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推介案例 | 哈爾濱工程大學-大疆創(chuàng)新智能機器人實踐創(chuàng)新基地
為落實教育部推進產教融合、校企合作相關工作部署，促進高校教學改革，推動產教融合型企業(yè)建設，中國高等教育學會于2020年8月啟動了2020年度中國高等教育博覽會“校企合作 雙百計劃”典型案例推選工作，經資格審核、通訊推選、路演答辯、走訪考察以及網上公示等環(huán)節(jié)，共有103項案例認定為2020年度中國高等教育博覽會“校企合作 雙百計劃”典型案例，近期，“中國高等教育博覽會”微信號將陸續(xù)推出“雙百計劃”典型案例推介專欄，歡迎關注。
哈爾濱工程大學
2021-09-26
寒武紀大爆發(fā)時期動物門類多樣性及其演化關系研究
以埃迪卡拉紀晚期至寒武紀早期的生物群和地層為研究對象，開展動物門類多樣性及其演化關系研究。揭示海洋生態(tài)系統(tǒng)內動物門類多樣性在空間上的變化和時間上的演化過程。同時，發(fā)現(xiàn)更多門類的最早化石記錄，提高三大亞界內部門類之間譜系演化關系的解析度。
西北大學
2021-02-01
大尺寸寬禁帶半導體氮化鎵單晶襯底產業(yè)化技術
在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統(tǒng)，研究發(fā)展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發(fā)明專利30余項、申請國家發(fā)明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統(tǒng)并實現(xiàn)7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創(chuàng)新性的GaN襯底批量制備技術，即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業(yè)化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。
南京大學
2021-05-10
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一種適應急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法
本發(fā)明公開了一種適應急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法，該裝置包括裝置主體(1)、地上部分(2)、隔板(3)、地下部分(4)，所述裝置主體(1)為一根直徑15cm硬質pvc管，長度30cm，管上端3cm處設置隔板(3)，將管分為地上部分(2)和地下部分(4)。本發(fā)明具有種子萌發(fā)率高、成本低廉、操作簡單的特點，適合推廣應用。
青島農業(yè)大學
2021-04-11
一種基于超構透鏡陣列的大視場集成顯微成像裝置
發(fā)明(設計)人：李濤, 徐貝貝, 祝世寧。本發(fā)明涉及一種基于超構透鏡陣列的大視場集成顯微成像裝置。該裝置包括：光源、超構透鏡陣列、線偏振片和圖像傳感器；所述線偏振片固定于所述光源的后方，且所述線偏振片位于所述光源的出射光路上；所述超構透鏡陣列固定于所述線偏振片的后方，且所述超構透鏡陣列位于所述線偏振片的出射光路上；待成像物體位于所述線偏振片和所述超構透鏡陣列之間；所述圖像傳感器位于所述超構透鏡陣列的后方；所述超構透鏡陣列中包括周期性排布的多個超構透鏡。本發(fā)明可以實現(xiàn)在不犧牲分辨率不增加工作距離的條件下，擴大成像視場。
南京大學
2021-04-10
2021年度“中國地理科學十大研究進展”發(fā)布
中國地理學會于2022年1月啟動了2021年度“中國地理科學十大研究進展”遴選工作。經中國地理學會會士和本會所屬各分支機構推薦，以及2021年度“中國地理科學十大研究進展”遴選專家組評審，并經過中國地理學會十二屆十一次常務理事會議審議批準，確定“國產地理建模與模擬軟件平臺”等十項成果入選2021年度“中國地理科學十大研究進展”。
中國地理學會
2022-06-08
團中央發(fā)布2023年大學生創(chuàng)業(yè)幫扶計劃工作指引
把促進青年特別是高校畢業(yè)生就業(yè)工作擺在更加突出的位置”的重要要求，共青團中央將在2023年繼續(xù)實施“共青團促進大學生就業(yè)行動。
創(chuàng)青春
2023-01-31
2023年抓好促進知識產權轉化運用等7大重點工作！
全國知識產權局局長會議召開
國家知識產權局政務微信
2023-01-10
復旦大學魏大程團隊提出“分子機電系統(tǒng)”，實現(xiàn)精準生物檢測
魏大程課題組長期致力于研究新型晶體管材料、器件及其在生物、化學和光電傳感等領域的應用。他們提出的“分子機電系統(tǒng)”(MolEMS)，即一種通過DNA分子自組裝而成，通過外電場驅動，能精準調控分子識別和信號轉化過程的微型裝置。
復旦大學
2022-02-11
一種可控大長徑比納米探針的制備裝置與制備方法
本發(fā)明提供一種可控大長徑比納米探針的制備裝置，通過設置 腐蝕穩(wěn)壓電路、腐蝕電壓切斷電路、探針浸沒判斷電路，與單片機配 合實現(xiàn)對腐蝕過程中的腐蝕電壓、探針浸沒深度、探針提升速度等重 要參數(shù)的精確控制，能夠制備大長徑比、可控長徑比、耐磨損、可回 收、成本低的納米探針。本發(fā)明還提供一種可控大長徑比納米探針的 制備方法，采用探針浸入指定深度后不再停留腐蝕，而是一直不斷提 起探針，從而形成針尖長、針尖曲率半徑平滑變化、長徑比大的新型 納米探針，具有不易磨損、可回收再利用、使用成本低等顯著優(yōu)點， 并通過對腐蝕電
華中科技大學
2021-01-12