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本項(xiàng)目提出一種創(chuàng)新的集成電路(IC)制造工藝路線，即壓印光刻(Imprint Lithography－IL)技術(shù)，并對(duì)該技術(shù)相關(guān)的壓印和脫模工藝機(jī)理、紫外光固化阻蝕膠材料的物化和工藝特性、與IC制造其它工藝的綜合集成和優(yōu)化、壓印光刻設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)等進(jìn)行研究和技術(shù)開發(fā)。其基本原理為：以電子束直寫刻蝕(或其它刻蝕技術(shù))生成IC圖型母板(模具)，以母板(模具)步

本發(fā)明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，包括：用 于浸液流動(dòng)的浸液管路，待溫控的浸液通過一管路進(jìn)口進(jìn)入該浸液管 路，溫控處理后的具有穩(wěn)定溫度的浸液通過該浸液管路的出口輸出； 用于對(duì)所述浸液進(jìn)行冷卻的工藝?yán)鋮s液回路，工藝?yán)鋮s液在該回路中 循環(huán)流動(dòng)；以及多個(gè)熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和 工藝?yán)鋮s水回路同時(shí)流經(jīng)每個(gè)熱交換器，并利用各熱交換器分別依次 完成工藝?yán)鋮s液和浸液之間的熱交換，從而通過多次換熱獲得具有穩(wěn) 定溫度的浸液，實(shí)現(xiàn)對(duì)浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置系統(tǒng)采用內(nèi)部 回流結(jié)構(gòu)與多級(jí)熱交換器相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)對(duì)浸液溫度的多級(jí)控制，可以 實(shí)現(xiàn)浸沒光刻中對(duì)浸液穩(wěn)定的精確穩(wěn)定的控制，提供溫控效率。 

本發(fā)明公開了一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，該方法首先依據(jù)表 征掩模的網(wǎng)格格點(diǎn)尺寸大小對(duì)掩模進(jìn)行分級(jí)，在粗網(wǎng)格上快速求解掩 模，然后對(duì)在粗網(wǎng)格上求解得到的掩模進(jìn)行插值傳播到下一級(jí)較細(xì)網(wǎng) 格上進(jìn)行細(xì)化校正，最終實(shí)現(xiàn)了掩模的快速優(yōu)化。 

微納米結(jié)構(gòu)成形是光電子制造中的核心工藝之一。壓印光刻克服了傳統(tǒng)光學(xué)光刻中光學(xué)衍射效應(yīng)的限制，是一種經(jīng)濟(jì)、高效、高分辨的結(jié)構(gòu)成形方法。 正在探索的壓印工藝方法包括：UV-NIL、模板電誘導(dǎo)自組裝納米成形、電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)納米壓印等。   正在探討壓印光刻的應(yīng)用領(lǐng)域包括：集成電路(IC)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、生物微流控、光波導(dǎo)、光或磁存儲(chǔ)、有機(jī)光電子、平板顯示等器件的制造。

研發(fā)階段/n1、在該方向發(fā)表論文10余篇，Nature子刊，Science子刊各一篇。。2、申報(bào)和獲得該方向相關(guān)發(fā)明專利8項(xiàng)。其中1項(xiàng)授權(quán)轉(zhuǎn)讓給Facebook，Sony和中國(guó)一家企業(yè)。在華中科技大學(xué)申報(bào)5項(xiàng)發(fā)明專利，依托武漢舒博光電技術(shù)有限公司申報(bào)2項(xiàng)發(fā)明專利。。3、研發(fā)出2代超分辨納米光刻樣機(jī)。。4、配備光學(xué)裝備開發(fā)專門團(tuán)隊(duì)，初步建成光學(xué)精密制造和檢測(cè)平臺(tái)。

本發(fā)明公開了一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，該方法首先依據(jù)表征掩模的網(wǎng)格格點(diǎn)尺寸大小對(duì)掩模進(jìn)行分級(jí)，在粗網(wǎng)格上快速求解掩模，然后對(duì)在粗網(wǎng)格上求解得到的掩模進(jìn)行插值傳播到下一級(jí)較細(xì)網(wǎng)格上進(jìn)行細(xì)化校正，最終實(shí)現(xiàn)了掩模的快速優(yōu)化。

本發(fā)明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，包括：用于浸液流動(dòng)的浸液管路，待溫控的浸液通過一管路進(jìn)口進(jìn)入該浸液管路，溫控處理后的具有穩(wěn)定溫度的浸液通過該浸液管路的出口輸出；用于對(duì)所述浸液進(jìn)行冷卻的工藝?yán)鋮s液回路，工藝?yán)鋮s液在該回路中循環(huán)流動(dòng)；以及多個(gè)熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和工藝?yán)鋮s水回路同時(shí)流經(jīng)每個(gè)熱交換器，并利用各熱交換器分別依次完成工藝?yán)鋮s液和浸液之間的熱交換，從而通過多次換熱獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，實(shí)現(xiàn)對(duì)浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置系統(tǒng)采用內(nèi)部回流結(jié)構(gòu)與多級(jí)熱交換器相結(jié)合，

懸賞金額：50萬元 發(fā)榜企業(yè)：惠州市強(qiáng)達(dá)電子工業(yè)有限公司 需求領(lǐng)域：特種功能材料 LED前沿與核心技術(shù) 精細(xì)化工 電子材料、半導(dǎo)體材料高分子、復(fù)合材料 產(chǎn)業(yè)集群：先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)集群 技術(shù)關(guān)鍵詞：光刻樹脂; 光刻膠; 特種硅樹脂; 高性能硅橡膠; 紫外光固化技術(shù)

1.痛點(diǎn)問題 光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國(guó)家的戰(zhàn)略資源之一。半導(dǎo)體光刻膠的核心在于成膜樹脂，受限于研發(fā)難度大、專利壁壘高、資金投入多、準(zhǔn)入門檻高，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。 2.解決方案 本項(xiàng)技術(shù)采用了國(guó)際最前沿的納米氧化物團(tuán)簇材料的工藝路線，可以實(shí)現(xiàn)單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導(dǎo)體3nm制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo)優(yōu)異，其曝光劑量遠(yuǎn)低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項(xiàng)技術(shù)具有多種半導(dǎo)體光刻膠兼容性，可以生產(chǎn)248nm和193nm光源的半導(dǎo)體光刻膠成膜樹脂，以及電子束半導(dǎo)體掩膜用光刻膠成膜樹脂，具有廣闊的技術(shù)替代優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)應(yīng)用前景。 3.合作需求 本項(xiàng)技術(shù)已設(shè)立衍生企業(yè)，位于江蘇常州的3000m2研發(fā)生產(chǎn)中心正在建設(shè)中。 1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬元。 2）資源對(duì)接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產(chǎn)企業(yè)，地方政府等。

目前半導(dǎo)體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學(xué)增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團(tuán)的成膜材料和光產(chǎn)酸劑組成，這種體系最大的問題是光產(chǎn)酸在后烘階段會(huì)發(fā)生酸遷移，導(dǎo)致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產(chǎn)酸劑，且其光產(chǎn)酸是高分子強(qiáng)酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們?cè)谄毓膺^程中產(chǎn)生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產(chǎn)酸劑與其它成膜材料一起組成化學(xué)增幅型光致抗蝕劑。 以之為產(chǎn)酸劑與其它部分保護(hù)的對(duì)羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學(xué)增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對(duì)羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護(hù)部分酚羥基，由其組成了單組分的化學(xué)增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現(xiàn)。  利用高分子產(chǎn)酸劑透明性好的特點(diǎn)，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達(dá)5：1的光刻圖形：  在此基礎(chǔ)上，還制備了負(fù)型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現(xiàn)。這些高分子光產(chǎn)酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應(yīng)條件溫和可控，去金屬雜質(zhì)的方法也是簡(jiǎn)便易行，成本相對(duì)低廉，在經(jīng)過多年的深入研究之后，完全具備了產(chǎn)業(yè)化的條件。 半導(dǎo)體加工的關(guān)鍵設(shè)備、材料主要掌握在美、日手中，對(duì)我國(guó)電子工業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關(guān)鍵材料，日本公司的產(chǎn)品占據(jù)全球市場(chǎng)的70%以上，而我國(guó)在中高端產(chǎn)品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進(jìn)口，即便是低端的i-線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉(zhuǎn)這種不利的局面，這需要科研工作者和產(chǎn)業(yè)界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會(huì)的廣泛關(guān)注，已有多家企業(yè)開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，但絕大部分仍處于研發(fā)階段。我們研制的光刻膠具備了產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)條件并具有與國(guó)外先進(jìn)光刻膠產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)的產(chǎn)品性能。    半導(dǎo)體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國(guó)家十五“863”光刻膠重大專項(xiàng)開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結(jié)果，也在致力于這些光刻膠產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化。 相關(guān)項(xiàng)目、專利及文章： 1.國(guó)家重大科技專項(xiàng)（02專項(xiàng)）子課題,課題編號(hào):2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產(chǎn)酸劑及新型成膜樹脂的擴(kuò)試技術(shù)研究） 2.國(guó)家自然科學(xué)基金應(yīng)急管理項(xiàng)目，51641301, 含光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學(xué)增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應(yīng)用，中國(guó)發(fā)明專利，專利號(hào)：9。