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一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，該方法首先依據(jù)表 征掩模的網(wǎng)格格點(diǎn)尺寸大小對(duì)掩模進(jìn)行分級(jí)，在粗網(wǎng)格上快速求解掩 模，然后對(duì)在粗網(wǎng)格上求解得到的掩模進(jìn)行插值傳播到下一級(jí)較細(xì)網(wǎng) 格上進(jìn)行細(xì)化校正，最終實(shí)現(xiàn)了掩模的快速優(yōu)化。 

華中科技大學(xué) 2021-04-11

一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，該方法首先依據(jù)表征掩模的網(wǎng)格格點(diǎn)尺寸大小對(duì)掩模進(jìn)行分級(jí)，在粗網(wǎng)格上快速求解掩模，然后對(duì)在粗網(wǎng)格上求解得到的掩模進(jìn)行插值傳播到下一級(jí)較細(xì)網(wǎng)格上進(jìn)行細(xì)化校正，最終實(shí)現(xiàn)了掩模的快速優(yōu)化。

華中科技大學(xué) 2021-04-14

14?納米CMOS?量產(chǎn)工藝中光源掩模協(xié)同優(yōu)化技術(shù)

已有樣品/n微電子所先導(dǎo)中心韋亞一研究員團(tuán)隊(duì)與中芯國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)圍繞14 納米CMOS 量產(chǎn)工藝中光源掩模協(xié)同優(yōu)化技術(shù)開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)并取得顯著進(jìn)展，完成了后段制程中多層關(guān)鍵層的光源優(yōu)化工作，包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X 等。優(yōu)化后光源通過(guò)晶圓數(shù)據(jù)驗(yàn)證評(píng)估，較原有光源在各項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)上有顯著提升，保證了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中光刻工藝的穩(wěn)定性。

中國(guó)科學(xué)院大學(xué) 2021-01-12

壓印法集成電路光刻技術(shù)

本項(xiàng)目提出一種創(chuàng)新的集成電路(IC)制造工藝路線，即壓印光刻(Imprint Lithography－IL)技術(shù)，并對(duì)該技術(shù)相關(guān)的壓印和脫模工藝機(jī)理、紫外光固化阻蝕膠材料的物化和工藝特性、與IC制造其它工藝的綜合集成和優(yōu)化、壓印光刻設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)等進(jìn)行研究和技術(shù)開(kāi)發(fā)。其基本原理為：以電子束直寫(xiě)刻蝕(或其它刻蝕技術(shù))生成IC圖型母板(模具)，以母板(模具)步

西安交通大學(xué) 2021-01-12

用于浸沒(méi)式光刻的浸液溫控裝置

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于浸沒(méi)式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，包括：用 于浸液流動(dòng)的浸液管路，待溫控的浸液通過(guò)一管路進(jìn)口進(jìn)入該浸液管 路，溫控處理后的具有穩(wěn)定溫度的浸液通過(guò)該浸液管路的出口輸出； 用于對(duì)所述浸液進(jìn)行冷卻的工藝?yán)鋮s液回路，工藝?yán)鋮s液在該回路中 循環(huán)流動(dòng)；以及多個(gè)熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和 工藝?yán)鋮s水回路同時(shí)流經(jīng)每個(gè)熱交換器，并利用各熱交換器分別依次 完成工藝?yán)鋮s液和浸液之間的熱交換，從而通過(guò)多次換熱獲得具有穩(wěn) 定溫度的浸液，實(shí)現(xiàn)對(duì)浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置系統(tǒng)采用內(nèi)部 回流結(jié)構(gòu)與多級(jí)熱交換器相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)對(duì)浸液溫度的多級(jí)控制，可以 實(shí)現(xiàn)浸沒(méi)光刻中對(duì)浸液穩(wěn)定的精確穩(wěn)定的控制，提供溫控效率。 

華中科技大學(xué) 2021-04-11

微納米壓印光刻工藝及裝備

微納米結(jié)構(gòu)成形是光電子制造中的核心工藝之一。壓印光刻克服了傳統(tǒng)光學(xué)光刻中光學(xué)衍射效應(yīng)的限制，是一種經(jīng)濟(jì)、高效、高分辨的結(jié)構(gòu)成形方法。 正在探索的壓印工藝方法包括：UV-NIL、模板電誘導(dǎo)自組裝納米成形、電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)納米壓印等。   正在探討壓印光刻的應(yīng)用領(lǐng)域包括：集成電路(IC)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、生物微流控、光波導(dǎo)、光或磁存儲(chǔ)、有機(jī)光電子、平板顯示等器件的制造。

西安交通大學(xué) 2021-04-11

超衍射極限納米光刻機(jī)技術(shù)

研發(fā)階段/n1、在該方向發(fā)表論文10余篇，Nature子刊，Science子刊各一篇。。2、申報(bào)和獲得該方向相關(guān)發(fā)明專(zhuān)利8項(xiàng)。其中1項(xiàng)授權(quán)轉(zhuǎn)讓給Facebook，Sony和中國(guó)一家企業(yè)。在華中科技大學(xué)申報(bào)5項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利，依托武漢舒博光電技術(shù)有限公司申報(bào)2項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利。。3、研發(fā)出2代超分辨納米光刻樣機(jī)。。4、配備光學(xué)裝備開(kāi)發(fā)專(zhuān)門(mén)團(tuán)隊(duì)，初步建成光學(xué)精密制造和檢測(cè)平臺(tái)。

華中科技大學(xué) 2021-01-12

用于浸沒(méi)式光刻的浸液溫控裝置

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于浸沒(méi)式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，包括：用于浸液流動(dòng)的浸液管路，待溫控的浸液通過(guò)一管路進(jìn)口進(jìn)入該浸液管路，溫控處理后的具有穩(wěn)定溫度的浸液通過(guò)該浸液管路的出口輸出；用于對(duì)所述浸液進(jìn)行冷卻的工藝?yán)鋮s液回路，工藝?yán)鋮s液在該回路中循環(huán)流動(dòng)；以及多個(gè)熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和工藝?yán)鋮s水回路同時(shí)流經(jīng)每個(gè)熱交換器，并利用各熱交換器分別依次完成工藝?yán)鋮s液和浸液之間的熱交換，從而通過(guò)多次換熱獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，實(shí)現(xiàn)對(duì)浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置系統(tǒng)采用內(nèi)部回流結(jié)構(gòu)與多級(jí)熱交換器相結(jié)合，

華中科技大學(xué) 2021-04-14

光刻膠及液體硅橡膠的開(kāi)發(fā)

懸賞金額：50萬(wàn)元 發(fā)榜企業(yè)：惠州市強(qiáng)達(dá)電子工業(yè)有限公司 需求領(lǐng)域：特種功能材料 LED前沿與核心技術(shù) 精細(xì)化工 電子材料、半導(dǎo)體材料高分子、復(fù)合材料 產(chǎn)業(yè)集群：先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)集群 技術(shù)關(guān)鍵詞：光刻樹(shù)脂; 光刻膠; 特種硅樹(shù)脂; 高性能硅橡膠; 紫外光固化技術(shù)

惠州市強(qiáng)達(dá)電子工業(yè)有限公司 2021-11-02

半導(dǎo)體光刻膠成膜樹(shù)脂制備技術(shù)

1.痛點(diǎn)問(wèn)題 光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國(guó)家的戰(zhàn)略資源之一。半導(dǎo)體光刻膠的核心在于成膜樹(shù)脂，受限于研發(fā)難度大、專(zhuān)利壁壘高、資金投入多、準(zhǔn)入門(mén)檻高，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。 2.解決方案 本項(xiàng)技術(shù)采用了國(guó)際最前沿的納米氧化物團(tuán)簇材料的工藝路線，可以實(shí)現(xiàn)單2nm小分子的光刻膠成膜樹(shù)脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導(dǎo)體3nm制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo)優(yōu)異，其曝光劑量遠(yuǎn)低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項(xiàng)技術(shù)具有多種半導(dǎo)體光刻膠兼容性，可以生產(chǎn)248nm和193nm光源的半導(dǎo)體光刻膠成膜樹(shù)脂，以及電子束半導(dǎo)體掩膜用光刻膠成膜樹(shù)脂，具有廣闊的技術(shù)替代優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)應(yīng)用前景。 3.合作需求 本項(xiàng)技術(shù)已設(shè)立衍生企業(yè)，位于江蘇常州的3000m2研發(fā)生產(chǎn)中心正在建設(shè)中。 1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬(wàn)元。 2）資源對(duì)接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產(chǎn)企業(yè)，地方政府等。

清華大學(xué) 2022-07-12