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產品詳細介紹毒品柜系類 普通型毒害品柜 規格尺寸： MA890PD         H890*W590*D460                 MA1200PD       H1200*W600*D600                 MA1600PD       H1600*W600*D600                 MA1500PD       H1500*W900*D400 產品特點：門    型：單門               開門方式：手動               鎖具配置：機械鎖+掛鎖               箱體結構：單層結構               層板數量：一板可調               層板尺寸：560*400*25   國家安全部、公安部對毒品儲存、管理、使用有明確規定，必須具備專用設施，以保證國家財產和人民生命不受損害。銘安MIANN毒品柜是安全儲存及智能管理為一體的高科技產品。柜內外殼采用優質標準厚度冷軋鋼板，產品款式全部依據人體工程學原理設計，款式素雅大方，同時更關注使用者的感受；生產部采用大型數控設備生產，先進流水線制造，產品工藝優良，手工精美，非一般小型工廠所能相比。      用途：適用于醫藥衛生、國防科研、大中專院校、檢驗檢測、工礦企業、冶金化工等不同行業對有毒危險化學品、有毒危險藥品、貴重藥品及科研標本等既有嚴格溫度要求，又有高度安全保障的物品的存儲，安全管理。 普通型毒害品柜能滿足對毒品儲存的一般性能要求： 1.      高質量的毒害品柜符合國家毒品存儲相關標準； 2.      單層1.2mm的優質鋼板經過點焊接，堅固耐用； 3.      鑰匙鎖掛鎖雙鎖控制，雙人管理，安全性能更高； 4.      50mm高的防漏液槽使意外不外溢； 5.      符合國家標準的警示標簽顯而易見； 6.      裝設有防閉火裝置的雙透氣孔； 7.      鍍鋅層板可上下調節； 8.      插銷式鉸鏈，使用方便； 9.      柜子內外噴涂有耐腐無鉛環氧樹脂漆； 10.  柜身設有靜電接地傳導端口，方便連接靜電接地導線。   （二）高端型毒害品柜 規格尺寸： MA890GD         H890*W590*D460                 MA1200GD       H1200*W600*D600                 MA1600GD       H1600*W600*D600                 MA1500GD       H1500*W900*D400 產品特點：開門方式：手動                 鎖具配置：電子密碼鎖+機械鎖                 箱體結構：雙層結構                 層板數量：二板可調                 層板尺寸：858*300*25   國家安全部、公安部對毒品儲存、管理、使用有明確規定，必須具備專用設施，以保證國家財產和人民生命不受損害。MIANN毒品柜是安全儲存及智能管理為一體的高科技產品。柜內外殼采用優質標準厚度冷軋鋼板，產品款式全部依據人體工程學原理設計，款式素雅大方，同時更關注使用者的感受；生產部采用大型數控設備生產，先進流水線制造，產品工藝優良，手工精美，非一般小型工廠所能相比。      用途：適用于醫藥衛生、國防科研、大中專院校、檢驗檢測、工礦企業、冶金化工等不同行業對有毒危險化學品、有毒危險藥品、貴重藥品及科研標本等既有嚴格溫度要求，又有高度安全保障的物品的存儲，安全管理。 個性選擇： （1）      可選擇加裝電子時鐘顯示器及溫度報警裝置 （2）      特殊要求可選擇加裝自排風裝置或人體感應式排風裝置 （3）      特殊要求可選擇指定顏色 高端型毒害品柜能滿足對毒品儲存的特殊要求： 1.      全部雙層防火鋼板構造，兩層鋼板之間相隔有38mm的絕緣層； 2.      厚度1.2mm的優質鋼板經過點焊接，使用壽命更長，防火性更好； 3.      液晶電子密碼鎖，雙鎖控制，雙人管理，安全性能更高； 4.      50mm高的防漏液槽使意外流出的液體不外溢； 5.      符合國家標準的警示標簽顯而易見； 6.      裝設有防閉火裝置的雙透氣孔； 7.      獨有的防溢漏式層板可上下調節； 8.      無縫鋼琴式鉸鏈，經久耐用； 9.      柜子內外噴涂有耐腐無鉛環氧樹脂漆； 10.  柜身設有靜電接地傳導端口，方便連接靜電接地導線。 備注：密碼鎖出廠時初始密碼是：“123456”。 1、 用戶開門操作，按“#123456#”后用鑰匙打開機械鎖即可開門。 2、 修改密碼，開門后按住門背后的綠色按鈕不松開，輸入新的8位密碼后，松開綠色按鈕即可。 3、 電量不足，電量不足或內部電池故障時，可使用備用電池盒，備用電池盒內裝滿電池后，將插頭插在密碼鎖按鈕下的插座下，就可以正常操作。 4、 自動報警，報警時間將持續30秒左右，如想立即解除警報，輸入正確密碼即可。

通過FM認證，符合FM6050標準。 樂普樂吉基于扎根實驗室多年的經驗，樂普樂吉專為實驗室通風柜設計了多方位、多選擇的下柜安全存儲柜，獨特靈活的踢腳設計提升了臺下空間的使用率。柜體兩側帶有消焰通風口，便于換氣處理。

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研究背景 芯片是人類最偉大的發明之一，也是現代電子信息產業的基礎和核心。小到手機、電腦、數碼相機，大到6G、物聯網、云計算均基于芯片技術的不斷突破。半導體光刻工藝水平的發展是以芯片為核心的電子信息產業的基石，目前半導體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內晶體管單元已經接近分子尺度，半導體制作工藝的“瓶頸效應”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發展，急劇增長的龐大數據量要求數據處理模型和算法結構不斷優化升級，帶來的結果就是對計算能力和系統功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現象，已越來越難以滿足大數據時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創信息時代一樣，當下已經普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發展趨勢已是必然。相對于電子驅動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數據獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關鍵技術及核心芯片，基于量子阱二極管發光探測共存現象，探索關鍵微納制造技術，研制出可以同時實現通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術路線 一、技術原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發現如圖1所示的量子阱二極管發光探測共存現象，首次研制出同質集成發射、傳輸、調制和接收器件的光電子芯片，這些原創工作引起了業界相關科研小組地廣泛關注，化合物半導體同質集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術，在藍寶石氮化物晶圓上實現LED基同質集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現Gbps的光發射、調制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發基于光子傳輸的化合物半導體同質集成光電子芯片以實現片上光子通信是可行的。   二、總體結構設計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設計，無需特殊定制的外延結構。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結構如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調節InGaN/GaN多量子阱層的參數（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結構。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發出，這樣不僅使得器件具有優良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術創新優勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統異質的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質集成器件的基板也較異質結構的簡單統一，極大地縮短了集成系統的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質材料的復雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產，有效地降低了生產成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術與經驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數與電學參數的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現了對人體脈搏的監測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統，如圖6所示。該系統可以在點亮照明的同時，實現對外界光信號的探測與感知，通過后端系統處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術期刊發表一系列高質量研究論文，獲授權中國發明專利23項，美國發明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創成果獎等。

在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統，研究發展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發明專利30余項、申請國家發明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統并實現7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創新性的GaN襯底批量制備技術，即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。

本發明公開了一種激光輔助低溫生長氮化物材料的方法及裝備， 該方法將非氮元素的前驅體蒸汽和活性氮源前驅體氣體分別輸送到反 應腔室內溫度為 250 至 800℃的襯底材料處，利用波長與活性氮源分 子鍵共振波長相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦 合至活性氮源氣體分子，加速 NH 鍵的斷裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素與活性氮源發生化學反應，沉積第 III 族氮化物膜層材料， 持續作用直到沉積物覆蓋整個襯底

團隊與合作者首次報道了米級單晶Cu(111)襯底的制備方法，并在此基礎上實現了米級單晶石墨烯的外延生長（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。與石墨烯不同，六方氮化硼等其它絕大多數二維材料不具有中心反演對稱性，其外延生長普遍存在孿晶晶界問題：旋轉180°時晶格方向發生改變，外延生長時不可避免地出現反向晶疇，而在拼接時形成缺陷晶界。 開發合適對稱性的外延單晶襯底是解決這一科學難題的關鍵。研究團隊探索出利用對稱性破缺的襯底外延非中心反演對稱二維單晶薄膜的新方

本發明提供了一種碳酸鹽巖含硫氣藏開采方法，涉及含硫氣藏開采技術領域，該開采方法是先預測出含硫氣藏硫沉積飽和度動態分布曲線，然后再根據所得硫沉積飽和度動態分布曲線對含硫氣藏進行開采。利用該開采方法對含硫氣藏進行開采能夠緩解硫溶解度不易計算且無法真實反應出開采過程的硫沉積進而導致含硫氣藏在實際的開采過程中經常出現停工的技術問題，達到有效保證含硫氣藏的開采能夠順利進行

本項目以高溫含塵廢氣治理為目標，開展以高性能大規格壁流式蜂窩陶瓷為核心過濾元件的高溫除塵裝置的研究開發，得到了“十二五”國家科技支撐計劃的支持。課題研究開發出室溫至800℃平均熱膨脹系數為≤1.6×10-6℃-1的超低熱膨脹系數堇青石及堇青石基復合陶瓷材料；研究開發了具有自主知識產權的大規格高性能壁流式蜂窩陶瓷及其制備技術，形成了產業化中試技術，建立了中試生產線；計研發制造出以大規格壁流式蜂窩陶瓷為核心過濾元件的高溫含塵煙氣凈化裝備，煙氣處理量為≥10000 m3/h，過濾后煙氣粉塵濃度為≤15 mg/m3；申請發明專利7項、實用新型專利2項，發表學術論文5篇；制定大規格壁流式蜂窩陶瓷企業標準1項。課題研究成果能夠很好的解決當前高溫含塵廢氣排放超標與高溫廢氣余熱利用的關鍵技術難題。該課題已于2014年4月29日通過了中國輕工業聯合會組織的驗收，相關技術與性能指標達到國際同類產品先進水平。