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表面包硅的近紅外熒光磁性納米粒子及其制備方法和應用
本發(fā)明公開了表面包硅的近紅外熒光磁性納米復合粒子及其制備方法和應用，屬于 納米技術與生物醫(yī)學的交叉領域。本發(fā)明是在微乳體系中，將磁性納米粒子與近紅外熒 光量子點納米粒子或近紅外熒光有機染料分子一起包埋到二氧化硅粒子中，形成表面包 硅的近紅外熒光磁性納米復合粒子，這種納米復合粒子中還可以結合抗癌藥物以及具有 靶向識別功能的抗體、配體、多肽、細胞因子等多種生物分子。本發(fā)明通過納米粒子的 磁學性質、量子尺寸效應、光的熱效應以及抗癌藥物的藥效作用和生物分子的識別功能， 將制備的納米復合粒子用于腫瘤的治療中，在醫(yī)學領域具有廣闊的應用前景。
同濟大學
2021-04-13
含硅固廢（尾礦）綠色制備納米孔道 ZSM-5 分子篩技術
本技術提出以無溶劑法合成ZSM-5分子篩，在分子篩合成過程中無溶劑參與，僅將初始原料研磨混勻后，轉移到反應釜中進行晶化反應，從而簡化了合成工藝，實現ZSM-5分子篩低成本、高效、綠色合成。
北京科技大學
2021-04-13
硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、功率分配／合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的直接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率
東南大學
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一段移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和一個隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個熱電
東南大學
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和一個電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個電阻以及
東南大學
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個電阻以及熱電
東南大學
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率
東南大學
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導傳輸線、非對稱共面帶線和一個隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波
東南大學
2021-04-14
高結晶性銀粉及晶硅太陽能電池正面銀漿
本項目是通過控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長速度，可以得到 單分散的、高結晶性的單晶銀納米粉；通過引入銀納米晶核，控制溶液相中均 79 相成核和晶體的各向異性生長，可以制備單分散的、高結晶性的銀微米粉，進 而制得太陽能電池正面銀漿。
山東大學
2021-04-13
一種耐高溫納米硅薄膜二極管及其制備技術
該成果是一種用熱絲化學氣相沉積(HWCVD)方法進行低成本的耐高溫二極管制備的技術，它采用高熔點的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對通入生長腔體中的氣體進行快速分解，通過控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長氣壓等參數，可以實現不同導電類型的納米硅薄膜的沉積和相關二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測器和傳感器、光伏產業(yè)、發(fā)光器件等相關領域。 該成果
南京航空航天大學
2021-04-14