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項(xiàng)目研制出倍頻程和1.5倍頻程寬帶低二次諧波連續(xù)波行波管，二次諧波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前國(guó)內(nèi)外此類(lèi)行波管綜合技術(shù)水平最高的指標(biāo)。并且研制出了國(guó)際上第一只高效率W波段脊加載曲折波導(dǎo)行波管及第一只V波段曲折波導(dǎo)寬帶行波管。該項(xiàng)目獲得四川省科技發(fā)明一等獎(jiǎng)。

紅外光電探測(cè)器在國(guó)防軍事方面有重要的應(yīng)用前景，比如紅外制導(dǎo)、紅外追蹤、夜視儀等等。目前國(guó)外使用的主流紅外光電探測(cè)器是基于碲鎘汞的制冷型探測(cè)器和氧化釩/非晶硅的非制冷型探測(cè)器。對(duì)于碲鎘汞探測(cè)器來(lái)說(shuō)，一方面在高質(zhì)量的材料生長(zhǎng)上存在很大的挑戰(zhàn)；另一方面它需要輔助制冷裝置來(lái)提供 77 K 的低溫環(huán)境，極大地限制了其便攜性和廣泛使用性。而基于氧化釩/非晶硅的非制冷型探測(cè)器由于其熱輻射引發(fā)電阻變化的機(jī)制極大地限制了探測(cè)率（小于 10

1. 痛點(diǎn)問(wèn)題 功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實(shí)現(xiàn)3060雙碳目標(biāo)，我國(guó)正在超常規(guī)推動(dòng)新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對(duì)電壓等級(jí)4.5kV以上的功率器件需求急速增長(zhǎng)。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺(tái)建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機(jī)理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級(jí)為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無(wú)法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。 2020年，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2000億元，但90%以上依賴(lài)進(jìn)口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進(jìn)口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)替代方案。 2. 解決方案 本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門(mén)極換流晶閘管）的設(shè)計(jì)、制備和驅(qū)動(dòng)控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運(yùn)行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開(kāi)展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動(dòng)供電問(wèn)題等，從而實(shí)現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。 目前團(tuán)隊(duì)已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級(jí)全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)等突出優(yōu)勢(shì)，符合能源發(fā)展趨勢(shì)，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國(guó)內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。

提出了層數(shù)調(diào)制、柵極電壓調(diào)制和自組裝單分子層調(diào)制等物理、化學(xué)改性策略，顯著調(diào)控了MoS2載流子濃度和功函數(shù)，為開(kāi)發(fā)低接觸電阻的高性能納電子器件提供了手段，研究成果發(fā)表于ACS Nano、APL等知名期刊，應(yīng)邀為Adv. Mater.撰寫(xiě)綜述一篇。

本發(fā)明公開(kāi)了一種 MEMS 器件的封裝方法，包括 S1 在框架基 板與封蓋的內(nèi)表面上對(duì)稱(chēng)附著圖形化的過(guò)渡金屬化層和釬料層；S2 在 框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜；S3 將芯片鍵合固定 在框架基板上并實(shí)現(xiàn)信號(hào)互連；S4 將固定有芯片的框架基板與封蓋進(jìn) 行除氣除濕處理后對(duì)準(zhǔn)堆疊形成封裝結(jié)構(gòu)；S5 對(duì)封裝結(jié)構(gòu)施加壓力、 預(yù)熱后引燃自蔓延多層膜，自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實(shí)現(xiàn)冶金 互連。本發(fā)明將封蓋直接與框架

中階梯光柵的刻劃： ICP光譜儀的分光核心部件主要是中階梯光柵，中階梯光柵的二維分光系統(tǒng)，具備更高的分辨能力，使光譜儀具有分析精準(zhǔn)、多元素同時(shí)檢測(cè)以及檢測(cè)速度快等優(yōu)點(diǎn)。 √ 分辨力高 √ 制作難度大

中紅外光譜技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療診斷、軍事偵察、工業(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。其中，中紅外光源是實(shí)現(xiàn)中紅外技術(shù)的核心部件之一。作為二維層狀材料家族的新興成員，黑磷（BP）已因其獨(dú)特的性能而得到廣泛研究。

本發(fā)明屬于柔性薄膜轉(zhuǎn)移及貼合工藝相關(guān)設(shè)備領(lǐng)域，并公開(kāi)了 一種基于拉伸共形原理的柔性膜曲面轉(zhuǎn)移機(jī)械手，其包括基座、X 向 伸縮機(jī)構(gòu)、Y 向張合機(jī)構(gòu)和共形柔性曲面吸附盤(pán)，其中該 X 向伸縮機(jī) 構(gòu)設(shè)于基座用于實(shí)現(xiàn)共形柔性曲面吸附盤(pán)的 X 向伸縮，該 Y 向張合機(jī) 構(gòu)設(shè)于 X 向伸縮機(jī)構(gòu)并用于實(shí)現(xiàn)共形柔性吸附盤(pán)的 Y 向伸縮;該共形 柔性曲面吸附盤(pán)與目標(biāo)曲面共形，具有可彎曲、拉伸的特點(diǎn)，在

液壓彈簧式直接拉伸試驗(yàn)用彈簧組件限位巖石試樣固定裝置，由下位夾具和上位夾具組成，下位夾具包括與試驗(yàn)機(jī)底部加載座連接的下接頭、固定試樣的下端帽、連接下接頭與下端帽的下鏈條、第一螺旋彈簧、第一中心限位機(jī)構(gòu)、第二中心限位機(jī)構(gòu)和第一液壓機(jī)構(gòu)，上位夾具包括與試驗(yàn)機(jī)頂部加載座連接的上接頭、固定試樣的上端帽、連接上接頭與上端帽的上鏈條、第二螺旋彈簧、第三中心限位機(jī)構(gòu)、第四中心限位機(jī)構(gòu)和第二液壓機(jī)構(gòu)；第一中心限位機(jī)構(gòu)、第二中心限位機(jī)構(gòu)、第三中心限位機(jī)構(gòu)和第四中心限位機(jī)構(gòu)均由彈簧限位組件、支撐件和轉(zhuǎn)接板組成；第一液壓機(jī)構(gòu)、第二液壓機(jī)構(gòu)均包括圓環(huán)形活塞及與圓環(huán)形活塞組合的圓環(huán)形油缸。

本發(fā)明公開(kāi)了一種在預(yù)應(yīng)變彈性基板上進(jìn)行柔性電子圖案化的方法，包括如下步驟：(1)在水平方向上以一定應(yīng)變率拉伸彈性基板；(2)計(jì)算在自然態(tài)下的所述彈性基板上各點(diǎn)在拉伸態(tài)下對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)，得到在自然狀態(tài)下構(gòu)成預(yù)期規(guī)則圖案的離散元器件之坐標(biāo)在拉伸態(tài)下對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)，以及自然狀態(tài)下互聯(lián)結(jié)構(gòu)在拉伸態(tài)下對(duì)應(yīng)的互聯(lián)結(jié)構(gòu)；(3)將離散元器件布置在所述拉伸態(tài)下對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)上，將互聯(lián)結(jié)構(gòu)布置在拉伸態(tài)對(duì)應(yīng)的互聯(lián)結(jié)構(gòu)上；(4)釋放基板，即可獲得均勻分布的柔性電子圖案。本發(fā)明可完成離散元器件從拉伸態(tài)到自由態(tài)的坐標(biāo)變換，不需要制備掩膜，