南京大學通過承擔國家“863”計劃項目的研究,已經掌握InN材料以及高In組分InGaN材料的生長技術,研制的InN材料電子遷移率達到935cm2/v*s,達到國際先進水平。并且已經取得了InGaN太陽能電池的制備技術。申請了多項國家發明專利。該太陽能電池采用In0.3Ga0.7N的薄膜材料,電極采用MSM結構。從圖中可以看出,隨著外加偏壓的增大,電流響應率也隨之逐漸增大。該電池的光電響應率達到2100A/W(450nm,3V)。