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低粗糙度低方阻的柔性透明導電復合薄膜及其制備方法
本發明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發明還公開了該
華中科技大學
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導體材料 與器件制備領域，解決現有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實現禁帶寬度和能帶位置的連續可調，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機半導體材料。本發明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學
2021-04-14
基于柔性鐵電薄膜的流體驅動式壓電傳感器及其制備方法
本發明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅動式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側的電極凹槽；微流控芯片基片還設有進樣口、出樣口和銀漿注入口，進樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發明制作簡單，成本低廉
武漢大學
2021-04-14
一種制備高臨界電流密度釔鋇銅氧超導薄膜的方法
本新技術成果（ZL200910058055.7）于2012年3月21日授權。
西南交通大學
2016-06-27
密封真空光纖饋通法蘭真空室導光半導體和薄膜處理應用
北京錦正茂科技有限公司
2022-01-25
PT100鉑電阻溫度傳感器低溫測量薄膜型鉑熱電阻
北京錦正茂科技有限公司
2022-02-10
PT100鉑熱電阻低溫溫度計薄膜型溫度傳感器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-05
一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的系統及方法
本發明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的系統及其方法，所述系統沿著薄膜輸送方向依次包括開卷裝置、第一檢測裝置、上料裝置、壓合裝置、第二檢測裝置、裁切裝置、第三檢測裝置、下料裝置以及收卷裝置。其中開卷和收卷裝置分別用于將薄膜展開和纏繞收卷，上料和壓合裝置分別用于真空吸附片材和將片材在薄膜上疊合，裁切裝置用于對復合疊層執行斷點切斷，第一、第二和第三檢測裝置用于檢測柔性薄膜的輸送、疊合對位和裁切效果予以檢測和反饋，下料裝置用于對復合疊層執行下料及分類處理。通過本發明，能夠保證薄膜的穩定輸送及其與片材之間的精確定位，防止片材出現彎曲和脆裂現象，而且便于對復合疊層進行裁切和分類處理。
華中科技大學
2021-04-11
摻鋁氧化鋅薄膜的退火真空度和氬離子濺射清洗工藝控制
摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無毒環保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優點，而后續處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導電薄膜性能的關鍵。為此我們研究 105 到 10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規律，發現：電阻率的降低集中在相對狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa 到 10 Pa 之間，電阻率陡降了 2 個數量級。電阻率在 10 Pa 退火時達到最小值，繼續提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續降低。這一研究結果不僅澄清了以往對溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續工藝處理的模糊認識，而且對實際生產工藝具有重要的指導意義，例如以此為根據，選擇合適的真空度退火，達到既滿足產品的性能指標，又能節能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS 的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+ 對 Zn2+ 離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用 Ar+ 離子對退火后的樣品進行反濺射清洗，能進一步提高電導率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結構，能將入射太陽光分散到各個角度。用作太陽能電池電極時，能有效增強太陽能電池內的光吸收材料對入射太陽光的捕獲，提高光能利用率。
遼寧大學
2021-04-11
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜
本發明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學介質層的兩個外表面上；在加電態下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅控，向各納電場中電場強度最強部位聚集。本發明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學
2021-04-14