表面，且所述 CoSe2 層與所述無定形碳層的質(zhì)量 比為 90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發(fā)明通過將無定形碳 層附著于 CoSe2 材料表面，從而提高了納米材料的循環(huán)穩(wěn)定性，從而

人每日硒需要量約為 50-200ug，中國有三分之二的地區(qū)缺硒，補(bǔ)充無機(jī)硒可引起蓄積毒性。有機(jī)硒易吸收，且毒性小。植物硒多糖是有機(jī)硒的重要類型，不但具有無機(jī)硒的活性還具有多糖的各種生理功能。黨參多糖已證實(shí)具有提高免疫，抗腫瘤，益智等多種活性。將硒與黨參多糖有機(jī)結(jié)合不但可以提高黨參多糖的功效，同時起到補(bǔ)硒作用。最大程度發(fā)揮黨參多糖及硒的藥用價值。 

1．成果介紹有機(jī)無機(jī)雜化發(fā)光材料是一類重要功能性雜化材料，因無機(jī)物與有機(jī)物在分子水平或納米尺寸復(fù)合和雜化，使其制得的雜化材料同時兼具無機(jī)和有機(jī)組分的優(yōu)良特性、便于分

高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云

硒是維持人和動物生命話動和正常生理功能所必需的微量元素之一，具有抗 癌，保護(hù)心肌等復(fù)雜的生理功能。缺硒時，機(jī)體免疫功能降低，易發(fā)生各種缺硒疾病.已知有40余種疾病與缺硒有關(guān)，常見的如克山病、大骨節(jié)病、高血壓、缺血性心臟病、肝硬化、胰腺炎、纖維瘤、癌癥、肌瘤、糖尿病、白內(nèi)障等。由于抗腫瘤效果顯著，被譽(yù)為“抗癌之王”。我國72%面積是缺硒地區(qū)，人體普遍缺硒。目前醫(yī)療用的硒補(bǔ)充劑是亞硒酸鹽。但亞硒酸鹽不能通過飲食補(bǔ)硒，因?yàn)檫^量攝入會中毒。 硒在人體和酵母細(xì)胞內(nèi)的存在方式是有機(jī)硒，不會導(dǎo)致中毒。本項(xiàng)目提供硒酵母的生產(chǎn)和相關(guān)硒酵母食品的制造技術(shù)。

本發(fā)明公開了一種氧化鋅基底誘導(dǎo)取向生長的硒化銻薄膜的方 法，其特征在于，該方法是以特定取向的氧化鋅基底誘導(dǎo)生長具有擇 優(yōu)取向方向的硒化銻薄膜；當(dāng)氧化鋅基底為(100)取向時，誘導(dǎo)生長出 的硒化銻薄膜是以<、221>、方向?yàn)橹鲗?dǎo)生長取向；當(dāng)氧化鋅基底 為(002)取向時，誘導(dǎo)生長出的硒化銻薄膜是以<、120>、方向?yàn)橹?導(dǎo)生長取向。本發(fā)明中的方法可應(yīng)用于硒化銻薄膜太陽能電池的制備， 得到相應(yīng)的硒

晶硅太陽電池生產(chǎn)仿真實(shí)訓(xùn)讓學(xué)員以車間技術(shù)人員的身份參與整條晶硅太陽電池產(chǎn)線的生產(chǎn)工作。學(xué)員可以按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程操作車間生產(chǎn)設(shè)備、檢測生產(chǎn)樣品以及對電池生產(chǎn)進(jìn)行工藝仿真，從而深刻了解整個太陽電池生產(chǎn)流程以及關(guān)鍵工藝參數(shù)。 一.1.1. 場景設(shè)計 場景由制絨車間、擴(kuò)散車間、后清洗車間、PECVD鍍膜車間、絲網(wǎng)印刷車間和分選包裝車間六大場景組成。場景素材從多個真實(shí)工廠采集而來，高保真還原車間設(shè)備與生產(chǎn)流程 場景模型主要包括：潔凈車間、制絨機(jī)、自動上下料機(jī)、硅片、電子天平、分光光度計、電源柜、水冷機(jī)、空壓機(jī)、化學(xué)液柜、電腦，鍵盤、鼠標(biāo)、擴(kuò)散爐、石英舟、插片房、傳遞窗、純水箱、石英舟清洗槽、防毒面具、試驗(yàn)臺、緩沖墊、防化服、源瓶、氣柜、硅槳、方阻測試儀，萬用表，石墨舟、PECVD鍍膜機(jī)、舟車、烘箱、全自動絲網(wǎng)印刷機(jī)、網(wǎng)版、刮刀、攪拌機(jī)、槳料、夾具、接觸電阻測試儀、燒結(jié)爐、IV分選儀、硅片盒、五格花藍(lán)等... 一.1.2. 互動設(shè)計 第一人稱視角控制主角場景漫游，學(xué)員可以在三維空間中自由活動和觀察場景中的物體。 拾取物體操作采用3D空間實(shí)際抓取的方式，沒有采用一般游戲中的背包欄方式，而當(dāng)需要同時拾取多個物體時則提供3維工具用于裝放，采取這種方式會更加接近現(xiàn)實(shí)，使學(xué)員更真實(shí)的體驗(yàn)實(shí)際工具的存放及使用的技巧。 各生產(chǎn)車間按照真實(shí)生產(chǎn)流程設(shè)計實(shí)訓(xùn)生產(chǎn)任務(wù)，完成當(dāng)前任務(wù)后才能進(jìn)入下一個任務(wù)，每個任務(wù)記錄完成時間以及工藝仿真結(jié)果 縮略地圖實(shí)時顯示角色位置與任務(wù)點(diǎn)位置 第一人稱視角與特寫觀察視角無縫平滑撤換 機(jī)器與設(shè)置仿真控制，通過機(jī)器控制面板設(shè)置工藝參數(shù)，控制啟動生產(chǎn)，檢測生產(chǎn)結(jié)果 表單填寫與作業(yè)報告生成 使用儀器與設(shè)備檢測生產(chǎn)樣品 操作規(guī)程與關(guān)鍵知識點(diǎn)主動提示學(xué)習(xí) 原理動畫演示

本技術(shù)通過梯次發(fā)酵工藝，有效完成基質(zhì)發(fā)酵過程無機(jī)硒有機(jī)化，克服了基質(zhì)中無機(jī)硒對菌絲生長的影響，進(jìn)而有利于雙孢蘑菇的生產(chǎn)，并且富硒效果顯著。栽培基質(zhì)發(fā)酵過程有機(jī)硒轉(zhuǎn)化率達(dá) 50-75%，雙孢蘑菇產(chǎn)量為 13.5～17.5kg/m2，鮮雙孢蘑菇有機(jī)硒含量為 1.9-2.8 mg/kg。

北京化工大學(xué)的富硒酵母生產(chǎn)技術(shù)，預(yù)計投產(chǎn)后將年生產(chǎn)富硒酵母500噸；進(jìn)一步開發(fā)后還將生產(chǎn)水溶性酵母多糖、羧甲基葡聚糖等產(chǎn)品，希望尋求進(jìn)行更深層次的合作。已在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行連續(xù)3批5升~30升發(fā)酵小試的工藝研究與優(yōu)化，以及相應(yīng)的分離工藝。經(jīng)過培訓(xùn)后，使合作企業(yè)技術(shù)人員能夠熟練掌握有關(guān)的菌種培養(yǎng)和發(fā)酵、后提取技術(shù)。并且能夠重復(fù)出上述結(jié)果。小試指標(biāo)如下：發(fā)酵周期小于48小時，酵母硒含量大于2000ppm，酵母細(xì)胞干重大于60 g/L。酵母菌，人類直接食用量最大的一種微生物。酵母菌體含有豐富的蛋白質(zhì)、脂肪、糖分和B族維生素等，以及酶、輔酶、核糖核酸、甾醇和一些新陳代謝的中間產(chǎn)物。硒是人體所必需的微量元素，有很重要的生理功能，與人類的健康密切相關(guān)。硒能夠預(yù)防和抑制腫瘤、抗衰老、維持心血管系統(tǒng)的正常功能，預(yù)防動脈硬化和冠心病的出現(xiàn)。缺硒會導(dǎo)致克山病和大骨結(jié)病，還會誘發(fā)白內(nèi)障、肝病和胰腺病等等。富硒酵母可作為補(bǔ)硒保健食品和藥品的原料、營養(yǎng)強(qiáng)化食品中硒營養(yǎng)素強(qiáng)化的原料、其他需要強(qiáng)化硒營養(yǎng)素的產(chǎn)品等。 本技術(shù)通過對硒元素來源進(jìn)行大量試驗(yàn)研究，采用含有硒元素的鹽類和碳質(zhì)頁巖硒礦石為硒的原材料，從而有效利用硒礦石轉(zhuǎn)化為有機(jī)硒，安全生產(chǎn)，制備富硒酵母。富硒酵母是將酵母菌在富硒培養(yǎng)基中培養(yǎng)所得，富硒培養(yǎng)基中的硒元素來源為硒礦石。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明涉及的富硒酵母制備方法具有如下優(yōu)點(diǎn)和顯著進(jìn)步：（1）采用成分相對穩(wěn)定的硒礦石作為硒元素的來源，拓寬了用于酵母富硒的硒源材料，有利于硒礦資源的充分利用。（2）采用磷酸鹽作為去除重金屬元素的沉降劑，比蛋白質(zhì)廉價，比硫化氫安全、方便。（3）有機(jī)硒轉(zhuǎn)化率高，所得富硒酵母的含硒量為180-260μg/Kg。

伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫珀對的自旋被有效的塞曼磁場固定住，由此表現(xiàn)出極強(qiáng)的的面內(nèi)臨界磁場（遠(yuǎn)超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級平整的高質(zhì)量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對其覆蓋非晶態(tài)Se保護(hù)層，進(jìn)而對非原位的電輸運(yùn)物性展開了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：單層NbSe2薄膜表現(xiàn)出超過6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達(dá)2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機(jī)械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時，強(qiáng)磁場和極低溫下的輸運(yùn)測量結(jié)果直接證實(shí)了平行特征臨界場Bc//(T = 0)是順磁極限場的5倍以上，符合Zeeman保護(hù)的伊辛超導(dǎo)機(jī)制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場下的外推）。此外，極低溫垂直磁場下的電輸運(yùn)測量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對零度時的量子臨界點(diǎn)表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。