一種耐高溫納米硅薄膜二極管及其制備技術(shù)

新材料及其應(yīng)用

該成果是一種用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)方法進(jìn)行低成本的耐高溫二極管制備的技術(shù)，它采用高熔點的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對通入生長腔體中的氣體進(jìn)行快速分解，通過控制熱絲溫度、H₂稀釋比、襯底溫度和生長氣壓等參數(shù)，可以實現(xiàn)不同導(dǎo)電類型的納米硅薄膜的沉積和相關(guān)二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。

該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測器和傳感器、光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)光器件等相關(guān)領(lǐng)域。

該成果

產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用