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基于電壓差值和電流差值測(cè)量變壓器能效的裝置及方法
本發(fā)明提出一種基于電壓差值和電流差值測(cè)量變壓器能效的裝置及方法。它涉及到功率測(cè)量和能效 計(jì)量領(lǐng)域，它是為了提高能效測(cè)量的精度。本方法使用電壓、電流取差值以降低被測(cè)量（功率）的量級(jí) 差異，通過(guò)適當(dāng)?shù)碾娐纷儞Q，將被測(cè)量變壓器的損耗功率從輸入功率與輸出功率的差值，變?yōu)閮蓚€(gè)較小 功率之和加以測(cè)量。這種測(cè)量方法可以將兩個(gè)較大電學(xué)量的差值測(cè)量轉(zhuǎn)化為兩個(gè)較小電學(xué)量的總和，從 而提高測(cè)量精度。本方法可以在變壓器運(yùn)行狀態(tài)下進(jìn)行能效測(cè)量，相比于變壓器離線檢測(cè)更具有
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種適用于 RFID 安全通信的橢圓曲線加密協(xié)處理器
本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于 RFID 安全通信的橢圓曲線加密協(xié)處 理器，所述協(xié)處理器包括寄存器陣列、模算術(shù)邏輯單元和 ECC 協(xié)處理 器指令控制器，所述寄存器陣列用于存儲(chǔ)橢圓曲線加密計(jì)算過(guò)程中的 橢圓曲線參數(shù)、私鑰、計(jì)算過(guò)程數(shù)據(jù)以及計(jì)算結(jié)果；所述模算術(shù)邏輯 單元包括加法電路、乘法電路、平方電路、控制單元和寄存器 T，用 于完成加法、乘法、平方運(yùn)算；所述 ECC 協(xié)處理器指令控制器用于對(duì) 所述模算數(shù)邏輯單元發(fā)送加法、乘法、
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長(zhǎng)的隧穿氧化 層、電荷存儲(chǔ)層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲(chǔ)層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢(shì)壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種模塊化多電平換流器功率運(yùn)行區(qū)間的獲取方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種模塊化多電平換流器功率運(yùn)行區(qū)間的獲取方 法，包括下述步驟：(1)根據(jù)已知的模塊化多電平換流器的基本參數(shù)， 建立旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下模塊化多電平換流器的穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型；(2)確定 要考慮的運(yùn)行約束條件；(3)根據(jù)穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型計(jì)算各約束條件下 功率運(yùn)行區(qū)間；(4)將各約束條件下的功率運(yùn)行區(qū)間取交集，獲得考慮 多重運(yùn)行約束條件下模塊化多電平換流器的功率運(yùn)行區(qū)間。本發(fā)明考 慮的運(yùn)行約束條件，通過(guò)建立一套旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下模塊化多電平換流器 的穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型，并通過(guò)取交集得到考慮多重約束條件下的功率
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種具有高傳輸效率可快速連續(xù)調(diào)節(jié)能量的降能器
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有高傳輸效率可快速連續(xù)調(diào)節(jié)能量的降能 器，包括碳化硼能量粗調(diào)單元、石墨能量精調(diào)單元、束流準(zhǔn)直器組、 運(yùn)動(dòng)控制模塊、真空模塊；碳化硼能量粗調(diào)單元實(shí)現(xiàn)能量的初級(jí)步進(jìn) 調(diào)節(jié)，提高了束流傳輸效率；石墨能量精調(diào)單元可實(shí)現(xiàn)束流能量的連 續(xù)精準(zhǔn)調(diào)節(jié)；準(zhǔn)直器組可對(duì)束流發(fā)射度進(jìn)行有效抑制，通過(guò)改變孔徑 實(shí)現(xiàn)了發(fā)射度的選擇；運(yùn)動(dòng)控制模塊可分別對(duì)碳化硼和石墨能量調(diào)節(jié) 單元進(jìn)行快速運(yùn)動(dòng)控制，保證了能量的快速調(diào)節(jié)；真空模塊創(chuàng)造并維 持了真空環(huán)境。本發(fā)明的降能器可以實(shí)現(xiàn)束流能量的高傳輸效率、快 速、連續(xù)調(diào)節(jié)，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種回旋加速器等時(shí)性磁場(chǎng)墊補(bǔ)方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種回旋加速器等時(shí)性磁場(chǎng)墊補(bǔ)方法及系統(tǒng)。首 先通過(guò)有限元建模與計(jì)算得出回旋加速器磁極不同半徑處單位邊緣切 削面積磁場(chǎng)沿徑向改變量，利用若干組改變量計(jì)算出表征切削向量同 整體磁場(chǎng)改變量的相關(guān)矩陣。在對(duì)加工的主磁鐵進(jìn)行測(cè)磁后，根據(jù)等 時(shí)場(chǎng)偏差和相關(guān)矩陣可逆向計(jì)算出所需要切削的邊緣沿半徑分布向 量，在通過(guò)插值得到連續(xù)加工坐標(biāo)后，利用數(shù)控機(jī)床對(duì)磁極邊緣進(jìn)行 加工。本發(fā)明所提供的磁場(chǎng)墊補(bǔ)方法考慮了墊補(bǔ)過(guò)程中徑向邊緣場(chǎng)效 應(yīng)，同時(shí)結(jié)合了有限元計(jì)算與實(shí)際測(cè)磁結(jié)果，具有可預(yù)測(cè)、高精度特 點(diǎn)，并基于相關(guān)矩
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加熱爐空氣預(yù)熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種加熱爐空氣預(yù)熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置，包括支撐座，所述支撐座上安裝有液壓缸，所述液壓缸的活塞桿上安裝有支架，所述支架上安裝有能沿?zé)峁艿目v向滑動(dòng)時(shí)刮除熱管的煙氣段外表面的煙泥灰垢的刮灰環(huán)，所述刮灰環(huán)包括經(jīng)模壓成型的環(huán)體，所述環(huán)體上設(shè)置有與熱管的煙氣段的橫截面形狀相應(yīng)的內(nèi)腔，環(huán)體的內(nèi)壁上固設(shè)有用于刮除煙泥灰垢的刷毛。本發(fā)明的刮灰環(huán)會(huì)包覆在熱管的煙氣段上，液壓缸的活塞桿帶動(dòng)支架和刮灰環(huán)上下移動(dòng)，刮灰環(huán)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡(jiǎn)單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種動(dòng)平臺(tái)對(duì)空目標(biāo)雙色紅外異構(gòu)并行自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別器
本發(fā)明公開(kāi)了一種動(dòng)平臺(tái)對(duì)空目標(biāo)雙色紅外異構(gòu)并行自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別器，所述目標(biāo)識(shí)別器包括：交換式網(wǎng)絡(luò)與至少一個(gè)處理部件，所述處理部件與所述交換式網(wǎng)絡(luò)之間通過(guò)輸入 FIFO 接口、同步存儲(chǔ)器輸出接口以及控制線連接，所述交換式網(wǎng)絡(luò)用于動(dòng)態(tài)鏈接不同的所述輸入 FIFO 接口和所述同步存儲(chǔ)器輸出接口，所述處理部件用于完成自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別過(guò)程中所需的各種算法功能，所述輸入 FIFO 用于緩存輸入的待處理圖像數(shù)據(jù)，所述同步存儲(chǔ)器輸出接口用于
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變?cè)⒌谝浑娮琛⒌诙娮琛 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變?cè)囊欢伺c第一電阻的另一端連接，阻變?cè)牧硪欢俗鳛榭删?程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變?cè)牧硪欢耍琋 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均
華中科技大學(xué)
2021-04-14