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一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法， 包括多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串，每一個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個(gè)分立的電荷存儲(chǔ)層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個(gè)電荷存儲(chǔ)層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種直流激勵(lì)磁場(chǎng)下的非侵入式快速溫度變化的測(cè)量方法
本發(fā)明公開了一種直流激勵(lì)磁場(chǎng)下的非侵入式快速溫度變化測(cè)量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測(cè)對(duì)象處；(2)對(duì)所述鐵磁性粒子所在區(qū)域施加直流磁場(chǎng)使所述鐵磁性粒子達(dá)到飽和磁化狀態(tài)；(3)獲得待測(cè)對(duì)象在常溫下的穩(wěn)態(tài)溫度 T1，根據(jù)所述穩(wěn)態(tài)溫度 T1 計(jì)算出鐵磁性粒子的初始自發(fā)磁化強(qiáng)度 M1；(4)當(dāng)待測(cè)對(duì)象發(fā)生溫度變化后，測(cè)量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強(qiáng)度變化信號(hào)的幅值 A，根據(jù)所述磁化強(qiáng)度變化信號(hào)的幅值 A 計(jì)算得到
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于微流控芯片粒子捕獲式的單粒子散射測(cè)量方法
本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測(cè)量 方法，包括微流控芯片的設(shè)計(jì)制作、測(cè)量環(huán)境配置、對(duì)準(zhǔn)、單粒子的 捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建以及單粒子大角度的散射分布的測(cè)定等相關(guān) 方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于結(jié)合了微流控芯片粒子捕獲技術(shù)，克服 了單粒子的大角度散射、大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的光散射特性測(cè)量方法的不足， 實(shí)現(xiàn)了單粒子大角度散射分布的測(cè)量
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于光學(xué)散射測(cè)量的基于擬合誤差插值的庫匹配方法
本發(fā)明公開了一種用于光學(xué)散射測(cè)量的基于擬合誤差插值的庫匹配方法，包括：確定樣品待測(cè)結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化范圍并對(duì)其執(zhí)行離散化處理，將所獲得的離散網(wǎng)格點(diǎn)及其對(duì)應(yīng)理論光譜值儲(chǔ)存到光譜庫中；獲得待測(cè)樣品的測(cè)量光譜并計(jì)算出離散網(wǎng)格點(diǎn)對(duì)應(yīng)的測(cè)量光譜值與理論光譜值之間的擬合誤差，然后將其同樣儲(chǔ)存到光譜庫中；為擬合誤差設(shè)定閾值并執(zhí)行粗搜索，利用搜索出的擬合誤差所對(duì)應(yīng)的離散網(wǎng)格點(diǎn)來構(gòu)建候選參數(shù)集，并對(duì)擬合誤差執(zhí)行多維插值處理獲得相應(yīng)的擬合誤差插值函數(shù)；基于擬合誤差插值函數(shù)細(xì)搜索找出全局最優(yōu)點(diǎn)，其所對(duì)應(yīng)的參數(shù)值即為最終確定的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個(gè)繞組橋臂及一個(gè)共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數(shù)，2N 個(gè)繞組橋臂分為 N 個(gè) A 組繞組橋臂以及 N 個(gè) B 組繞組橋臂，每一個(gè)繞組橋臂設(shè)置一個(gè)可控開關(guān)，共用橋臂設(shè)置 2 個(gè) 可控開關(guān)，通過改變可控開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間控制通過每個(gè)繞組的電流， 實(shí)現(xiàn)對(duì)多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵(lì)磁電流在 公共接點(diǎn)處相互抵消，改變了以往結(jié)構(gòu)共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過共用橋臂可控開關(guān)的電流，降低了開
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種短路電流零點(diǎn)預(yù)測(cè)方法及短路電流選相分?jǐn)嗫刂品椒?/span>
本發(fā)明公開了一種短路電流零點(diǎn)預(yù)測(cè)方法及短路電流選相分?jǐn)?控制方法，短路電流選相分?jǐn)嗫刂品椒ò?S1 實(shí)時(shí)采集電流信號(hào)，并 判斷是否發(fā)生短路故障，若是，則轉(zhuǎn)入步驟 S2，若否，則繼續(xù)采集電 流信號(hào)；S2 采用類-Prony 方法對(duì)短路電流進(jìn)行處理，獲得短路電流零 點(diǎn)；S3 根據(jù)短路電流零點(diǎn)、斷路器的分閘動(dòng)作時(shí)間和最佳燃弧時(shí)間獲 得距離目標(biāo)相位的延時(shí)時(shí)間；S4 判斷繼電保護(hù)指令是否達(dá)到，若是， 則直接分?jǐn)嚅_關(guān)，若否，則進(jìn)入延時(shí)倒計(jì)時(shí)；S5 判斷延時(shí)倒計(jì)時(shí)時(shí)間 是否為 0，若是，則轉(zhuǎn)入步驟 S6，若否，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于復(fù)雜零件的固熔復(fù)合增材成形方法
本發(fā)明公開了一種適用于復(fù)雜零件的固熔復(fù)合增材成形方法， 該方法包括以下步驟：建立金屬零件 CAD 幾何模型，然后提取 STL 模型，利用分層切片軟件以分層厚度為單位對(duì) STL 模型進(jìn)行合理分層 并提取各層的輪廓信息，由計(jì)算機(jī)根據(jù)這些輪廓信息生成控制指令； 通過切割裝置用該層對(duì)應(yīng)的數(shù)控指令沿該層的輪廓軌跡切割該層板 料；按照各層的排列次序通過焊料依次將各層板料進(jìn)行粘合，以此完 成整個(gè)零件的粘合處理；粘合處理后的整個(gè)零件進(jìn)行加熱，以實(shí)現(xiàn)固 熔復(fù)合熔接成形，以此方式，完成復(fù)雜零件的增材成形。本發(fā)明與現(xiàn) 有
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于靜電紡絲工藝制備高比表面積碳纖維布的方法
本發(fā)明公開了一種基于靜電紡絲工藝制備高比表面積碳纖維布 的方法，包括：(a)將聚丙烯腈溶入到二甲基甲酰胺中并混合均勻，然 后基于靜電紡絲工藝生成納米量級(jí)的高分子聚合物細(xì)絲；(b)將所生成 的高分子聚合物細(xì)絲執(zhí)行纏繞，并形成微米量級(jí)的高分子聚合物細(xì)線； 然后采用該高分子聚合物細(xì)線作為緯線和經(jīng)線，交織形成布狀結(jié)構(gòu)； (c)在保護(hù)氣氛下，將布狀結(jié)構(gòu)在 800℃～900℃的溫度下執(zhí)行熱解，并 使得高分子聚合物碳化生成碳纖維布；(d)使得碳纖維布的表面活化， 由此制得所需的碳纖維布產(chǎn)品。通過本發(fā)明，能夠制得具
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種可生物降解的纖維素共混材料及其制備方法
本發(fā)明公開了一種可生物降解的纖維素共混材料及其制備方法， 共混材料包括纖維素、離子液體和可生物降解聚合物，聚合物含量為 10～90wt％，離子液體含量為 2～63wt％，余量為纖維素；離子液體 作為增塑劑，破壞纖維素分子間氫鍵和增加自由體積，在熱機(jī)械作用 下賦予纖維素分子鏈充分的運(yùn)動(dòng)能力。方法是將離子液體與纖維素充 分混合后進(jìn)行混煉，得到離子液體-纖維素基料，再將其與聚合物進(jìn)行 熔融共混。本發(fā)明不僅具有可反復(fù)成型加工
華中科技大學(xué)
2021-04-14