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高模量低收縮聚酰亞胺薄膜的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵制備技術(shù)研究
本項(xiàng)目針對目前國內(nèi)撓性印制線路板及材料在生產(chǎn)及應(yīng)用中存在的問題，在研究團(tuán)隊(duì)前期開發(fā)的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎(chǔ)上，從市場需求及產(chǎn)業(yè)化的角度，優(yōu)選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開展聚合物前驅(qū)體聚酰胺酸膠液的實(shí)驗(yàn)室小試、中試及產(chǎn)業(yè)化規(guī)模制備、膠液流延和薄膜制備過程中 的關(guān)鍵技術(shù)研究，獲得一套穩(wěn)定可靠的產(chǎn)業(yè)化工藝參數(shù)，制備具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產(chǎn)品，打破該產(chǎn)品國外壟斷的局面。
中山大學(xué)
2021-04-10
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一種二元前驅(qū)體合成伸展石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體納米復(fù)合材料的制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種利用二元前驅(qū)體合成石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法。該發(fā)明采用簡單的兩步合成路線，通過在水熱法中合成兩元前驅(qū)體，然后經(jīng)過高溫處理使四氧化三鐵納米顆粒均勻的分散在石墨烯納米薄膜的表面。相對于其他合成方法，此方法制備的石墨烯復(fù)合薄膜具有伸展更充分，F(xiàn)e3O4納米粒子粒徑更均勻，分布范圍窄等優(yōu)點(diǎn)。借助本發(fā)明提供的方法，制備出的石墨烯納米復(fù)合薄膜可作為鋰離子電池的負(fù)極材料，顯示了較高的電容量和循環(huán)穩(wěn)定性。通過本發(fā)明提供的無機(jī)半導(dǎo)體和石墨烯復(fù)合納米材料制備方法，可制備多種不同種類的復(fù)合材料，制備出的復(fù)合材料在鋰離子電池，無機(jī)太陽能電池，藥物的靶向緩釋與治療等方向具有實(shí)際的應(yīng)用前景。
青島大學(xué)
2021-04-13
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一種硒化銻薄膜太陽能電池的背表面處理方法
本發(fā)明屬于薄膜太陽能電池制備領(lǐng)域，具體公開了一種硒化銻 薄膜太陽能電池的背表面處理方法，該方法是使用含有二硫化碳的液 體接觸處理硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的表面，并以經(jīng)處 理后的硒化銻薄膜層的表面作為硒化銻薄膜太陽能電池的背表面。本 發(fā)明通過對硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的背表面進(jìn)行處理 改進(jìn)，有效降低了硒化銻薄膜太陽能電池的背接觸勢壘，達(dá)到了提高 器件的填充因子的效果，進(jìn)而提高了硒化銻薄膜太陽能電池的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜及其制備方法
本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜，該薄膜為三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構(gòu)成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上的透明導(dǎo)電層，該柔性透明 導(dǎo)電復(fù)合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內(nèi)保持高于 80％的透光率，該透明導(dǎo)電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開了該
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體材料 與器件制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實(shí)現(xiàn)禁帶寬度和能帶位置的連續(xù)可調(diào)，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機(jī)半導(dǎo)體材料。本發(fā)明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發(fā)源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發(fā)源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種制備高臨界電流密度釔鋇銅氧超導(dǎo)薄膜的方法
本新技術(shù)成果（ZL200910058055.7）于2012年3月21日授權(quán)。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的系統(tǒng)及其方法，所述系統(tǒng)沿著薄膜輸送方向依次包括開卷裝置、第一檢測裝置、上料裝置、壓合裝置、第二檢測裝置、裁切裝置、第三檢測裝置、下料裝置以及收卷裝置。其中開卷和收卷裝置分別用于將薄膜展開和纏繞收卷，上料和壓合裝置分別用于真空吸附片材和將片材在薄膜上疊合，裁切裝置用于對復(fù)合疊層執(zhí)行斷點(diǎn)切斷，第一、第二和第三檢測裝置用于檢測柔性薄膜的輸送、疊合對位和裁切效果予以檢測和反饋，下料裝置用于對復(fù)合疊層執(zhí)行下料及分類處理。通過本發(fā)明，能夠保證薄膜的穩(wěn)定輸送及其與片材之間的精確定位，防止片材出現(xiàn)彎曲和脆裂現(xiàn)象，而且便于對復(fù)合疊層進(jìn)行裁切和分類處理。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
制備多層復(fù)合材料的方法、設(shè)備和結(jié)構(gòu)阻尼復(fù)合材料
本發(fā)明提供了一種制備多層復(fù)合材料的方法和設(shè)備以及采用該方法和設(shè)備所得到的結(jié)構(gòu)阻尼復(fù)合材料。制備過程包括以下步驟：1)以基體層為陰極，以作為第一結(jié)構(gòu)層來源的第一電極為陽極，利用電火花沉積加工將第一電極沉積到基體層的表面并形成第一結(jié)構(gòu)層；2)以作為第二結(jié)構(gòu)層來源的第二電極為陽極，利用電火花沉積加工將第二電極沉積到第一結(jié)構(gòu)層的表面并形成第二結(jié)構(gòu)層。當(dāng)所述第一結(jié)構(gòu)層和第二結(jié)構(gòu)層分別為由阻尼材料構(gòu)成的第一阻尼層和第二阻尼層，所得多層復(fù)合材料為結(jié)構(gòu)阻尼復(fù)合材料。上述方法所使用的設(shè)備的控制機(jī)構(gòu)包括控制電極進(jìn)給運(yùn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)和控制電極夾持部夾取或更換電極的機(jī)構(gòu)。
西南交通大學(xué)
2016-10-19
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摻鋁氧化鋅薄膜的退火真空度和氬離子濺射清洗工藝控制
摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無毒環(huán)保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優(yōu)點(diǎn)，而后續(xù)處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵。為此我們研究 105 到 10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)：電阻率的降低集中在相對狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa 到 10 Pa 之間，電阻率陡降了 2 個(gè)數(shù)量級(jí)。電阻率在 10 Pa 退火時(shí)達(dá)到最小值，繼續(xù)提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續(xù)降低。這一研究結(jié)果不僅澄清了以往對溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續(xù)工藝處理的模糊認(rèn)識(shí)，而且對實(shí)際生產(chǎn)工藝具有重要的指導(dǎo)意義，例如以此為根據(jù)，選擇合適的真空度退火，達(dá)到既滿足產(chǎn)品的性能指標(biāo)，又能節(jié)能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS 的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+ 對 Zn2+ 離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用 Ar+ 離子對退火后的樣品進(jìn)行反濺射清洗，能進(jìn)一步提高電導(dǎo)率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結(jié)構(gòu)，能將入射太陽光分散到各個(gè)角度。用作太陽能電池電極時(shí)，能有效增強(qiáng)太陽能電池內(nèi)的光吸收材料對入射太陽光的捕獲，提高光能利用率。
遼寧大學(xué)
2021-04-11