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博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊(duì)在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺(tái)烘烤5分鐘不起泡。 一、項(xiàng)目進(jìn)展 已注冊公司運(yùn)營 二、企業(yè)信息 企業(yè)名稱 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司 企業(yè)法人 潘遠(yuǎn)志 注冊時(shí)間 2022/3/31 注冊所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機(jī)構(gòu)代碼 91610131MA712U7Q06 經(jīng)營范圍 一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術(shù)研發(fā)；新材料技術(shù)推廣服務(wù)；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設(shè)備制造；通信設(shè)備制造；光通信設(shè)備制造；雷達(dá)及配套設(shè)備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售；合成材料銷售；有色金屬合金銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造；新型陶瓷材料銷售；電子元器件零售；電子元器件批發(fā)；泵及真空設(shè)備制造；泵及真空設(shè)備銷售；通用設(shè)備制造（不含特種設(shè)備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產(chǎn)專用設(shè)備制造；電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；特種陶瓷制品銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售；集成電路設(shè)計(jì)；機(jī)械設(shè)備租賃；租賃服務(wù)（不含許可類租賃服務(wù)）（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng)） 企業(yè)地址 江蘇省 蘇州高新區(qū)長亭路8號(hào)大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號(hào)創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）天使輪1000萬元 2022/03/22蘇州融享進(jìn)取創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）preA輪2500萬元 三、負(fù)責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時(shí)間 潘遠(yuǎn)志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學(xué)部/自動(dòng)化 2020/2024 陶佳怡 管理學(xué)院/大數(shù)據(jù)管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 牟國瑜 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 楊志鵬 能源與動(dòng)力工程學(xué)院/強(qiáng)基（核工程與核技術(shù)） 2020/2024 田繼森 航天航空學(xué)院/工程力學(xué) 2020/2024 孫浩然 機(jī)械工程學(xué)院/機(jī)械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2019/2023 王羿淮 管理學(xué)院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學(xué)與工程學(xué)院/材料科學(xué)與工程 2018/2023 四、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 宋忠孝 材料學(xué)院/材料系 教授、博士生導(dǎo)師 核電領(lǐng)域；電化學(xué)、催化、電池領(lǐng)域；器件、封裝領(lǐng)域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領(lǐng)域；輕量化領(lǐng)域硬質(zhì)涂層領(lǐng)域 王小華 電氣學(xué)院/電機(jī)電器及其控制 教授/博導(dǎo)，國家級(jí)人才計(jì)劃入選者（特聘教授），國家級(jí)青年人才計(jì)劃入選者（青年學(xué)者），教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才，陜西省青年科技標(biāo)兵。西安交通大學(xué)未來技術(shù)學(xué)院/現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院副院長、實(shí)踐教學(xué)中心（工程坊）副主任、教務(wù)處副處長、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)學(xué)院副院長，CIGRE開關(guān)設(shè)備狀態(tài)評估工作組成員，中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)電器智能化系統(tǒng)及應(yīng)用專委會(huì)委員 開關(guān)設(shè)備設(shè)計(jì)、狀態(tài)監(jiān)測與壽命評估 田高良 管理學(xué)院/會(huì)計(jì)與財(cái)務(wù) 教授、博士生導(dǎo)師 財(cái)務(wù)預(yù)警；內(nèi)部控制與風(fēng)險(xiǎn)管理；資產(chǎn)評估；信用管理等 五、項(xiàng)目簡介 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司是一家專門從事高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的公司。以先進(jìn)的陶瓷表面金屬化技術(shù)為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結(jié)；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預(yù)制金錫焊料；（7）激光切割等環(huán)節(jié)的完整高端熱沉材料生產(chǎn)體系。公司擁有完整的熱沉材料生產(chǎn)體系，致力于成為“國產(chǎn)化功率半導(dǎo)體器件熱沉材料領(lǐng)跑者”，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展添磚加瓦。 博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊(duì)在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺(tái)烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過5000平米，含萬級(jí)潔凈間。擁有20余臺(tái)研磨拋光設(shè)備、10余臺(tái)燒結(jié)爐、4條臥式連續(xù)鍍膜設(shè)備、5臺(tái)立式鍍膜設(shè)備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設(shè)備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結(jié)、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預(yù)制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經(jīng)建立了完善的產(chǎn)品生產(chǎn)管理及質(zhì)量監(jiān)控體系來進(jìn)行管控，完成了包括ISO9001、14001等認(rèn)證，并不斷完善產(chǎn)品檢測設(shè)備及手段，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。 公司積極進(jìn)行產(chǎn)品迭代和技術(shù)儲(chǔ)備，在高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域有著二十余年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。中國科學(xué)院院士孫軍教授和國家萬人計(jì)劃領(lǐng)軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學(xué)家領(lǐng)銜公司技術(shù)研發(fā)，進(jìn)行陶瓷金屬化和半導(dǎo)體封裝基板領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的探索。潘遠(yuǎn)志帶領(lǐng)公司與西安交通大學(xué)表面工程國際研發(fā)中心、金屬材料強(qiáng)度國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作進(jìn)行前沿技術(shù)開發(fā)，團(tuán)隊(duì)與蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、高新區(qū)共同設(shè)立蘇州思萃材料表面應(yīng)用技術(shù)研究所，是公司的技術(shù)支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數(shù)千萬融資交割，公司投后估值逾2億元。

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時(shí)等特點(diǎn),成為當(dāng)前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點(diǎn)，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點(diǎn)在消費(fèi)電子(如手機(jī)快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團(tuán)家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強(qiáng)型功率晶體管、功率整流器進(jìn)行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強(qiáng)型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。

       芯片功率器件測試平臺(tái)，以工程教育專業(yè)認(rèn)證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，支撐集成電路相關(guān)課程的教學(xué)與實(shí)訓(xùn)，且能進(jìn)行項(xiàng)目開發(fā)和師資培訓(xùn)。

功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS領(lǐng)域累計(jì)授權(quán)發(fā)明專利超過50項(xiàng)，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號(hào)近百種。

1. 痛點(diǎn)問題 功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實(shí)現(xiàn)3060雙碳目標(biāo)，我國正在超常規(guī)推動(dòng)新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對電壓等級(jí)4.5kV以上的功率器件需求急速增長。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺(tái)建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機(jī)理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級(jí)為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。 2020年，中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)2000億元，但90%以上依賴進(jìn)口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進(jìn)口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)替代方案。 2. 解決方案 本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設(shè)計(jì)、制備和驅(qū)動(dòng)控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運(yùn)行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動(dòng)供電問題等，從而實(shí)現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。 目前團(tuán)隊(duì)已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級(jí)全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)等突出優(yōu)勢，符合能源發(fā)展趨勢，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。

針對汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設(shè)備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環(huán)境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩(wěn)定性更好、可靠性更高，本團(tuán)隊(duì)首次采用超聲輔助納米燒結(jié)的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導(dǎo)熱界面制造提供了新材料和新工藝。

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時(shí)，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時(shí)由于芯片的不斷集成化和微型化，導(dǎo)致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術(shù)已經(jīng)不能滿足散熱要求。本技術(shù)開發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低溫高效換熱，傳熱系數(shù)高達(dá)26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。

本發(fā)明涉及光伏并網(wǎng)逆變器技術(shù)領(lǐng)域。包括由功率電路組成的功率逆變單元和逆變控制單元兩部分，功率逆變單元主要包括輸入EMI 濾波電路、交錯(cuò)并聯(lián) Boost 升壓電路、采用混合器件的全橋逆變電路、輸出并網(wǎng)濾波電路，逆變控制單元主要包括電網(wǎng)相位檢測電路、采樣電路、及控制器。本發(fā)明采用雙級(jí)結(jié)構(gòu)，前級(jí)采用交錯(cuò)并聯(lián) Boost升壓，減小了電流的波動(dòng)，降低了輸出電壓紋波；后級(jí)逆變單元采用混合功率器件，有效減小了逆變損耗，提高系統(tǒng)效率

課題組基于NiO生長工藝和異質(zhì)PN的前期研究基礎(chǔ)（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），設(shè)計(jì)了結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Junction Termination Extension, JTE），并優(yōu)化退火工藝，成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管。

本工作中，基于安徽大學(xué)微納加工平臺(tái)以及香港科技大學(xué)納米系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)制造中心聯(lián)合制造出了兩款氮化鎵功率器件，分別實(shí)現(xiàn)了電壓驅(qū)動(dòng)/電流驅(qū)動(dòng)的柵極結(jié)構(gòu)，為后續(xù)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和研發(fā)提供了器件技術(shù)支持；工作中也同時(shí)提出了兩種結(jié)構(gòu)在高溫下的穩(wěn)定性模型，為進(jìn)一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎(chǔ)。