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"本發明公開了一種盾構法多孔隧道近接施工附加荷載的輔助支撐方法，在先掘進隧道的管片內壁構造可自行走的輔助支撐結構：即沿隧道的縱向間隔設置環形工字鋼，再用縱向工字鋼與所述環形工字鋼聯結成整體，環向千斤頂通過設置在其上的膠輪支撐在縱向工字鋼上，各環形工字鋼之間設置有縱向千斤頂，在倒數第二個環形工字鋼上設置卷揚機，倒數第一個環形工字鋼設置有相應的掛置卷揚機鋼索的掛鉤。本發明方法在有效減緩盾構法多孔隧道近接施工引起的縱向效應的同時可以多盾構同時掘進，不影響先行盾構隧道的正常出渣，不需要在先行隧道施工完畢后再施工后行隧道。 "

本實用新型公開了一種古建筑木柱燕尾榫墩接加固結構，包括原柱和墩接新柱，墩接新柱包括燕尾榫、新柱立面和底座，新柱立面沿豎直方向設在底座的上方，新柱立面的上方設有燕尾榫，燕尾榫呈對稱燕尾狀，榫頭平面的寬度和長度均與新柱立面上平面的寬度和長度一致，榫尾內斜邊與新柱立面之間為銳角，原柱截面立面上方開設有卯口，燕尾榫插入原柱截面卯口內，使原柱和墩接新柱榫卯連接固定在一起，并在墩接搭交處用鐵箍加固。與現有技術相比，本實用新型結構簡單、構造合理，在堅持不改變古建筑原材料及施工工藝原則的基礎上，柱根的墩接不僅保證接

        技術成熟度：技術突破         領域存在著景深影響效率的突出問題，本產品以高性能異構處理器為核心運算單元，以嵌入式手段通過視覺流與控制流的嚴格對位，高性能實時完成視頻控制信息的結算，并直接輸出電機驅動信號控制相關執行機構完成閉環控制。         本產品主要面向高性能伺服閉環控制的視頻應用領域，能夠顯著提升顯微工業自動化領域的視頻對焦及對位處理的效率及精度，亦可實現宏觀領域的視覺嵌入化控制閉環應用。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

        成熟度：技術突破         一種安全、可靠、光強穩定的數字化超高壓汞燈曝光光源控制器，驅動功率高達3kW，功率調整步長小于5W，光強穩定性誤差不高于0.3%@30min，汞燈觸發成功率高于90%。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

針對腦卒中與關節損傷高發趨勢，本產品基于康復醫學理論研發多關節智能康復產品，覆蓋肘、膝、踝、腕等上下肢關鍵關節，通過對關節的反復訓練，增強關節本體感覺，打開活動度，推動神經系統重組代償，助力關節功能恢復。 本產品實現多項突破，運用高精度傳感器，精準捕捉關節運動微小變化，實現人機互動與實時康復數據反饋；結合自適應算法實現動態重力補償，精準調控角度/速度/力矩三維參數，通過循跡坐標點樣線擬合生理運動軌跡；創新集成多訓練模式切換系統，滿足全康復周期需求；產品兼具硬/軟件雙重安全防護，提高產品安全性。 腕關節康復器 前臂康復器 肘關節康復器 膝關節康復器 踝關節康復器

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術領域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質材料、鎵酸鑭基電解質材料在浸潤性能、熱膨脹系數和化學穩定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。

針對北斗衛星導航系統（CNSS）等衛星定位系統在高樓林立的 城市和室內難以定位的問題，提出將地面數字電視廣播（DTMB）信 號與 CNSS 或調頻廣播（FM）信號相結合，研究一種適用于城市及 室內環境的高精度混合定位系統。項目研究成果可用于：提高可接收 CNSS 衛星數目不足的城市樓宇地區定位精度；實現多徑信道復雜的 室內環境下高精度定位；為室內外無縫定位技術產品化奠定基礎。