|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
近代物理所MAX相材料輻照效應研究取得進展
近日，中國科學院近代物理研究所在MAX相材料中氦離子（He）與重離子共同輻照損傷效應研究中獲進展，揭示了材料中氦行為與輻照損傷的關系。
近代物理研究所
2022-11-07
氣相燃燒制備納米二氧化鈦
納米二氧化鈦 (10-50nm) 具有特異的光學性能、催化性能等，被廣泛應用于汽車工業、催 化劑、防曬化妝品、高檔油漆、農用薄膜以及精細陶瓷等領域。目前國內納米二氧化鈦的市場 已有相當量的需求，估計在1萬噸/年左右，市場份額高達20億元，主要從國外進口，進口價超 過3萬美元/噸。本項目計劃建設200噸/年規模的氣相燃燒制備納米二氧化鈦生產裝置，利用氫 氧焰燃燒生產納米二氧化鈦。項目建設總投資為2000萬元，建設期為1.5年。項目投產后可以形 成4000－5000萬元的產值，利潤超過1500萬元。
華東理工大學
2021-04-11
三相流態化煙氣脫硫脫硝除塵技術
有效解決了對化石燃料（煤、石油和天然氣等）和固體廢棄物燃燒產生的煙氣中含有粉塵顆粒、SOx、NOx等對環境有害成分的凈化難題。
東南大學
2021-04-10
利用晶相共生現象可控合成異質結光催化材料
基于半導體異質結概念，首次通過工藝簡單，成本低廉熔融鹽法合成一系列鉭酸鈣基半導體異質結復合材料，發現了兩元及多元半導體復合物組分及其含量可通過改變前驅物比例簡單調控，證明該異質結復合物相，組分變化與光催化制氫性能有著密切關系，闡明不同鉭酸鈣晶相界面異質結形成促進光生電荷有效分離機制，極大地提高光催化制氫性能。
上海理工大學
2021-04-10
氣相法合成SAPO-34分子篩
1984年美國聯合碳化公司開發出了一系列磷酸硅鋁分子篩，其中SAPO-34分子篩具有類似菱沸石型結構，屬于小孔沸石，可用作吸附劑，催化劑及催化劑載體。在甲醇制烯烴(MTO)反應中表現出了很好的催化活性，低碳烯烴選擇性高達90%以上，其中乙烯的選擇性可達50%以上，幾乎沒有C5以上產物。
南京工業大學
2021-01-12
浸沒相轉化法制備PVDF中空纖維超/微膜技術
1） 海綿狀的完整非對稱結構使膜絲具有卓越的機械性能，延長了膜組件的使用壽命；2） 互穿的網絡化支撐層孔隙充分降低了流體的透過阻力，膜通量提高了30～50%，膜絲的拉伸強度從2.5 MPa提高到4.5MPa。同時膜絲表面孔徑分布均一，保證了膜的過濾精度；3） 制備過程中引入嵌段共聚物使膜具有極好的親水性及優異的抗污染性能；4） 聚偏氟乙烯(PVDF)膜材料具有優異的化學穩定性，可耐受5000ppm的游離氯濃度，適用的pH范圍廣，不易受到酸堿等化學品的腐蝕。
南京工業大學
2021-04-13
等離子體增強化學氣相沉積（PCVD）技術
等離子體增強化學氣相沉積（PCVD）技術是在一定溫度和氣壓的真空爐內通入工作氣體，產生輝光放電，激活沉積反應，從而在基材表面形成耐磨損、抗氧化的陶瓷涂層。本項目為PCVD工業生產型設備及模具強化成套技術，1999年1月通過了國家教育部組織的技術鑒定，認為該項目在設備總體結構的優化設計、逆變式脈沖直流等離子體技術、脈沖直流PCVD法制備高性能TiN陶瓷涂層和
西安交通大學
2021-01-12
一種細化稀土鎂合金中富稀土相的方法
本發明屬于金屬材料的制備及鑄造成形技術領域，涉及到一種 細化稀土鎂合金中富稀土相的方法。稀土鎂合金中的“稀土”是指鎂 合金中含有以下稀土元素中的一種、二種或多種：RE(RE 為 Ce 及 La 混合稀土，其中 Ce 的質量百分比為 50％～70％，余量為 La)0.5％～ 4％；Y-0.5～2％；Nd2～3％；Gd-1～5％，等。將高于液相線溫度 0～ 40℃的鎂合金液澆入到預熱至預設溫度的盛漿容器內，降下變幅桿至 金屬液面以下 1～25mm，同時啟動超聲振動。超聲振動時間為 1～ 8min，振動結束后，金屬熔體溫度控制在液相線溫度以下 5～50℃。 振動后的金屬熔體成形得到的鎂合金零件，晶粒尺寸和富稀土相尺寸 要比未超聲振動的組織細化很多，本發明可用于稀土鎂合金的制漿工 藝、后續流變鑄造以及稀土鎂合金零件的成形。
華中科技大學
2021-04-13
限進克倫特羅分子印跡固相提取整體柱
限進克倫特羅分子印跡整體柱是可以用于生物樣品中的克倫特羅選擇性提取的固相萃取柱。是一種新型的多功能分離材料，這種材料結合了分子印跡和限進材料雙重特性。材料中有分子印跡聚合物層，具有對于克倫特羅的識別位點，對克倫特羅及其結構類似物具有很強的選擇性親和能力；材料也具有大分子限進層，可以對大分子進行排阻，使其不能進入內部分子印跡結合層，避免生物樣品中的蛋白在柱上沉淀及對于識別性結合的干擾。 限進克倫特羅分子印跡整體柱用于生物樣品中克倫特羅的分析時，樣品可
南開大學
2021-04-14
采用氫化物氣相外延（HVPE） 技術制備 GaN 襯底
成果簡介隨著技術發展， 對于大功率白光 LED 而言， 發光效率的提高一直是個瓶頸。針對 GaN 基器件， 由于同質 GaN 襯底價格昂貴， 因此一直沒有被普遍應用到 GaN基材料生長領域。 目前一般采用在異質襯底上生長 GaN 基材料， 國內外一般采用藍寶石襯底、 碳化硅襯底、 硅襯底等等。 這導致 GaN 基材料與異質襯底之間的熱膨脹系數、 晶格系數的不匹配， 從而 GaN 基材料中缺陷密度很高， 一般在 105～108/cm2 量級。 高密度的缺陷直接導致光電器件發
安徽工業大學
2021-04-14