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一種三維量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片，屬于一種量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片，解決現(xiàn)有三維量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片工作面積有限、工藝復(fù)雜、成本高的問題。本實用新型自下而上包括：襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層、p 型層，所述襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層和 p 型層表面形狀走向一致，均為均勻分布的凸臺陣列或者均勻分布的凹槽陣列，或者均勻分布的相間的凸臺和凹槽所構(gòu)成的陣列。本實用新型增大了襯底層工作面積，在其上直接生長一層緩沖層來進(jìn)行應(yīng)力與晶格匹配，克服了工作面積與襯底面積之比較低所帶來的量子轉(zhuǎn)換效率低的問題；本實用

本實用新型公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結(jié)構(gòu)，包括LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹腔內(nèi)涂覆有

本發(fā)明公開了一種可尋址測量局域波前的成像探測芯片，包括可尋址加電液晶微光學(xué)結(jié)構(gòu)、面陣可見光探測器和驅(qū)控預(yù)處理模塊；液晶微光學(xué)結(jié)構(gòu)被劃分成可獨立施加電驅(qū)控信號的多個液晶微光學(xué)塊，各液晶微光學(xué)塊具有相同的面形和結(jié)構(gòu)尺寸，被加電液晶微光學(xué)塊為液晶微透鏡陣列塊，其余未加電液晶微光學(xué)塊為液晶相移板塊；被液晶微光學(xué)塊化的液晶微光學(xué)結(jié)構(gòu)將與其對應(yīng)的面陣可見光探測器劃分成同等面形和規(guī)模的面陣可見光探測器塊，并且各面陣可見光探

本發(fā)明屬于芯片貼裝設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種面向芯片的 倒裝鍵合貼裝設(shè)備，包括晶元移動單元、頂針單元、大轉(zhuǎn)盤單元、小 轉(zhuǎn)盤單元、基板進(jìn)給單元)、貼裝運動單元，以及作為以上各單元安裝 基礎(chǔ)的支架等，其中晶元移動單元可對晶元盤實現(xiàn)三自由度運動并實 現(xiàn)晶元的供給;大轉(zhuǎn)盤單元將脫離晶元盤的芯片精度轉(zhuǎn)移至吸嘴上， 然后由小轉(zhuǎn)盤單元對芯片逐一拾取;基板進(jìn)給單元實現(xiàn)貼裝基板的進(jìn) 給運動，貼裝運動單元則將拾取完芯片的小轉(zhuǎn)盤運動至基板貼裝位置， 最終實現(xiàn)芯片的貼裝。通過本發(fā)明，各個模塊單元之間相互聯(lián)系，共 同協(xié)作，顯

基于事件驅(qū)動方式的仿生視覺圖像傳感器，用于高速場景的拍攝 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破、顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡介 隨著虛擬現(xiàn)實（VR）、增強現(xiàn)實（AR）和混合虛擬增強現(xiàn)實（MR）技術(shù)、自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)以及機器視覺等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，對圖像傳感器的采集速度提出了更高的要求。傳統(tǒng)基于“幀”掃描形式的CMOS 或 CCD 圖像傳感器較難滿足高速運動物體的拍攝需求，若提高相機的圖像采集幀率，則需要采用高性能且結(jié)構(gòu)復(fù)雜的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，大量的圖像會帶來較大的數(shù)據(jù)冗余，此外，也會面臨功耗高的問題。 相比于傳統(tǒng)的光電和圖像傳感器，生物視網(wǎng)膜具有許多不可比擬的優(yōu)勢。視網(wǎng)膜中的光感受器可根據(jù)外界光強的變化自適應(yīng)調(diào)節(jié)增益，能夠感知超過 180dB 的光強范圍。另外，視網(wǎng)膜基于事件驅(qū)動式的采集方式，僅輸出場景中光強發(fā)生變化的信息，因而，能夠濾除低頻信息帶來的冗余。在信號處理和傳輸上，采用異步通信的方式，通過神經(jīng)節(jié)細(xì)胞將光強信息轉(zhuǎn)換為時空脈沖信號，實現(xiàn)低功耗。 受到生物視網(wǎng)膜的啟發(fā)，研究人員提出了基于事件驅(qū)動方式的仿生視覺圖像傳感器，用于高速場景的拍攝。該類傳感器多采用對數(shù)像素電路作為光強探測單元，因其動態(tài)響應(yīng)范圍寬，可隨機讀取。然而，對數(shù)電路在弱光環(huán)境下靈敏度低，幾乎沒有光響應(yīng)，即仍然無法模仿視網(wǎng)膜弱光下的高靈敏度，除此之外，其輸出受到 (Fixed Pattern Noise，F(xiàn)PN)的影響，降低了圖像質(zhì)量。 我們提出了一種兼容 CMOS 工藝的光敏二極管體偏置場效應(yīng)晶體管器件(PD- body biased MOSFET，簡稱 PD-MOS)，其結(jié)構(gòu)圖和等效電路如圖 1所示。 利用 PD 的感光特性以及 MOSFET 的正向襯底偏置效應(yīng)實現(xiàn)集成光強探測及信號放大于一體的光電器件。該器件可解決對數(shù)電路在弱光下靈敏度低的問題，并且提出了一種明暗傳感器的方案以降低噪聲。設(shè)計成像測試方案并搭建靜態(tài)圖像采集測試系統(tǒng)，實現(xiàn)靜態(tài)顯示，通過 MTALAB 進(jìn)行圖像恢復(fù)從而實現(xiàn)動態(tài)圖像顯示功能。   圖 1 (a) PD-MOS 器件結(jié)構(gòu)及其 (b) 等效電路圖 經(jīng)過商用 180nm CMOS 工藝流程制備后的器件概貌如圖 2 所示，圖 (a) 為三種不同像素設(shè)計的芯片實物圖，從上至下分別為環(huán)形結(jié)構(gòu)、條形結(jié)構(gòu)及對數(shù)像素電路，將其中的環(huán)形結(jié)構(gòu)在顯微鏡下放大觀察可看到圖 (b) 所示的形貌，圖 (c) 為4個像素的顯微圖。   圖 2 (a) PD-MOS 成像陣列芯片的實物圖，(b) 環(huán)形結(jié)構(gòu)芯片在顯微鏡下的放大圖以及 (c) 環(huán)形結(jié)構(gòu)像素放大圖 上位機實時顯示效果如圖3所示，可以明顯看出兩根頭發(fā)相交。子圖 (a) 為暗態(tài)時的 100 幀平均灰度圖，子圖 (b) 為暗態(tài)時的曲面圖，子圖 (c) (e) (g) (i) 為光態(tài)下的圖，子圖 (d) (f) (h) (j) 為光態(tài)下的圖像數(shù)據(jù)減去暗態(tài)下圖像數(shù)據(jù)的降噪圖，可以發(fā)現(xiàn)在30nw/cm2 輻照度下已經(jīng)出現(xiàn)頭發(fā)的輪廓，當(dāng)輻照度繼續(xù)增加，頭發(fā)的輪廓越來越清晰，當(dāng)輻照度達(dá)到 3mw/cm2，仍然可以看到頭發(fā)的輪廓。   圖 3 陣列芯片采集的圖像 不同于傳統(tǒng)計算機視覺系統(tǒng)的圖像采集方式，生物視覺系統(tǒng)的成像由視野場景中發(fā)生的事件觸發(fā)，且生物視網(wǎng)膜具有寬動態(tài)響應(yīng)范圍、超低功耗以及異步傳輸?shù)忍攸c，這為仿生視覺系統(tǒng)的研究提供了全新的思路。隨著物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛以及安防等領(lǐng)域的快速發(fā)展，它們對高速動態(tài)圖像傳感器的需求也日益提升。近些年，針對這些需求，研究人員提出了一種用于采集高速動態(tài)信息的類視網(wǎng)膜相機，成為了一大熱點研究方向。類視網(wǎng)膜相機的工作原理模擬了生物視網(wǎng)膜事件驅(qū)動型的采集方式及異步型的傳輸模式，為動態(tài)視覺成像提供了硬件基礎(chǔ)。綜上，該類傳感器的研究具有十分重要的科研意義和深遠(yuǎn)的經(jīng)濟(jì)價值。

項目簡介： 發(fā)展自主知識產(chǎn)權(quán)的北斗衛(wèi)

微晶玻璃腔體是激光陀螺的重要元件和組成部分，為了降低對進(jìn)口材料的依賴程度、提高國產(chǎn)化水平，對國產(chǎn)微晶玻璃腔體在激光陀螺批量化生產(chǎn)中的可行性進(jìn)行分析，主要研究內(nèi)容包括：國產(chǎn)微晶玻璃的制造工藝；采用國產(chǎn)微晶玻璃腔體與采用進(jìn)口微晶玻璃腔體的激光陀螺性能比較；使用國產(chǎn)微晶玻璃腔體激光陀螺樣機。使用國產(chǎn)化微晶玻璃腔體激光陀螺樣機零偏穩(wěn)定性和溫度零偏變化率能夠達(dá)到現(xiàn)有水平。

 在可再生能源日益短缺及溫室效應(yīng)日趨惡劣的嚴(yán)峻形勢下，Seebeck效應(yīng)作為一種新的能源轉(zhuǎn)化方式，可以有效地將日常生活及工業(yè)生產(chǎn)廢熱和不能被太陽能電池有效吸收的紅外波段轉(zhuǎn)化為亟需的電能，故而引起了科研工作者們的廣泛關(guān)注。衡量熱電材料能量轉(zhuǎn)化效率的最重要的指標(biāo)是其品質(zhì)因子ZT(=S2σT/κ)，如何提高材料的品質(zhì)因子是熱電科研工作者們普遍關(guān)注的問題。     由于本征的納米析出相以及價鍵非簡諧性(bond anharmonicity)的存在, BiAgSeS具有非常低的本征熱導(dǎo)率κ；然而，因其過低的載流子遷移率極大地限制了其功率因子S2σ。何佳清教授課題組巧妙地將在二維薄膜中廣泛運用的調(diào)制摻雜(modulation doping)技術(shù)推廣到三維塊體BiAgSeS材料中，使用具有不同載流子濃度的異質(zhì)晶粒構(gòu)建三維復(fù)合結(jié)構(gòu)，從而極大地提升了該材料中的載流子遷移率，使得功率因子S2σ相對于均勻摻雜的對照樣品提升了約87%，進(jìn)而顯著地提升了BiAgSeS材料的熱電轉(zhuǎn)化效率。文章結(jié)合了透射電子顯微術(shù)和理論計算對在n型BiAgSeS三維塊體復(fù)合材料中運用調(diào)制摻雜改進(jìn)載流子遷移率的物理機制做了深入的探討；該工作對調(diào)制摻雜技術(shù)在三維塊體熱電材料中的廣泛運用頗具啟發(fā)意義。

1、學(xué)習(xí)霍爾效應(yīng)原理，測繪霍爾元件的VH-1s，VH-ls,VH-lM曲線 2、測量單個通電圓線圈軸線上(X方向)各點的磁感應(yīng)強度; 3、測量亥姆霍茲線圈軸線上各點的磁感應(yīng)強度，比較和驗證磁場疊加原理; 4、測測量兩個通電圓線圈不同間距時的線圈軸線上各點的磁感應(yīng)強度; 5、測量亥姆霍茲線圈Y方向和Z方向上B的分布。

XM-N6高級計劃生育教育模型 ? 一、功能特點： ■ XM-N6高級計劃生育教育模型采用高分子材料制成，外形逼真，腹壁柔軟有彈性，操作真實。 ■ 解剖結(jié)構(gòu)包括子宮和附件等，模型部分透明的子宮有助于觀察宮內(nèi)避孕器放置與取出全過程，操作時可觀察操作步驟是否正確。 ■ 陰道可擴(kuò)張，可使用陰道窺器模擬訓(xùn)練和演示女性宮內(nèi)避孕器的放置與取出技術(shù)。 ■ 使用操作杠桿模擬子宮3個不同的位置：前傾位、水平位和后傾位。 ■ 可使用模擬腹壁（布套）練習(xí)雙合診技術(shù)，放置和取出陰道隔膜、宮內(nèi)避孕器和泡沫海綿避孕器。 ■ 可進(jìn)行計劃生育教育和技能操作訓(xùn)練及考核。 ■ 可反復(fù)進(jìn)行練習(xí)。 ? 二、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ 計劃生育教育模型：1個 ■ 模擬腹壁（布套）：1個 ■ 宮內(nèi)節(jié)育器：1個 ■ 說明書：1冊 ?????? ■ 保修卡合格證：1張