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產品詳細介紹   產品簡介 利用PLA、ABS塑料，3D打印筆可以在任何表面“書寫”。無需電腦或電腦軟件支持，只要把它插上電，等一等就可以開始奇妙創作。它基于3D打印，擠出熱融的塑料，然后在空氣中迅速冷卻，最后固化成穩定的狀態。賦予了無盡的創造力。只要幾個小時的練習，便能夠描畫出驚人的絢爛。

新一代AI圖像增強技術，精準的3D形體識別； 支持手勢控制、實時3D掃描、實景測量、教室學情分析； 偵測到從物移動時，自動跟蹤移動軌跡，精準還原動態細節。

消聲器

產品詳細介紹

本發明公開了一種多軸數控機床轉臺幾何誤差六位置辨識方法，包括：根據機床結構和轉臺位置，確定球桿儀在轉臺坐標系上的六個安裝位置；結合球桿儀測量方向以及轉臺幾何誤差對機床精度影響模型，建立球桿儀讀數與轉臺幾何誤差之間的關系；根據球桿儀詳細坐標和測量方向齊次向量建立轉臺的六個集成誤差表達式；根據轉臺垂直度誤差和位置偏差的性質，分離得到轉臺十項幾何誤差的辨識公式；建立球桿儀安裝誤差對球桿儀讀數影響模型；安裝球桿儀，轉動轉臺得到各個安裝位置處球桿儀讀數；對球桿儀讀數進行擬合，得到剔除安裝誤差后的球桿儀數據；利用十項幾何誤差辨識公式計算得到轉臺所有的幾何誤差。該方法操作簡單方便，辨識精度高，系統性好。

LT 灰中主要含有鐵氧化物（磁鐵礦與赤鐵礦）和硅酸鹽（鐵橄欖石和鈣鐵輝石、透輝石），它們物性差異較大，比磁化率在不同量級，利用其物性差異通過強磁場將鐵氧化物和硅酸鹽等雜質分離，實現氧化鐵的富集與提取。提取后的氧化物再經過低溫改性，即可制備α-Fe 2 O 3 產品。

首次 實現 將水汽遷移反應與費托合成反應成功 耦合 ， 構建了水汽遷移反應活性中心 Pt-Mo 2 C/C 和費托合成反應活性中心 Ru/C 。將兩種催化劑 進行簡單的物理混合，通過調節兩種活性中心的 結構和 比例調控各自的反應速率。 實現了在低溫 200 o C 的條件下，將 CO 和水 一步 直接轉化制備油品的過程 。 該過程中費托反應的活性高達 8.7 mol -CH2-  mol Ru -1  h -1 ，與在合成氣（ H 2 /CO=2 ） 條件下 Ru/C 催化劑 的費托活性相當，且費托產物中 C5+ 油相產物的選擇性接近 70% 。 對比雙金屬催化劑 RuPt-Mo 2 C/C 和物理混合催化劑的結果，發現兩種活性金屬 Pt 和 Ru 的結合形式在催化反應中起了十分重要的影響。當 Pt 和 Ru 形成 PtRu 合金后會同時削弱 WGS 和 FTS 兩個反應的的活性，進而打破兩個反應之間的動力學平衡。而當兩種活性中心分別作用的時候則剛好使兩個反應的動力學速率達到平衡，實現最優的 CO 和水轉化制備油品的活性和選擇性。

小試階段/n針對多孔介質燃燒器用泡沫陶瓷目前存在的常溫強度以及熱震穩定性能差等問題，本發明制備了一種Al2O3-SiC復合泡沫陶瓷。該陶瓷克服現有技術缺陷，具有強度高、抗氧化性能好和抗熱震性能優良等優點。

產品詳細介紹迷你型氧氣傳感器O2S-XX-T3   一、產品簡介： 氧氣傳感器采用兩個氧化鋯盤，在其中間是一個密封空間。其中一個盤起的功能是可逆氧氣泵，依次充滿樣品氣和抽空此小空間。另一個盤用于測量氧分壓差比率，得到相對應的傳感電壓。氧化鋯盤作為氧氣泵運行時，需要的700 °C 的溫度由加熱元件產生。氧氣泵使小空間范圍內達到額定的最小和最大壓力所花的時間和環境中氧分壓值具有對應關系。   二、產品特性： 1)       非消耗性的氧化鋯傳感元件 2)       氧壓范圍 2 mbar...3 bar 3)       高穩定性和精度，可測量0…100% 氧 4)       對于其他氣體無交叉干擾 5)       無需溫度穩定 6)       內置加熱元件 7)       加熱器電壓： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A) 8)       允許氣體溫度： -100...250 °C ；   三、產品參數 特性 最小 典型 最大 單位 氧壓范圍 2   3000 mbar 精度      5 操作溫度（O2S-T3）   700（4.00V）   °C 操作溫度（O2S-FR-T3）   700（4.35V）     響應時間(10-90%，O2S-T3)      15 S 響應時間(10-90%，O2S-FR-T3)     4 預熱時間(s)      100 預熱時間（從準備開始s）      20   四、典型應用： 排放控制 - 柴油機/鍋爐/加熱系統；生物能源/生物氣；醫療；空氣質量監控MOT 車檢排放測試設備；堆制肥料；農業；水果或氧氣敏感型食物運輸；OBOGS(機上氧氣發生器)； OBIGGS(機上惰性氣體發生器)；儀器儀表生產商    

本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。